东京毅力科创株式会社近江宗行获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基片处理方法、基片处理装置和清洁装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112309851B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010715163.3，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权基片处理方法、基片处理装置和清洁装置是由近江宗行;后平拓;村上贵宏设计研发完成，并于2020-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本基片处理方法、基片处理装置和清洁装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种基片处理方法，其包括：准备含有蚀刻对象膜和掩模的基片的步骤；用等离子体通过所述掩模来对所述蚀刻对象膜进行蚀刻的步骤；和在所述进行蚀刻的步骤之后，在规定的温度下对基片进行热处理的步骤。根据本发明，能够防止因沉积于蚀刻对象膜的反应生成物而使蚀刻对象膜受到损伤。
本发明授权基片处理方法、基片处理装置和清洁装置在权利要求书中公布了：1.一种基片处理方法，其特征在于，包括： 准备含有将多个氧化硅膜和多个氮化硅膜交替层叠而成的层叠膜和掩模的基片的步骤； 用等离子体通过所述掩模来对所述层叠膜进行蚀刻，在所述层叠膜内形成凹部，并在所述凹部的侧壁形成包含硅氟化铵或卤化铵的反应生成物的步骤； 在进行所述蚀刻的步骤之后，使附着于所述基片的倾斜部上的倾斜沉积物灰化的步骤；和 在进行所述蚀刻的步骤之后，在规定的温度下对所述基片进行热处理，从所述凹部的侧壁去除所述反应生成物的步骤， 对所述倾斜沉积物进行的所述灰化和对所述基片进行的所述热处理是同时实施的，并且，对所述基片进行的所述热处理的处理室与进行所述蚀刻的处理室是不同的， 在使所述倾斜沉积物灰化的步骤和去除所述反应生成物的步骤中，将载置所述基片的载置台的温度设定为120℃以上且不足250℃。
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