大连理工大学;北京大学张兆萱获国家专利权
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龙图腾网获悉大连理工大学;北京大学申请的专利电子器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951902B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110045112.9，技术领域涉及：H10D64/68；该发明授权电子器件及其制备方法是由张兆萱;王可心;何成;孙伟设计研发完成，并于2021-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种电子器件，包括：第一电极，第一电极由单晶金属纳米颗粒构成；第二电极，第二电极由单晶金属纳米颗粒构成，其中，第一电极和第二电极在一个方向中排列，并且第一电极的一端与第二电极的一端相向设置，并且第一电极的一端与第二电极的一端形成小的间距10nm以下；以及介电层，介电层由低介电常数材料形成，并且介电层至少设置在间距中。本公开还提供了一种10nm以下小间距电子器件的制备方法。
本发明授权电子器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电子器件，其特征在于，包括： 第一电极，所述第一电极由单晶金属纳米颗粒构成； 第二电极，所述第二电极由单晶金属纳米颗粒构成，其中，所述第一电极和第二电极在一个方向中排列，并且所述第一电极的一端与所述第二电极的一端相向设置，并且所述第一电极的所述一端与所述第二电极的所述一端形成小的间距，所述间距为3纳米~5纳米； 介电层，所述介电层由低介电常数的高分子材料形成，其介电常数为2.2至2.5，并且所述介电层至少设置在所述间距中；所述介电层覆盖所述第一电极的所述一端的一部分且覆盖所述第二电极的所述一端的一部分； 所述介电层设置成避免所述第一电极和第二电极被施加高电压时所述第一电极和第二电极的形貌发生变化； 所述介电层设置成使得所述第一电极及第二电极之间的电流小于隧穿电流及原子迁移电流。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人大连理工大学;北京大学，其通讯地址为：116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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