IMEC 非营利协会S·K·萨塔获国家专利权
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龙图腾网获悉IMEC 非营利协会申请的专利制造MOSFET的方法及其由其制造的中间结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992683B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011400213.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权制造MOSFET的方法及其由其制造的中间结构是由S·K·萨塔设计研发完成，并于2020-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造MOSFET的方法及其由其制造的中间结构在说明书摘要公布了：本公开涉及一种制造场效应晶体管的方法，该方法包括：提供包含半导体层、覆盖在沟道层上的第一高k介电材料层和覆盖在半导体层上的沟道层的基板，执行图案化处理，使得从用于形成源电极的第一区域和用于形成漏电极的第二区域中移除至少第一高k介电材料层，使得包括第一高k介电材料的图案化层的用于形成栅电极的第三区域被形成在第一区域和第二区域之间，在第一区域中形成源电极并在第二区域中形成漏电极，其中源电极和漏电极具有暴露的末端，并且包括易受自限氧化影响的材料，将源电极和漏电极置于氧化介质中，从而将源电极和漏电极的暴露末端转化为氧化物的共形层，并且仅在第三区域中的第一高k介电材料的图案化层上提供栅极。
本发明授权制造MOSFET的方法及其由其制造的中间结构在权利要求书中公布了：1.一种制造场效应晶体管的方法，所述场效应晶体管包括与沟道层接触的源电极和漏电极，所述方法包括： 提供基板25，所述基板25包括半导体层10、覆盖在沟道层30上的第一高k介电材料层40、和覆盖在半导体层10上的沟道层30， 执行图案化处理，使得至少所述第一高k介电材料层40被从用于形成源电极的第一区域I和用于形成漏电极的第二区域II中移除，使得包括第一高k介电材料的图案化层41的用于形成栅电极的第三区域III被形成在所述第一区域I和所述第二区域II之间， 在所述第一区域I中形成所述源电极50并在所述第二区域II中形成所述漏电极51，其中所述源电极50和所述漏电极51具有暴露的末端并且包括易受自限氧化影响的材料， 将所述源电极50和所述漏电极51置于氧化介质中，从而将所述源电极和所述漏电极的所述暴露的末端转化为氧化物的共形层60，以及 仅在所述第三区域III中的所述第一高k介电材料的图案化层41上提供所述栅电极150。
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