TDK电子股份有限公司M·维拉贝尔获国家专利权
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龙图腾网获悉TDK电子股份有限公司申请的专利压电组装件及形成压电组装件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114342099B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180005276.7，技术领域涉及：H10N30/079；该发明授权压电组装件及形成压电组装件的方法是由M·维拉贝尔;S·雷多菲设计研发完成，并于2021-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本压电组装件及形成压电组装件的方法在说明书摘要公布了：压电组装件，其包括：镍、铜或钢的基材，组装在基材上的第一取向层和取向层上的压电层。压电层相对于局部表面法线具有90％或更大的100取向度。
本发明授权压电组装件及形成压电组装件的方法在权利要求书中公布了：1.一种压电组装件1，包括： -贱金属基材2，其具有主基材表面21， -第一取向层3，其布置在所述主基材表面21上，其中 -第一取向层3包含晶体钙钛矿结构的第一材料，所述第一材料构成所述第一取向层的至少90wt%， -第一压电层4，其布置在所述第一取向层3上，其中 -所述第一压电层4包含晶体钙钛矿结构的含铅的压电材料，并且所述压电材料沿方向100具有比所述第一取向层3的所述第一材料更大的纵向压电系数d33， -所述第一压电层4的所述压电材料的取向度o为90%或更大，其中所述取向度o为晶体压电材料的晶胞的方向100与所述主基材表面21的局部表面法线N的平均对齐度， -其中所述第一取向层包括多孔取向子层，所述多孔取向子层具有相对孔隙率为至多70%的多孔结构， -其中所述第一取向层包括致密取向子层，并且所述多孔取向子层具有为所述致密取向子层的至少两倍的孔浓度， 其中所述致密取向子层直接布置在所述主基材表面上，并且所述多孔取向子层布置在所述致密取向子层上。
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