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龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利动态随机存取存储器的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114373720B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210062622.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权动态随机存取存储器的形成方法是由刘藩东;华文宇;骆中伟设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本动态随机存取存储器的形成方法在说明书摘要公布了：一种动态随机存取存储器的形成方法，包括：形成沿所述第二方向贯穿所述有源区的第一沟槽和所述第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽均自所述第一面向所述第二面延伸，且所述第一沟槽位于所述字线区内，所述第二沟槽位于所述沟道区内；在所述第一沟槽侧壁形成字线栅结构和第一隔离结构，且各个所述第一沟槽内的两个字线栅结构之间由所述第一隔离结构相互隔离；在所述第二沟槽内形成第二隔离结构；形成所述字线栅结构、所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之后，自所述第二面向所述第一面的方向对所述衬底进行减薄处理，直至暴露出所述第二沟槽。所述第一沟槽和所述第二沟槽在同一次光刻工艺中形成，利于形成均匀的器件沟道，提高器件性能稳定性。

本发明授权动态随机存取存储器的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干相互分立且平行于第一方向的有源区，且若干所述有源区沿第二方向排列，所述第一方向与所述第二方向垂直，每个所述有源区均包括若干字线区和若干沟道区，且每个所述有源区中的若干所述字线区和若干所述沟道区沿所述第一方向间隔排列； 形成沿所述第二方向贯穿所述有源区的第一沟槽和第二沟槽，且所述第一沟槽和所述第二沟槽的形成工艺包括同一光刻工艺，所述第一沟槽和所述第二沟槽均自所述第一面向所述第二面延伸，且所述第一沟槽位于所述字线区内，所述第二沟槽位于所述沟道区内； 在所述第一沟槽侧壁形成字线栅结构和第一隔离结构，且各个所述第一沟槽内的两个字线栅结构之间由所述第一隔离结构相互隔离； 在所述第二沟槽内形成第二隔离结构； 形成所述字线栅结构、所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之后，自所述第二面向所述第一面的方向对所述衬底进行减薄处理，直至暴露出所述第二沟槽。

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