爱思开海力士有限公司姜仁求获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体装置和半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110900072.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置和半导体装置的制造方法是由姜仁求;金昶汉设计研发完成，并于2021-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：栅极结构，其包括交替地层叠的多个导电层和多个绝缘层；沟道层，其穿透栅极结构；多个存储器图案，其分别位于沟道层和多个导电层之间；多个气隙，其位于多个存储器图案之间；以及密封层，其包括分别包括气隙的多个第一部分以及在多个存储器图案之间延伸的第二部分。
本发明授权半导体装置和半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，该半导体装置包括： 栅极结构，该栅极结构包括交替地层叠的多个导电层和多个绝缘层； 沟道层，该沟道层穿透所述栅极结构； 多个存储器图案，所述多个存储器图案分别位于所述沟道层和所述多个导电层之间； 多个气隙，所述多个气隙位于所述多个存储器图案之间；以及 密封层，该密封层包括分别包括所述气隙的多个第一部分以及在所述多个存储器图案和所述沟道层之间延伸的第二部分， 其中，所述密封层不与所述导电层垂直交叠。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人爱思开海力士有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励