美光科技公司宗高由木获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利半导体存储器装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084141B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210222572.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器装置及其形成方法是由宗高由木;藤本稔泰设计研发完成，并于2022-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体存储器装置及其形成方法。一种设备包含：半导体衬底；线形沟槽，其在所述半导体衬底中，所述线形沟槽的内壁由绝缘膜覆盖；第一导电部件，其包含第一线形部分和第二线形部分，所述第一线形部分填充所述线形沟槽的下部部分；以及线形第二导电部件和线形第三导电部件，其沿着所述线形沟槽的所述内壁延伸且面向彼此，所述线形第二导电部件和所述线形第三导电部件在其间具有空隙；其中所述第一导电部件的所述第二线形部分从所述第一线形部分的中心部分突出以填充所述空隙。
本发明授权半导体存储器装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种设备，其包括： 半导体衬底； 线形沟槽，其在所述半导体衬底中，所述线形沟槽的内壁由绝缘膜覆盖； 第一导电部件，其包含第一线形部分和第二线形部分，所述第一线形部分填充所述线形沟槽的下部部分； 线形第二导电部件和线形第三导电部件，其沿着所述线形沟槽的所述内壁的相对部分延伸且面向彼此，所述线形第二导电部件和所述线形第三导电部件在其间具有空隙，其中所述第一导电部件的所述第二线形部分从所述第一线形部分的中心部分突出以填充所述空隙；以及 盖填充层，其经沉积以填充所述线形沟槽并覆盖所述半导体衬底的顶面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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