台湾积体电路制造股份有限公司蔡劲获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117143B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210109994.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及制造方法是由蔡劲;苏圣凯设计研发完成，并于2022-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：在衬底上方沉积介电层；在介电层上形成碳纳米管；在碳纳米管上形成伪栅极堆叠件；在伪栅极堆叠件的相反侧上形成栅极间隔件；以及去除伪栅极堆叠件以在栅极间隔件之间形成沟槽。碳纳米管暴露于沟槽。该方法还包括：蚀刻位于碳纳米管下方的介电层的一部分，其中碳纳米管被悬置；形成围绕碳纳米管的替代栅极电介质；以及形成围绕替代栅极电介质的栅电极。
本发明授权半导体器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 在衬底上方沉积隔离层； 在所述隔离层上方沉积蚀刻停止层; 在所述蚀刻停止层上方沉积介电层； 在所述介电层上形成碳纳米管； 在所述碳纳米管上形成伪栅极堆叠件； 在所述伪栅极堆叠件的相反侧上形成栅极间隔件； 去除所述伪栅极堆叠件以在所述栅极间隔件之间形成沟槽，其中，所述碳纳米管暴露于所述沟槽； 蚀刻位于所述碳纳米管下方的介电层的一部分，其中，所述介电层的一部分的蚀刻停止在所述蚀刻停止层上，其中，所述碳纳米管被悬置； 形成围绕所述碳纳米管的替代栅极电介质；以及 形成围绕所述替代栅极电介质的栅电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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