德尔福知识产权有限公司何健民获国家专利权
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龙图腾网获悉德尔福知识产权有限公司申请的专利带有滞后的改进开关获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115118260B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210150675.9,技术领域涉及:H03K17/16;该发明授权带有滞后的改进开关是由何健民设计研发完成,并于2022-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本带有滞后的改进开关在说明书摘要公布了:本公开涉及带有滞后的改进开关,尤其涉及一种包括输入端子的开关电路,该输入端子经由第一电阻器连接到第一晶体管的基极,该第一晶体管是NPN双极栅极晶体管,该开关电路还包括连接在该第一晶体管的基极与地之间的第二电阻器,并且包括连接到该第一晶体管的集电极的输出线或端子,并且其中,该第一晶体管的发射极接地,该电路还包括第二晶体管,该第二晶体管是PNP双极栅极晶体管,其中,该第二晶体管的集电极经由第三电阻器连接到该第一晶体管的基极,并且该第二晶体管的发射极连接到该输入端子,并且其中,该第二晶体管的发射极还经由第四电阻连接到该第二晶体管的基极,并且该第二晶体管的基极还经由第五电阻和二极管连接到输出端子。
本发明授权带有滞后的改进开关在权利要求书中公布了:1.一种开关电路,该开关电路包括输入端子1,所述输入端子经由第一电阻器R3连接到第一晶体管Q1的基极,所述第一晶体管是NPN双极栅极晶体管Q1,所述开关电路还包括连接在所述第一晶体管Q1的基极与地之间的第二电阻器R5,并且包括连接到所述第一晶体管Q1的集电极的输出线或输出端子3,并且其中,所述第一晶体管Q1的发射极接地,所述开关电路还包括第二晶体管Q2,所述第二晶体管是PNP双极栅极晶体管,其中,所述第二晶体管Q2的集电极经由第三电阻器R8连接到所述第一晶体管Q1的基极,所述第二晶体管Q2的发射极连接到所述输入端子1,并且其中,所述第二晶体管Q2的发射极还经由第四电阻R11连接到所述第二晶体管Q2的基极,并且所述第二晶体管Q2的基极还经由第五电阻器R10和二极管D1连接到所述输出端子3,以使得当所述第一晶体管Q1导通时,通过所述第五电阻器R10和所述二极管D1导通所述第二晶体管Q2,从而经由所述第二晶体管Q2的集电极和所述第三电阻器R8增强到所述第一晶体管Q1的基极的导通电流。
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