台湾积体电路制造股份有限公司谢佑刚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148669B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210093008.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其制造方法是由谢佑刚;姜慧如;林仲德设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：提供半导体结构。半导体结构可以包括晶体管结构，晶体管结构可以包括：栅极区域，布置在衬底的上表面上方并且基本在垂直于衬底的上表面的第一方向上延伸；第一源极漏极区域，位于衬底的上表面上方；第二源极漏极区域，位于衬底的上表面上方；以及沟道区域，在第一源极漏极区域和第二源极漏极区域之间在第一方向上垂直延伸，其中，沟道区域包括氧化物半导体材料。沿第一方向，栅极区域覆盖沟道区域的侧壁。本申请的实施例还涉及制造半导体结构的方法。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 晶体管结构，包括： 栅极区域，布置在衬底的上表面上方，其中，所述栅极区域基本在垂直于所述衬底的所述上表面的第一方向上延伸； 第一源极漏极区域，位于所述衬底的所述上表面上方； 第二源极漏极区域，位于所述衬底的所述上表面上方；以及 沟道区域，横向位于所述第一源极漏极区域的最外边缘和所述栅极区域的面向所述沟道区域的最外侧壁之间，其中，所述沟道区域在所述第一源极漏极区域和所述第二源极漏极区域之间在所述第一方向上垂直延伸，其中，所述沟道区域包括氧化物半导体材料； 其中，沿所述第一方向，所述栅极区域覆盖所述沟道区域的侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励