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龙图腾网获悉宜昌南玻硅材料有限公司;中国南玻集团股份有限公司申请的专利一种多晶硅小碎料表面金属杂质的测定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116046488B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211648255.X，技术领域涉及：G01N1/28；该发明授权一种多晶硅小碎料表面金属杂质的测定方法是由王声容;沈飞;陈彩鸿;蔡云鹏;刘文明设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多晶硅小碎料表面金属杂质的测定方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多晶硅小碎料表面金属杂质的测定方法。取多晶硅小碎料样品于烧杯中，加入浸取液，消解；取下消解好的样品，冷却至室温，转入容量瓶中，再次加入HNO3定容；振摇容量瓶，使固相和液相混合均匀后离心分离；离心分离后，取上清液用标准加入法制作标准曲线，标准曲线的第一个加入量应当接近于样品中元素含量，同时做空白；ICP‑MS仪器调谐性能最佳化，以标准加入浓度为横坐标，测量离子计数CPS值为纵坐标，绘制标准曲线，并进行样品的测量。本发明避免二次污染，同时未改变酸浸取液体积，也没有元素杂质冲洗不彻底的问题。

本发明授权一种多晶硅小碎料表面金属杂质的测定方法在权利要求书中公布了：1.一种多晶硅小碎料表面金属杂质的测定方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤： 1根据多晶硅碎料的粒径确定加入硅料表面剥离剂后加热消解时间； 硅料表面剥离剂为体积比HNO3:HF:H2O2:C6H14O6:H2O=1:1:1:0.2:40的混合物；硅料表面剥离剂的使用方法为：于60℃加热条件下，控制多晶硅样品在经过硅料表面剥离剂处理后质量减少量在样品质量的0.5%-1%； 2取多晶硅小碎料样品于烧杯中，加入硅料表面剥离剂，加盖消解； 3取下消解后的样品，冷却至室温，转入离心管中，加入HNO3定容至刻度； 4离心分离，使固相和液相分离； 5离心分离后，静置取上清液于消解管中，于石墨加热器中挥发至干； 6二次加酸去除硅基体：挥发至干后加入HNO3，继续挥发至干； 7挥发至干后加入HNO3提取； 8ICP-MS仪器性能调谐性能最佳化； 9绘制标准工作曲线； 10重复上述样品的制备过程，用上述标准曲线对消解液进行测定，同时做过程空白和三平行样品； 标准工作曲线的绘制的具体步骤为： 9.1准确称量提取液质量，加入含有Fe、Gr、Ni、Cu、Zn、K、Na、Al的混合标准溶液，配置成1PPb浓度，上机测定，即为标准曲线的第一个点； 9.2将上述测定后的1ppb浓度的溶液准确称取质量，加入含有Fe、Gr、Ni、Cu、Zn、K、Na、Al的混合标准溶液，配置成2PPb浓度，上机测定，即为标准曲线的第二个点； 9.3将上述测定后的2ppb浓度的溶液准确称取质量，加入含有Fe、Gr、Ni、Cu、Zn、K、Na、Al的混合标准溶液，配置成5PPb浓度，上机测定，即为标准曲线的第三个点； 9.4将上述三次含有不同浓度混标的样品消解液测定结果，以标准加入浓度为横坐标，离子计数值为纵坐标，绘制标准曲线。

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