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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116246946B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310034092.4，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权制造半导体器件的方法是由张又仁;陈志仰;陈华丰;潘国华;江木吉设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：根据本申请的实施例提供了制造半导体器件的方法。在制造半导体器件的方法中，获得初始图案布局。初始图案布局包括鳍图案，鳍图案包括将形成为有源鳍结构的有源鳍图案和不形成为实际鳍结构或者将被去除的伪鳍图案。鳍图案的位置被修改如下。将相邻的有源鳍图案之间的间距增加第一量，将伪鳍图案之间的间距减小第二量，以及将伪鳍图案中的一个伪鳍图案和与该伪鳍图案相邻的有源鳍图案中一个有源鳍图案之间的间距减小第三量。放置芯轴图案，使得修改了位置的鳍图案沿着芯轴图案的纵向边缘放置。

本发明授权制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 通过使用计算机获得包括鳍图案的初始图案布局，所述鳍图案包括将形成为有源鳍结构的多个有源鳍图案和不形成为实际鳍结构或者将被去除的多个伪鳍图案，所述多个有源鳍图案包括彼此相邻的第一有源鳍图案和第二有源鳍图案，所述多个伪鳍图案包括彼此相邻的第一伪鳍图案和第二伪鳍图案，并且所述第一有源鳍图案与所述第二伪鳍图案相邻； 通过所述计算机以如下方式修改所述鳍图案的位置： 将相邻的有源鳍图案之间的间距增加第一量，使得所述第一有源鳍图案与所述第二有源鳍图案之间具有间距S2； 将所述伪鳍图案之间的间距减小第二量，使得所述第一伪鳍图案和所述第二伪鳍图案之间具有间距S1，且S1小于S2；以及 将所述伪鳍图案中的一个伪鳍图案和与所述伪鳍图案中的所述一个伪鳍图案相邻的所述有源鳍图案中一个有源鳍图案之间的间距减小第三量，使得所述第二伪鳍图案与所述第一有源鳍图案之间具有间距S3，且S3小于S2； 通过所述计算机放置芯轴图案，使得修改了位置的所述鳍图案沿着所述芯轴图案的纵向边缘放置； 基于所述芯轴图案制造光掩模；以及 使用所述光掩模在下面的层的上方形成光刻胶图案。

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