中微半导体设备(上海)股份有限公司王智昊获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利静电卡盘系统及半导体处理设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344307B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111596699.9，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权静电卡盘系统及半导体处理设备是由王智昊;徐朝阳设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电卡盘系统及半导体处理设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种静电卡盘系统及半导体处理设备，静电卡盘系统包括：能够相对反应腔的底壁进行上下移动的静电卡盘，以及分别与静电卡盘连接的射频功率源和直流电源，静电卡盘与射频功率源和直流电源之间分别形成有射频通路和直流通路；相互连接的第一射频阻挡部和第二射频阻挡部；第一射频阻挡部位于直流通路上，并设置在静电卡盘上，且随静电卡盘相对反应腔的底壁上下移动，第一射频阻挡部用于限制射频通路中的射频电流耦合到直流通路上；第二射频阻挡部设置在反应腔的底壁上的开口处，开口用于直流通路与直流电源连接；第二射频阻挡部用于阻止射频电流从开口泄漏至反应腔外部。
本发明授权静电卡盘系统及半导体处理设备在权利要求书中公布了：1.一种静电卡盘系统，其设置在等离子体处理设备的反应腔内，包括：能够相对所述反应腔的底壁进行上下移动的静电卡盘，以及分别与所述静电卡盘连接的射频功率源和直流电源，所述静电卡盘与所述射频功率源和直流电源之间分别形成有射频通路和直流通路；其特征在于，还包括:相互连接的第一射频阻挡部和第二射频阻挡部； 所述第一射频阻挡部位于所述直流通路上，并设置在所述静电卡盘上，且随所述静电卡盘相对所述反应腔的底壁上下移动，所述第一射频阻挡部用于限制所述射频通路中的射频电流耦合到所述直流通路上； 所述第二射频阻挡部设置在所述反应腔的底壁上的开口处，所述开口用于所述直流通路与直流电源连接；所述第二射频阻挡部用于阻止所述射频电流从所述开口泄漏至所述反应腔外部。
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