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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种超薄无缺陷ZIFs@GO复合膜、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116371213B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310335493.3，技术领域涉及：B01D69/12；该发明授权一种超薄无缺陷ZIFs@GO复合膜、制备方法及其应用是由张宁;李志颖;陈聪;鲍军江;贺高红设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超薄无缺陷ZIFs@GO复合膜、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：一种超薄无缺陷ZIFs@GO复合膜、制备方法及其应用，1采用改良Hummers法制备GO；2将GO沉积到聚合物基膜上制备GO复合膜；3将GO复合膜与ZIFs两种前驱体溶液通过界面反扩散法生长ZIFs配位聚合物，制备复合膜。本发明通过优化ZIFs合成条件并减少非选择性缺陷提高ZIFs膜的分离性能。反向扩散过程中，GO作为屏障使前躯体沿着片层间隙扩散并大幅减缓扩散速率，通过优化溶液中扩散的驱动力可精确匹配ZIFs结晶速率，有效减少ZIFs生长含量并降低晶间缺陷的生成。GO片层丰富含氧官能团为ZIFs的异相成核提供位点，特别是位于GO片层边缘及缺陷处，有效减少GO膜内非选择性缺陷；同时，纳米尺度的限制使得ZIFs异质外延生长可沿二维通道而不是垂直方向进行，有利于超薄晶体结构的形成，实现超薄无缺陷复合膜的制备。

本发明授权一种超薄无缺陷ZIFs@GO复合膜、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种超薄无缺陷ZIFs@GO复合膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 第一步：采用改良Hummers法制备GO 1.1将鳞片状石墨、硝酸钠缓慢注入浓硫酸中，冰水浴中搅拌0.5-3h后，再缓慢加入高锰酸钾，继续搅拌0.5-3h后，将温度升为35-70℃下继续反应0.5-2h； 1.2向上述反应体系中第一次加入去离子水，并将温度升为85-98℃下继续反应0.5-1.5h后，第二次加入去离子水，继续反应0.5-3h后，静置冷却至室温； 1.3向上述反应体系中加入过氧化氢除去过量的高锰酸钾，再用去离子水反复清洗、离心至所得上层清液呈中性；最后超声分散并干燥，得到GO； 第二步：制备GO复合膜 2.1室温下，将第一步所得GO加入溶剂A中，经过搅拌和超声得到均匀的GO分散液，配置成0.0005-2.0gL的分散液； 2.2将所得的GO分散液通过压滤方式使GO在聚合物基膜表面均匀堆叠，压力为1-10bar，保持0.5-2h，得到湿态GO复合膜，聚合物基膜表面的GO沉积量为0.5-10gm2，其中，GO堆叠结构的层间距为0.5-1.3nm； 2.3将湿态GO复合膜放于电热恒温干燥箱中静置，得到GO复合膜； 第三步：制备ZIFs@GO复合膜 3.1室温下，将金属盐加入到溶剂B中，经过搅拌分散形成均匀的金属盐溶液，配置成0.1-1.5gL的分散液；将有机配体加入到溶剂C中，经过搅拌分散形成均匀的有机配体溶液，配置成0.1-18gL的分散液； 3.2将第二步所得的GO复合膜作为界面，所述GO复合膜的GO层侧为有机配体溶液，基膜侧为金属盐溶液，采用反向扩散法在GO层的表层孔道内生长ZIFs，在25-50℃的温度下放置6-24h，得到湿态ZIFs@GO材料复合膜；所述的金属盐和有机配体的质量比为1:1-1:12； 3.3将ZIFs@GO复合膜放于电热恒温干燥箱中静置，即得到ZIFs@GO复合膜。

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