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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116403890B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111594481.X，技术领域涉及：H10W80/00；该发明授权封装方法是由刘清召;阎大勇;赵娅俊;刘敏;王阳设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本封装方法在说明书摘要公布了：一种封装方法，方法包括：提供第一晶圆；进行多次晶圆堆叠操作，晶圆堆叠操作包括：形成呈凸台状的第一待键合晶圆，包括基底部和凸出于基底部的凸起部，将凸起部面向第二待键合晶圆，并与第二待键合晶圆键合，形成堆叠晶圆；对第一待键合晶圆背面进行减薄处理，减薄处理厚度至少为第一基底部的厚度；在凸起部的表面形成第一介质层，第一介质层的拐角处呈弧形状；对凸起部的边缘区域和第二待键合晶圆的边缘区域进行第二修边处理，使第二修边处理后的剩余第二待键合晶圆呈凸台状，且第二修边处理后剩余的堆叠晶圆作为后一次晶圆堆叠处理的第一待键合晶圆。降低在第二待键合晶圆的表面留有残留物的概率，从而能够提高半导体结构的性能。

本发明授权封装方法在权利要求书中公布了：1.一种封装方法，其特征在于，包括： 提供第一晶圆； 进行多次晶圆堆叠操作，所述晶圆堆叠操作包括： 形成呈凸台状的第一待键合晶圆，包括基底部和凸出于所述基底部的凸起部，所述形成第一待键合晶圆包括：对所述第一晶圆正面的边缘区域进行第一修边处理，所述第一修边处理后剩余的所述第一晶圆作为第一待键合晶圆； 将所述凸起部面向第二待键合晶圆，并与所述第二待键合晶圆键合，形成堆叠晶圆； 在键合后，对所述第一待键合晶圆的背面进行减薄处理，所述减薄处理的厚度至少为所述基底部的厚度； 进行所述减薄处理之后，在所述凸起部的表面形成第一介质层，所述第一介质层的拐角处呈弧形状； 形成所述第一介质层之后，对所述凸起部的边缘区域和第二待键合晶圆的边缘区域进行第二修边处理，使所述第二修边处理后的剩余所述第二待键合晶圆呈凸台状，且所述第二修边处理后剩余的所述堆叠晶圆作为后一次晶圆堆叠处理的第一待键合晶圆。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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