滁州捷泰新能源科技有限公司毛卫平获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉滁州捷泰新能源科技有限公司申请的专利一种TOPCon电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116469945B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310470192.1，技术领域涉及：H10F77/1223；该发明授权一种TOPCon电池及其制备方法是由毛卫平;金竹;张明明;郭世成;范洵;付少剑;杨阳;叶风;潘利民设计研发完成，并于2023-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种TOPCon电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种TOPCon电池，包括：掺杂多晶硅层；掺杂多晶硅层包括：第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶合金硅区域；第一掺杂多晶硅区域选自磷掺杂的多晶硅；第二掺杂多晶合金硅区域选自氧、碳、氮中至少一种元素合金化的磷掺杂多晶硅；第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度不低于1E20cm‑3；第二掺杂多晶合金硅区域的禁带宽度大于第一掺杂多晶硅区域的禁带宽度，第二掺杂多晶合金硅区域的掺杂浓度小于第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度。本发明提供的TOPCon电池结构，既能保证金属接触区的掺杂多晶硅厚度，避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低复合电流和接触电阻；同时又能降低非金属区的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。
本发明授权一种TOPCon电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种TOPCon电池的制备方法，其特征在于，包括： 在单晶硅片下表面依次制备隧穿层和本征非晶硅层； 通过掩膜版遮挡，采用离子注入方式向TOPCon电池背面非金属接触区在本征非晶硅层对应的位置处注入离子元素，将本征非晶硅层转换成非晶合金硅层；所述离子元素选自氧、碳、氮中的至少一种； 对本征非晶硅层和非晶合金硅层进行磷扩散掺杂，将其由非晶态转化成结晶态；形成第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶合金硅区域，第一掺杂多晶硅区域对应背面金属接触区，第二掺杂多晶合金硅区域对应背面非金属接触区； 第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶合金硅区域的厚度一致，所述第二掺杂多晶合金硅区域的掺杂浓度小于第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人滁州捷泰新能源科技有限公司，其通讯地址为：239200 安徽省滁州市来安县汊河镇文山路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励