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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司申请的专利电流偏置电路、芯片及相应的电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116501127B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310484302.X，技术领域涉及：G05F3/26；该发明授权电流偏置电路、芯片及相应的电子装置是由侯佳力;原义栋;胡毅;赵天挺;李振国;王亚彬;苏萌;苏伟;宋海飞设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本电流偏置电路、芯片及相应的电子装置在说明书摘要公布了：本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种电流偏置电路、芯片及相应的电子装置，所述电路包括：P型MOSFET电流镜模块，所述P型MOSFET电流镜模块的第三端连接于P型快速启动模块，P型快速启动模块包括多个电容和多个开关；N型MOSFET电流镜模块，N型MOSFET电流镜模块的第三端连接于N型快速启动模块，N型快速启动模块包括多个电容和多个开关。该电路通过在包括共源共栅电流镜的电流偏置电路中加入多个电容，从而可以基于该多个电容之间的电荷分享的作用，将关键节点迅速建立到目标值附近，在加快了启动速度的同时也减小了电流过冲，并可以减小电路中的电阻。

本发明授权电流偏置电路、芯片及相应的电子装置在权利要求书中公布了：1.一种电流偏置电路，其特征在于，所述电流偏置电路包括： P型MOSFET电流镜模块，所述P型MOSFET电流镜模块的第一端连接于电源电压，第二端连接于第一偏置电压，第三端连接于P型快速启动模块，第四端经第一开关组输出P型偏置电流； 所述P型快速启动模块经第一控制开关连接于所述P型快速启动模块的第五端，包括多个电容和多个开关，所述P型快速启动模块用于通过所述多个电容和所述多个开关加速所述P型MOSFET电流镜模块的启动速度； N型MOSFET电流镜模块，所述N型MOSFET电流镜模块的第一端连接于接地端，第二端连接于第二偏置电压，第三端连接于N型快速启动模块，第四端经第二开关组输出N型偏置电流，第五端经第二控制开关连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第六端； 所述N型快速启动模块经所述第二控制开关连接于所述N型MOSFET电流镜模块的第五端，包括多个电容和多个开关，所述N型快速启动模块用于通过所述多个电容和所述多个开关加速所述N型MOSFET电流镜模块的启动速度； 其中，所述P型快速启动模块包括：第一电容、第二电容、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关和第六开关，其中：所述第一电容的第一端经第三开关连接于电源电压，经第二开关连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第三端，经第一开关连接于接地端；所述第一电容的第二端经第四开关连接于接地端，经第五开关和第六开关连接于接地端，经第五开关连接于所述第二电容的第一端，经第五开关和第一控制开关连接于所述P型快速启动模块的第五端；所述第二电容的第二端连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第三端； 在所述电流偏置电路启动时，所述第一开关、所述第三开关从闭合状态切换为断开状态，并在延迟第一预设时长之后，所述第四开关、所述第六开关从闭合状态切换为断开状态，同时所述第一控制开关、所述第二控制开关、所述第一开关组和所述第二开关组从断开状态切换为闭合状态，以及在延迟第二预设时长之后所述第二开关、第五开关从断开状态切换为闭合状态。

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