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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利反熔丝阵列结构、编程方法、读取方法和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008585B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310554224.6，技术领域涉及：H10W20/49；该发明授权反熔丝阵列结构、编程方法、读取方法和存储器是由廖淼设计研发完成，并于2023-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本反熔丝阵列结构、编程方法、读取方法和存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种反熔丝阵列结构、编程方法、读取方法和存储器，反熔丝阵列结构包括：位于基底上多个反熔丝集成单元；反熔丝集成单元包括：第一反熔丝单元和第二反熔丝单元；第一反熔丝单元包括第一选择晶体管和第一反熔丝器件；第二反熔丝单元包括第二选择晶体管和第二反熔丝器件；第一选择晶体管与第二选择晶体管共用第三掺杂区；字线沿第一方向延伸，每条字线与至少一行反熔丝集成单元中的第一选择晶体管的栅极和或第二选择晶体管的栅极连接；位线沿第二方向延伸，每条位线与同一列反熔丝集成单元中的第三掺杂区电连接；第一方向与第二方向相交。本公开实施例至少可以提高反熔丝阵列结构的性能和集成度。

本发明授权反熔丝阵列结构、编程方法、读取方法和存储器在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝阵列结构，其特征在于，包括： 基底，以及位于所述基底上呈阵列排布的多个反熔丝集成单元； 所述反熔丝集成单元包括：第一反熔丝单元和第二反熔丝单元；所述第一反熔丝单元包括第一选择晶体管和第一反熔丝器件，二者共用第一掺杂区；所述第二反熔丝单元包括第二选择晶体管和第二反熔丝器件，二者共用第二掺杂区；所述第一选择晶体管与所述第二选择晶体管共用第三掺杂区；所述第一反熔丝器件的编程电极、所述第一选择晶体管的栅极、所述第二选择晶体管的栅极和所述第二反熔丝器件的编程电极沿第一方向布置； 多条字线，沿第一方向延伸，每条字线与至少一行所述反熔丝集成单元中的所述第一选择晶体管的栅极和或第二选择晶体管的栅极连接； 多条位线，沿第二方向延伸，每条所述位线与同一列所述反熔丝集成单元中的第三掺杂区电连接；所述多条位线的延伸方向垂直于所述第一反熔丝器件的编程电极、所述第一选择晶体管的栅极、所述第二选择晶体管的栅极和所述第二反熔丝器件的编程电极的布置方向； 多条编程导线，沿所述第二方向延伸，每条所述编程导线与同一列所述反熔丝集成单元中的所述第一反熔丝器件的编程电极电连接，或与同一列所述反熔丝集成单元中的所述第二反熔丝器件的编程电极电连接； 所述第一方向与所述第二方向垂直。

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