湖北兴福电子材料股份有限公司许真获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北兴福电子材料股份有限公司申请的专利一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119685022B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411705957.6，技术领域涉及：C09K13/08；该发明授权一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液是由许真;张庭;贺兆波;李金航;武昊冉;董攀飞;蒲帅;杨翠翠;陈小超;陈麒;刘春丽设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液。该蚀刻液主要成分为氢氟酸、氟化铵、缓蚀剂以及超纯水。本发明的蚀刻液用于氧化硅薄膜的蚀刻，并对氮化钨层腐蚀作用小，蚀刻完成后氮化钨层表面均一性好。缓蚀剂有较强的配位能力和吸附性能，缓蚀剂与氮化钨表面发生化学吸附，形成一层保护膜，可阻止蚀刻液与氮化钨的进一步反应。本发明所述的蚀刻液对氧化硅层和氮化钨具有高选择性，蚀刻选择比可＞4000。本发明所述的蚀刻液可有效抑制氮化钨腐蚀，同时保证氧化硅蚀刻完成后氮化钨表面均一性。
本发明授权一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液在权利要求书中公布了：1.一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液，其特征在于，所述的蚀刻液成分为1-10%的氢氟酸、18-22%的氟化铵、0.02-0.2%的缓蚀剂，剩余为超纯水，所述缓蚀剂为选自2-氨基-4-氧代-3,4-二氢蝶啶-6-羧酸、蝶啶-4-醇、2-氨基-4-羟基蝶啶、2-氨基-4-羟基蝶啶-6-羧酸、2,4-二羟基蝶啶的至少一种。
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