乾元国家实验室开翠红获国家专利权
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龙图腾网获悉乾元国家实验室申请的专利固态微波功率器件的光电协同调控系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121751776B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610243442.1，技术领域涉及：H10F30/28；该发明授权固态微波功率器件的光电协同调控系统及方法是由开翠红;邵浩;封兆青;蔡云匆;李梦杰;刘文良;刘亮亮;杜学坤;贲建伟;郭静姝;杜百溪设计研发完成，并于2026-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本固态微波功率器件的光电协同调控系统及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种固态微波功率器件的光电协同调控系统及方法，涉及微电子技术领域，氮化镓高电子迁移率晶体管芯片用于在栅极电场调制下产生微波信号；紫外光源用于为向氮化镓高电子迁移率晶体管芯片发射紫外光，发射的光子能量小于势垒层的禁带宽度，且大于或等于沟道层与缓冲层的禁带宽度；控制单元用于同步控制紫外光源与氮化镓高电子迁移率晶体管芯片的工作时序，且紫外光源的工作脉冲宽度大于氮化镓高电子迁移率晶体管芯片的工作脉冲宽度。上述系统通过光场主动抑制缺陷态并增加沟道载流子，提升器件的动态电流能力，配合电场调控器件动态电流，最终实现固态微波功率器件输出功率密度的有效突破。
本发明授权固态微波功率器件的光电协同调控系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种固态微波功率器件的光电协同调控系统，其特征在于，包括： 氮化镓高电子迁移率晶体管芯片104，用于在栅极电场调制下产生微波信号； 紫外光源，用于为向所述氮化镓高电子迁移率晶体管芯片104发射紫外光，其中，所述紫外光源发射的光子能量小于所述氮化镓高电子迁移率晶体管芯片104的势垒层的禁带宽度，且大于或等于所述氮化镓高电子迁移率晶体管芯片104的沟道层与缓冲层的禁带宽度； 控制单元，用于同步控制所述紫外光源与所述氮化镓高电子迁移率晶体管芯片104的工作时序，且所述紫外光源的工作脉冲宽度大于所述氮化镓高电子迁移率晶体管芯片104的工作脉冲宽度； 所述氮化镓高电子迁移率晶体管芯片104的电极结构包括空气桥金属，所述空气桥金属对所述氮化镓高电子迁移率晶体管芯片104的工作区域的遮挡面积百分比为0%至60%。
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