中北大学邱海兵获国家专利权
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龙图腾网获悉中北大学申请的专利氮化镓/二硫化钼异质结光电探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121843260B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610304011.1，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权氮化镓/二硫化钼异质结光电探测器及制备方法是由邱海兵;李丰超;梁庭;余建刚;雷程;魏希设计研发完成，并于2026-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化镓/二硫化钼异质结光电探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种氮化镓二硫化钼异质结光电探测器及制备方法，属于光电探测器领域，光电探测器包括：氮化镓层，具有第一导电类型；钝化层，覆盖氮化镓层表面，具有露出氮化镓层的开孔区域；二硫化钼薄膜，被转移至钝化层表面，至少部分通过开孔区域与氮化镓层直接接触形成异质结；第一电极和第二电极，分别与氮化镓层和二硫化钼薄膜电连接。本申请通过二维材料和三维材料结合形成异质结，可有效提高器件性能；同时，二硫化钼薄膜直接被转移至钝化层表面，且通过开孔区域与氮化镓层直接接触，二硫化钼薄膜和氮化镓层之间不存在化学键连接，而通过范德华力结合，因此可有效解决二硫化钼薄膜和氮化镓层之间的晶格失配问题，有助于提升器件性能。
本发明授权氮化镓/二硫化钼异质结光电探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓二硫化钼异质结光电探测器，其特征在于，包括： 氮化镓层，具有第一导电类型； 钝化层，覆盖所述氮化镓层表面，所述钝化层具有露出所述氮化镓层的开孔区域； 二硫化钼薄膜，被转移至所述钝化层表面，所述二硫化钼薄膜的至少部分通过所述开孔区域与所述氮化镓层直接接触形成异质结； 第一电极和第二电极，分别与所述氮化镓层和所述二硫化钼薄膜电连接； 其中，所述二硫化钼薄膜包括位于所述开孔区域的第一部分，以及围设在所述第一部分外且与所述钝化层直接接触的第二部分。
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