聚源创富(深圳)半导体有限公司闫维静获国家专利权
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龙图腾网获悉聚源创富(深圳)半导体有限公司申请的专利半导体封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224234202U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520859195.9，技术领域涉及：H10W74/10；该实用新型半导体封装结构是由闫维静设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体封装结构，半导体封装结构包括引线架、第一MOS芯片和第二MOS芯片；第一MOS芯片的正面设有第一电极，第一MOS芯片的背面设有第二电极和第三电极；第一MOS芯片设置在基岛上，第一电极与基岛电连接；第二MOS芯片的正面设有第四电极，第一MOS芯片的背面设有第五电极和第六电极；第二MOS芯片叠放在第一MOS芯片上，第四电极与第二电极电连接；第一连接引脚与第二MOS芯片的第六电极电连接；第二连接引脚分别与第一MOS芯片的第三电极和第二MOS芯片的第五电极电连接，通过上下堆叠的方式对串联的第一MOS芯片和第二MOS芯片进行封装，有效减小第一MOS芯片和第二MOS芯片在半导体封装结构中的占用面积，有利于实现多MOS芯片封装的小型化。
本实用新型半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括引线架、第一MOS芯片和第二MOS芯片； 所述引线架包括基岛和设置在所述基岛外围的第一连接引脚、第二连接引脚和第三连接引脚；所述第三连接引脚与所述基岛电连接； 所述第一MOS芯片的正面设有第一电极，所述第一MOS芯片的背面设有第二电极和第三电极；所述第一MOS芯片设置在所述基岛上，所述第一电极与所述基岛电连接； 所述第二MOS芯片的正面设有第四电极，所述第一MOS芯片的背面设有第五电极和第六电极；所述第二MOS芯片叠放在所述第一MOS芯片上，所述第四电极与所述第二电极电连接； 所述第一连接引脚与所述第二MOS芯片的第六电极电连接；所述第二连接引脚分别与所述第一MOS芯片的所述第三电极和所述第二MOS芯片的所述第五电极电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人聚源创富(深圳)半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道金沙社区金雀路新能源汽车产业园1栋902；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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