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  • 本申请提供了一种电化学装置和电子装置。电化学装置包括正极极片、负极极片和隔离膜,正极极片包括正极集流体和设置在正极集流体的至少一个表面上的正极材料层,正极材料层包括正极活性材料;正极极片间隔设置有多个凸点,凸点的高度为Hμm,20≤H≤80...
  • 本发明属于电池的设计或制造领域,特别是涉及一种Z型连续折叠电芯、电池、用电设备及电芯制造方法。为了提升电芯的良品率和性能,本发明提出了一种Z型连续折叠电芯。Z型连续折叠电芯包括“Z”字型往复折叠的复合极片,复合极片具有至少两个平行的第一部分...
  • 本发明涉及微电网能量数据处理技术领域,具体为自适应型多能互补微电网的能量调度优化系统,该系统包括:微电网电力数据获取模块、发电设备故障评估模块、微电网电力调度平台和微电网数据库,其中,微电网电力数据获取模块用于获取微电网区域的计划发电数据和...
  • 本发明涉及太阳能光伏发电站技术领域,具体为一种自适应太阳能光伏发电站并网控制方法及系统,包括:获取第一区域的天气预报数据、光伏发电站的历史发电数据和实时发电数据;基于天气预报数据和历史发电数据训练输出功率预测模型,并利用实时发电数据对其进行...
  • 本发明公开了一种储能系统控制方法、控制器和储能系统,涉及储能系统技术领域,其中,储能系统控制方法包括:获取所述储能系统的当前负载功率和预设用电需量,并确定所述当前负载功率和预设用电需量的大小关系;确定储能系统当前所处的工作时段,所述工作时段...
  • 本发明公开了一种多设备快速充电装置,包括:MCU控制模块、MCU供电模块以及至少两路第一USB输出模块和第二USB输出模块;所述MCU控制模块分别与所述MCU供电模块、第一USB输出模块和第二USB输出模块电性连接;所述第一USB输出模块用...
  • 本申请提供一种转子轴、电机及车辆,包括转轴本体及引流芯,转轴本体一端设有进油口,转轴本体内设有沿轴向延伸的冷却油孔道,转轴本体的孔壁靠近进油口的一端设有第一出油口,转轴本体的孔壁远离进油口的一端设有第二出油口,引流芯位于冷却油孔道内,引流芯...
  • 本公开实施例中提供了一种电机转速的控制方法,包括:于预设周期内,通过电流采样点分别获取电机空闲时以及运行时的初始电流值与实际电流值,以得到预设周期内的实际电流变化值中的最大变化值以及最小变化值;分别基于实际电流变化值与最小变化值的差值、最大...
  • 本发明提供一种基于云平台的无纸化会议管理系统,涉及会议信息管理技术领域,本发明通过采集用户的瞳孔光反射速率和瞳孔适应时间等视觉参数,结合会议环境的亮度反差,生成动态光适配曲线;这些曲线通过云平台推送至会议设备,实现定制化的屏幕亮度调整;根据...
  • 本申请实施例公开了一种室内终端设备的报警提示方法、装置、终端设备及存储介质,用于在不改造终端设备硬件的前提下,提高终端设备定位的精度,在实现室内终端设备安全防护功能的同时,还可以提高用户的产品体验。本申请实施例方法包括:获取各个基站发射的第...
  • 本发明提供一种边缘云车联网中多队列任务分布式卸载方法、设备及介质,涉及通信技术领域,包括:将多个边缘服务器划分到至少一个边缘域,并在每个边缘域内部署一个智能体;智能体基于当前时隙的观测状态,包括车载终端的位置、待卸载任务量、通信状态、任务处...
  • 本发明公开了一种5QI非标准值的处理方法、装置、设备、介质及产品,所述方法包括:实时获取当前系统中使用的5QI值,并计算每一所述5QI值的频度;当检测到所述5QI值为非标准值或非预配置值时,根据每一所述5QI值的频度进行加权平滑平均,得到平...
  • 本申请实施例公开了一种射频功耗的处理方法及装置、设备、存储介质。本申请的技术方案中,终端设备首先检测当前的目标状态,目标状态用于指示终端设备的工作模式或者使用场景,工作模式包括省电模式或正常电量模式,使用场景包括待机场景或非待机场景,然后控...
  • 在实施例中,方法包括:在介电层中形成开口;用导电材料填充开口;以及对导电材料和介电层实施化学机械抛光工艺,化学机械抛光工艺包括浆料,浆料包括:磨料,磨料包括二氧化钛‑二氧化硅混合颗粒;以及氧化剂。本申请的实施例还涉及化学机械抛光浆料及其形成...
  • 一种半导体装置的制造方法,形成包括下部鳍状结构以及配置在下部鳍状结构上的上部鳍状结构的鳍状结构,其中上部鳍状结构包括交替堆栈的介电层与多层膜,每一个多层膜包括沟道层、第一保护层和第二保护层,且沟道层位于第一保护层与第二保护层之间。在上部鳍状...
  • 本申请的实施例提供了一种形成集成电路器件的方法和集成电路器件,其中该方法包括通过形成源极/漏极开口以形成包括纳米结构沟道、中介层和硬掩模结构的堆叠件。该方法还包括在堆叠件上形成牺牲栅极结构,并形成与牺牲栅极结构相邻的间隔件层。该方法还包括通...
  • 制造半导体器件的方法包括提供部分制造的半导体器件,该部分制造的半导体器件包括设置在半导体层堆叠件上方的伪栅极结构。在一些实施例中,该方法还包括去除伪栅极结构和半导体层堆叠件的每个半导体层的至少部分以形成沟槽。在一些示例中,该方法还包括在沟槽...
  • 集成电路器件包括沿行方向彼此相邻的第一和第二位电路、沿行方向相互相邻的第三和第四位电路以及沿列方向排列的第一列输出引脚。第一和第二位电路包括在行方向上延伸的第一至第四电源轨和第一至第六有源区,第三和第四位电路包括沿行方向延伸的第四电源轨道、...
  • 本公开的各个实施例针对包括位于衬底上方的互连结构的器件。接合结构位于互连结构上方。该接合结构包括设置在第一区域中的第一多个导电接合焊盘和设置在第二区域中的第二多个导电接合焊盘。第二区域与第一区域的至少一侧相邻。第一多个导电接合焊盘的第一节距...
  • 本申请实施例提供一种显示面板、显示面板的制备方法及电子设备,涉及显示技术领域。在显示面板中,触控走线和隔离结构由隔离结构层形成,同时在触控走线和基板中信号走线之间设置一屏蔽层,如此设计可以在触控走线与基板中信号走线的距离较近时,通过屏蔽层降...
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