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  • 本发明涉及照明音箱散热结构技术领域,尤其涉及便携式照明音箱散热结构,包括照明音箱本体;还包括有限位组件和散热组件,照明音箱本体的底端活动连接有限位组件,限位组件的后端设置有散热组件,限位组件包括支板,支板安装于照明音箱本体的底端,支板的内部...
  • 本申请实施例公开了一种跨端通道的建立方法、装置、电子设备、存储介质及产品,属于互联通信技术领域。所述方法应用于第一电子设备,所述方法包括:基于所述第一电子设备支持的多种设备发现能力获取至少一个被发现设备的设备标识,所述设备发现能力用于发现支...
  • 本发明特别涉及一种基于TDMA的分布式自组织网络动态资源管理方法。该基于TDMA的分布式自组织网络动态资源管理方法,采用时分多址资源复用方案,将TDMA子帧结构划分为广播子帧,控制子帧和数据子帧;采用分布式组网邻居节点间竞争控制子帧方案,相...
  • 本发明特别涉及一种基于ARM平台的自组网节点搜索优化方法。该基于ARM平台的自组网节点搜索优化方法,分布式网络广播子帧时频资源网格中,频域上占用6个RB,时域上占用1个子帧,每个RB包含12个子载波,每个子帧包含14个符号。每个子载波15K...
  • 本申请公开了一种网络感知测试方法、装置、电子设备及非易失性存储介质。其中,该方法包括:响应于业务测试指令,对移动终端对应的网络进行业务测试,其中,业务测试用于模拟用户在移动终端上的真实业务操作行为;获取在进行业务测试的过程中网络的关键质量指...
  • 本发明提供了一种拥塞控制方法、装置、控制设备、程序产品及介质,涉及通信技术领域,其中,该方法包括:获取组头节点对应的成员节点的第一信息,所述组头节点对应的成员节点包括:所述组头节点所属节点组中除所述组头节点之外的至少一个节点;根据所述第一信...
  • 本发明提供一种TDMA的收发同步校准方法,属于TDMA网络构建技术领域,TDMA正常工作的前提是完成定时同步,而定时同步的前提是完成终端收发通道的空口对齐,本发明以本地计数器作为参考,通过两个对等终端互连,选择两个固定事件作为测量起始与终止...
  • 本发明提供了一种多参数优化的WiFi定位方法,其特征在于:包括数据处理模块、定位模型训练模块和在线定位模块;所述定位模型训练模块包括分类模型和回归模型;所述分类模型包括RF和FNN两个神经网络,所述回归模型包括CNN神经网络;所述定位方法包...
  • 本发明提供一种应用于无线自组网中的小带宽场景的导频映射方法,属于无线自组织网络技术领域,本发明通过改变5MHz带宽场景中的vshift,以及2port传输时使用不同的导频序列,达到无论大带宽还是小带宽场景,在单port和2port传输的情况...
  • 本申请公开了高密度多层线路板,涉及印制电路板技术领域,包括:支撑基座、防护支撑架、多层PCB板、定位活动架、传动齿轮、复位拉簧和限位活动销;所述防护支撑架底部连接有两个支撑基座,支撑基座通过螺栓安装在机箱内;所述防护支撑架顶部连接有多层PC...
  • 本发明公开了一种线路板阻焊加工方法,包括以下步骤:对线路板表面进行等离子清洗并喷涂硅烷偶联剂;采用喷墨打印技术按预设图案喷涂紫外光固化型阻焊油墨;紫外预固化后通过激光修整阻焊层边缘,并进行阶梯式热固化;清洗残留物并喷涂防氧化涂层。本发明尤其...
  • 本发明涉及校验装置技术领域,具体地说,涉及一种电子信息中的通信模块功能校验装置及方法。其包括校验仪壳体,所述校验仪壳体的内部设置有框架,所述框架的两侧在校验仪壳体壳体的内部分别设置有散热组件和风冷机构;通过转动架在转动的同时带动卡柱沿着限位...
  • 本发明涉及一种冷却体装置(10),其具有用于通过粘合部固定电路板(33)的支承面(20),其特征在于,冷却体装置(10)具有限定附接部位(40),用于限定地附接松脱工具(50),以便从冷却体装置(10)上松脱电路板(33)。此外,本发明涉及...
  • 磁性随机存取存储器及其形成方法,存取器包括:堆叠结构,包括第一堆叠体,第一堆叠体包括交替堆叠的第一绝缘层和字线;通孔,贯穿第一堆叠体中,通孔包括第一通孔以及与其相贯通的横向凹槽,横向凹槽具有第一长度;磁隧道结,位于通孔的内壁,将与字线相接触...
  • 本发明公开了一种具有功率钳位功能的IGBT器件及其制作方法,IGBT器件包括P区、N型缓冲区、N‑漂移区、P型体区、N+区、P+区、正面沟槽栅结构、集电极金属和发射极金属;所述集电极金属连接有SBR沟槽栅结构,所述SBR沟槽栅结构用于在有大...
  • 本申请提供了一种半导体器件及其制作方法,该器件包括:N型衬底;覆盖N型衬底的正面的P型外延层,覆盖P型外延层的正面上的正面发射极金属区域;至少一栅极结构贯穿P型外延层;每一栅极结构包括SG区域,SG区域的两侧从内向外依次设置有厚氧化层、多晶...
  • 本发明公开一种基于半导体性碳纳米管薄膜的非制冷红外传感器及制备方法,所述局部底栅结构的非制冷红外传感包括源电极;栅绝缘层;衬底;栅电极;漏电极;半导体性碳纳米管薄膜。本发明采用共轭聚合物材料制备碳纳米管(CNTs),规避了现有技术的金属性碳...
  • 本发明属于太阳能电池技术领域,本发明提供了一种选择性钝化接触的异质结电池及其制备方法,所述制备方法包括先在硅衬底的至少一侧表面上形成图案化的局部接触部,局部接触部包括第一接触层以及由非晶硅基材料构成的第二接触层,然后在正面和背面制备钝化层与...
  • 本发明公开了一种片上波导集成硅化镁偏振分束型光电探测器的制备方法,属于光电探测器技术领域,本发明的制备方法为:刻蚀双层SOI基片形成定向耦合器形状;沉积二氧化硅至与顶层硅层平齐;部分刻蚀二氧化硅至上层二氧化硅埋氧层顶部,暴露出顶层硅层一侧端...
  • 本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法,涉及太阳能电池技术领域。太阳能电池包括硅基衬底;硅基衬底的背面包括第一区、第二区和位于第一区与第二区之间的隔离区;分别位于第一区和第二区的半导体结构;第一区的半导体结构包括至少一个第一半导体结构和位于...
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