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  • 本申请涉及一种具有集成冷却单元的多堆叠存储器系统。一种多堆叠存储器系统可以包含第一存储器装置, 所述第一存储器装置包括第一逻辑裸片和第一存储器裸片堆叠。所述多堆叠存储器系统可以包含第二存储器装置, 所述第二存储器装置包括第二逻辑裸片和第二存...
  • 一种半导体器件, 包括:衬底;具有第一表面和第二表面的裸片, 其中, 所述裸片嵌入所述衬底中;第一散热器, 其布置在所述衬底的第一表面处;以及第二散热器, 其布置在所述衬底的第二表面处, 其中, 所述衬底包括导热结构和热隔离结构, 所述导热...
  • 本发明提供一种多材质异构集成射频微模组及高功率多通道TR组件, 涉及半导体技术领域。该多材质异构集成射频微模组, 包括:SiC介质基板、混合三维堆叠结构及芯片;混合三维堆叠结构由至少两层半导体介质基板堆叠形成;混合三维堆叠结构的下表面与Si...
  • 本发明属于收发组件技术领域, 公开了一种基于HTCC工艺的小型通用化收发模块, 该装置包括:盖板1、芯片腔体层2、芯片粘接层3、HTCC基板4和PCB基板5;所述HTCC基板4、芯片粘接层3、芯片腔体层2为一个整体, 通过HTCC基板4的焊...
  • 本公开提供了一种半导体结构及封装结构, 涉及半导体技术领域。该半导体结构包括:基板;芯片组, 包括多个芯片, 多个所述芯片堆叠于所述基板上;封装层, 位于所述基板上, 且覆盖所述芯片组;散热件, 所述散热件设置于相邻两个所述芯片之间, 所述...
  • 本申请提供一种散热器、散热结构及芯片模组。散热器包括单向震动组件和导热件, 导热件的一侧用于和发热件连接, 单向震动组件连接于导热件背离发热件的一侧, 其中, 单向震动组件和导热件之间具有腔体, 腔体用于容纳冷却介质;单向震动组件用于带动腔...
  • 本发明公开了一种半导体器件, 该半导体器件包括:半导体芯片, 包括半导体集成电路;冷却块, 包括第一喷淋块和堆叠在第一喷淋块上的第二喷淋块, 使得第一喷淋块和第二喷淋块限定腔, 所述至少一个半导体芯片容纳在腔中;以及印刷电路板, 其中所述至...
  • 本发明提供使沿着制冷剂的流通方向的发热体的温度均匀化的冷却器和半导体模块。冷却器具备:顶板部, 其具有面向制冷剂的流路的第1面, 在第1面的背面配置有发热体;底板部, 其具有与顶板部的第1面相对的第2面;多个散热片, 其配置在顶板部的第1面...
  • 本发明提供一种双层微针翅歧管微通道热沉, 涉及冷却用微通道热沉设计的技术领域;所述双层微针翅歧管微通道热沉, 包括:下微通道层, 上微通道层, 出口层以及进口层。整体结构从上到下分别为进口层, 出口层, 上微通道层和下微通道层, 上下微通道...
  • 本申请实施例提供了一种基片键合互连结构、芯片、芯片系统及通信装置。其中, 该基片键合互连结构包括底板、电路板、MMIC芯片和基片;电路板和MMIC芯片平铺设置在底板表面上, 且电路板和MMIC芯片之间通过基片键合连接;其中, 电路板远离底板...
  • 本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法, 其中, 半导体结构包括:第一介质层, 以及位于第一介质层内的第一金属层, 第一介质层未覆盖第一金属层的顶面;自组装单层, 覆盖第一金属层的部分顶面;第二介质层, 位于第一介质层上并覆盖自组装单...
  • 本申请涉及领域半导体领域, 具体公开一种功率模块及其应用。该功率模块包括封装框架和电路基板, 电路基板的一侧表面设有间隔排布的第一逆变电路、第二逆变电路、PFC功率电路和整流桥;整流桥所在区域设有第一固定件, 驱动侧框架设有第一加强件, 第...
  • 一种半导体封装件, 包括半导体衬底、多个接触焊盘、种子层、金属支撑体以及模制封装件。半导体衬底的厚度为15微米至35微米。金属支撑体的厚度至少为30微米。一种方法, 包括以下步骤:提供器件晶圆;连接载体;应用减薄工艺;形成种子层;形成多个金...
  • 本公开提供一种核心层多层布线的封装基板及制作方法。具体地, 通过在核心层的第一介质层和第二介质层之间设置第一线路层, 在第四介质层的表面设置第二线路层, 利用贯穿所述核心层的通孔柱导通连接所述第一线路层和所述第二线路层, 从而在核心层内部形...
  • 本申请实施例提供了一种功率模块以及相关设备, 包括沿第一方向依次设置的功率框架、基板、驱动框架, 及封装这些器件的封装体;沿第二方向, 基板设有第一逆变部对应的第一焊盘区域及第二逆变部对应的第二焊盘区域;第一焊盘区域中不同第一子焊盘区域之间...
  • 本发明涉及半导体封装结构领域, 尤其涉及一种封装基板框架及制造方法。一种封装基板框架的制造方法包括:选择合适厚度的芯板, 在芯板上加工通孔;采用塞树脂机向芯板的通孔塞入金属浆料, 烧结, 通孔内形成导电柱;将导电柱凸出于芯板表面的部分铲平;...
  • 本公开涉及电路晶体管漏极和源极互连下的无偏置器件。电子电路包括多个场效应晶体管(FET)。所述多个FET包括具有连接到电路的漏极和源极区域的多个电路晶体管、以及具有未连接和浮动的漏极、源极和栅极区域的多个浮动晶体管。多个电路晶体管与多个浮动...
  • 一种集成电路(1), 包括:形成至少四个修复链(A、B、C、D)的多个互连(2), 每个修复链(A、B、C、D)包括:用于提供信号路径(3)的多个主互连(21), 备用互连(22), 以及被配置用于偏移每个修复链内的信号路径(3)的电路(4...
  • 本发明公开了一种高过载高可靠性高压触发开关器件及其制备方法, 属于电子器件技术领域, 采用陶瓷封装的形式将多个高压触发半导体芯片封装在密闭管壳内, 多个高压触发半导体芯片利用陶瓷转接板与陶瓷管壳基板焊盘通过倒装焊接方式进行并联互连, 倒装焊...
  • 本发明提供一种电子装置以及其制造方法。电子装置包含基板、通孔、电路结构、至少一电子单元以及至少一记号。基板具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。通孔贯穿基板, 且通孔的侧壁连接第一表面以及第二表面。电路结构设置于基板上。至少一电子单元设...
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