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最新专利技术
  • 腐蚀箔及其制备方法
    腐蚀箔及其制备方法_南通海星电子股份有限公司_202511395983.8
    本公开提供腐蚀箔及其制备方法，制备方法包括：将铝箔在含有锌离子的第一碱溶液中进行第一处理；在第一处理之后，对铝箔进行第一蚀刻，以形成主隧道；在含有铜离子的蚀刻溶液中对铝箔进行第二蚀刻，以在主隧道上形成分支隧道。通过采用添加锌离子和铜离子的多...
    2026-03-19
  • 一种由锂电三元混合废料制备富镍单晶正极材料的方法
    一种由锂电三元混合废料制备富镍单晶正极材料的方法_中国科学院青海盐湖研究所_202511020717.7
    本发明公开了一种由锂电三元混合废料制备富镍单晶正极材料的方法。所述方法包括：对NCM523混合废料进行预处理，获得预处理废料；对所述预处理废料进行湿法研磨处理，获得研磨处理废料；将所述研磨处理废料与镍盐、钴盐、锂盐混合进行一次烧结处理，制得...
    2026-03-19
  • 一种多元掺杂的能谱级FAPbBr3单晶及其制备方法
    一种多元掺杂的能谱级FAPbBr3单晶及其制备方法_华中科技大学_202510974730.X
    本发明公开了一种多元掺杂的能谱级FAPbBr3单晶及其制备方法。该多元掺杂的能谱级FAPbBr3单晶的制备方法，包括以下步骤：将甲脒源、铅源、镉源、钡源、溴源、氯源、碘源和有机溶剂混合反应，得到前驱体溶液；将前驱体溶液过滤，随后加入晶种，密...
    2026-03-19
  • 一种碲锌镉单晶VGF生长装置的热电偶固定结构
    一种碲锌镉单晶VGF生长装置的热电偶固定结构_浙江柚芯微电子有限公司_202510872031.4
    本发明涉及碲锌镉单晶长晶工艺技术领域，具体涉及一种碲锌镉单晶VGF生长装置的测温热电偶固定结构，包括：石英管沿竖直方向设置在长晶坩埚与炉膛的内壁之间的位置；通过测温石英管上小孔实现沿高度方向固定测温热电偶，竖直方向、水平方向(角度)可放置多...
    2026-03-19
  • 布里奇曼晶体生长炉及晶体生长方法
    布里奇曼晶体生长炉及晶体生长方法_深圳大学_202510945680.2
    本发明涉及晶体生长技术领域，公开了一种布里奇曼晶体生长炉及晶体生长方法，布里奇曼晶体生长炉包括加热炉和保温稳定装置；所述加热炉内设有结晶腔，所述结晶腔为圆柱形腔，所述保温稳定装置设在所述结晶腔内的一端，所述保温稳定装置为圆管形，所述保温稳定...
    2026-03-19
  • 一种碘化钠晶体的生长装置及晶体生长方法
    一种碘化钠晶体的生长装置及晶体生长方法_扬州佰烁晶体科技有限公司_202511009586.2
    本发明公开了一种碘化钠晶体的生长装置及晶体生长方法，涉及晶体生长技术领域，具体的碘化钠晶体的生长装置包括真空装置、晶体炉、加热装置、保温装置和坩埚，其中加热装置包括主加热器、上加热器和下加热器，从单温区修改为多温区，在晶体生长的过程中，根据...
    2026-03-19
  • 一种氟化炉用热场结构
    一种氟化炉用热场结构_上海汉虹精密机械有限公司_202511196066.7
    本发明涉及机械技术领域。一种氟化炉用热场结构，包括保温结构、加热器结构以及坩埚结构，保温结构包括内外设置的石墨层以及保温毡外层；石墨层内设置有用于容纳加热器结构以及坩埚结构的宝塔状的空腔；保温结构的底部开设有上下贯穿的第一通孔；加热器结构包...
    2026-03-19
  • 单晶炉及电池片加工系统
    单晶炉及电池片加工系统_双良硅材料(包头)有限公司_202410484842.2
    本申请公开了一种单晶炉及电池片加工系统，属于单晶炉领域。该单晶炉包括：炉体、加料筒、连接杆、隔离管以及封堵件；加料筒设置于炉体中，加料筒具有相对的第一开口和第二开口，封堵件设置于第二开口，且封堵件封堵第二开口，隔离管位于加料筒中，至少部分连...
    2026-03-19
  • 一种单晶炉液面温度监测辅助设备
    一种单晶炉液面温度监测辅助设备_云南嘉泰来新材料有限公司_202511041229.4
    本发明涉及温度监测设备技术领域，具体涉及一种单晶炉液面温度监测辅助设备，包括观察窗和红外测温仪，观察窗为筒状结构且与炉体内部连通，炉体安装于底座上，炉体内部安装有坩埚，红外测温仪底部朝向坩埚顶部开口处，还包括安装套管、固定环、玻璃元件、快拆...
    2026-03-19
  • 一种生长立方碳化硅单晶的方法与装置
    一种生长立方碳化硅单晶的方法与装置_北京晶格领域半导体有限公司_202511383464.X
    本发明涉及一种生长立方碳化硅单晶的方法与装置，属于碳化硅单晶生产技术领域。所述方法采用的装置包括籽晶托和籽晶，籽晶托的一面设有多组沿籽晶托径向分布的温控组件，籽晶固定于籽晶托设有温控组件的一面；所述方法为：将生长原料加热熔融，得到高温熔体，...
    2026-03-19
  • 一种碳化硅晶体的生长坩埚、生长装置及生长方法
    一种碳化硅晶体的生长坩埚、生长装置及生长方法_西安华合德新材料科技有限公司_202511384535.8
    本申请涉及碳化硅晶体生长技术领域，具体提供一种碳化硅晶体的生长坩埚、生长装置及生长方法，所述生长坩埚包括本体部、盖合部和导流部；其中，导流部设于本体部与盖合部之间；导流部为环状结构，导流部包括相对设置的第一表面和第二表面以及连通第一表面和第...
    2026-03-19
  • 一种线性驱动方式带动束源炉挡板转动开关的装置
    一种线性驱动方式带动束源炉挡板转动开关的装置_中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司_202511009613.6
    本发明属于分子束源炉挡板技术领域，具体地说是一种线性驱动方式带动束源炉挡板转动开关的装置，法兰盘的两侧分别为大气侧及真空侧，压缩波纹管的一端与法兰盘大气侧表面固接、另一端为自由端，直线运动气缸固定在法兰盘大气侧表面上，传递杆能够相对移动地穿...
    2026-03-19
  • 适用于超高真空、快速响应、切向摆动的电动束源炉挡板
    适用于超高真空、快速响应、切向摆动的电动束源炉挡板_中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司_202511033905.3
    本发明属于分子束源炉技术领域，具体地说是一种适用于超高真空、快速响应、切向摆动的电动束源炉挡板，包括安装于大气环境一侧的源炉挡板驱动组件和源炉挡板动作传递组件，以及安装于真空环境一侧的源炉挡板动作组件, 源炉挡板驱动组件和源炉挡板动作传递组...
    2026-03-19
  • 一种分子束外延设备用高温源炉
    一种分子束外延设备用高温源炉_中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司_202511073254.0
    本发明属于分子束外延设备技术领域，具体地说是一种分子束外延设备用高温源炉，加热装配组件安装于支撑座的一侧，支撑座的另一侧与电极法兰座相连；坩埚安装在加热装配组件中，调节钨杆的一端穿过加热装配组件与坩埚抵接、另一端与支撑座上转动安装的调节偏心...
    2026-03-19
  • 一种基于单晶金刚石横向生长的等离子化学气相沉积系统
    一种基于单晶金刚石横向生长的等离子化学气相沉积系统_杭州超然金刚石有限公司_202511087244.2
    本发明公开了一种基于单晶金刚石横向生长的等离子化学气相沉积系统，涉及金刚石生产技术领域。包括：等离子反应腔，用于产生等离子体球；基台腔，与所述等离子反应腔相连通；基台腔内设置有基台，基台腔的内壁于第一高度设置有柔性薄膜，所述柔性薄膜的中部密...
    2026-03-19
  • 一种基于柔性薄膜的单晶金刚石横向生长辅助装置
    一种基于柔性薄膜的单晶金刚石横向生长辅助装置_杭州超然金刚石有限公司_202511087509.9
    本发明公开了一种基于柔性薄膜的单晶金刚石横向生长辅助装置，涉及金刚石生产技术领域。包括：等离子反应腔，用于产生等离子体球；基台腔，与所述等离子反应腔相连通；基台腔内设置有基台，基台腔的内壁于第一高度设置有柔性薄膜，所述柔性薄膜的中部密封连接...
    2026-03-19
  • 导气装置、加工设备和镀膜方法
    导气装置、加工设备和镀膜方法_中晟半导体(上海)有限公司_202511078733.1
    本申请提供一种导气装置、加工设备和镀膜方法，涉及半导体加工装置领域。该导气装置包括第一导气部、隔离壁和至少一个第二导气部；第一导气部和第二导气部匀具有进气通道、出气通道和具有匀气孔的匀气壁；匀气孔连通进气通道和出气通道，并配置为将进气通道中...
    2026-03-19
  • 外延晶圆以及外延晶圆的制造方法和装置
    外延晶圆以及外延晶圆的制造方法和装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510775793.2
    本公开提供了一种外延晶圆以及外延晶圆的制造方法和装置，该制造方法包括：提供一衬底晶圆并置于外延沉积腔室的基座上；在外延生长过程中，向外延沉积腔室通入生长气体以在衬底晶圆表面生长外延层而得到外延晶圆；其中，至少在外延生长过程中的气相沉积阶段，...
    2026-03-19
  • 一种量子级联激光器超高应变材料组分、厚度控制方法
    一种量子级联激光器超高应变材料组分、厚度控制方法_山东华光光电子股份有限公司_202510817686.1
    本申请提供的一种量子级联激光器超高应变材料组分、厚度控制方法涉及半导体激光器技术领域。该控制方法基于应变补偿的标定方法，通过构建厚度相同的第一超晶格层和第二超晶格层，并形成应变平衡超晶格，保证整个外延层相对于衬底无应变，不仅解决了大应变材料...
    2026-03-19
  • 一种亚纳米图案化衬底辅助MPCVD金刚石异质外延系统及方法
    一种亚纳米图案化衬底辅助MPCVD金刚石异质外延系统及方法_哈尔滨工业大学_202511026145.3
    本发明公开了一种亚纳米图案化衬底辅助MPCVD金刚石异质外延系统及方法。该方法包括：获取MPCVD反应腔体内的微波功率、光谱数据以及表面预先设置亚纳米图案的异质衬底的表面温度数据；根据光谱数据确定当前反应阶段并计算当前气体比例，另外生成对应...
    2026-03-19
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