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最新专利技术
  • 发光元件及发光器件
    发光元件及发光器件_苏州立琻光电科技有限公司_202410485158.6
    本申请实施例涉及一种发光元件及发光器件。发光元件包括：衬底；外延层，位于衬底上，包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；外延层包括多个阵列排布的像素单元区，各像素单元区包括第一子像元区、第二子像元区、第三子像元区和虚设结构区，分布于...
    2025-12-01
  • 纳米线显示器件及显示装置
    纳米线显示器件及显示装置_青岛歌尔视显科技有限公司_202510854470.2
    本发明公开了一种纳米线显示器件及显示装置，涉及微显示技术领域，其中该纳米线显示器件包括基底以及设于基底上的多个像素单元；每一像素单元包括多个纳米线发光结构，不同像素单元的多个纳米线发光结构用于发出相同或不同颜色的光；沿纳米线显示器件的中心至...
    2025-12-01
  • 发光组件、发光基板及其制备方法、显示装置
    发光组件、发光基板及其制备方法、显示装置_京东方晶芯科技有限公司_202410502006.2
    本公开的实施例提供了一种发光组件、发光基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，以改善显示画面闪烁的问题，提升显示效果。发光组件包括第一基板、发光器件、驱动电路层和第一焊盘。发光器件设置于第一基板的一侧；发光器件包括第一电极和第二电极。...
    2025-12-01
  • 显示面板及其加工方法
    显示面板及其加工方法_成都辰显光电有限公司_202410461309.4
    本申请提供一种显示面板及其加工方法，涉及显示技术领域，显示面板包括驱动层，以及设置在驱动层上的第一键合层、外接层及标记层；沿驱动层的厚度方向，第一键合层位于外接层和驱动层之间；第一键合层上设有第一开口，外接层上设有第二开口；显示面板还包括填...
    2025-12-01
  • 显示面板和显示系统
    显示面板和显示系统_成都辰显光电有限公司_202410503016.8
    本申请提供一种显示面板和显示系统，涉及显示技术领域，显示面板包括基底，以及设置在基底上的发光体、第一导电层、第二导电层、第一外引件以及第二外引件；第一导电层和第二导电层的材料不同；第一导电层和第二导电层形成第一接触处，并在第一接触处与发光体...
    2025-12-01
  • 灯珠支架及LED灯珠
    灯珠支架及LED灯珠_江西省兆驰光电有限公司_202511222864.2
    本发明公开了一种灯珠支架及LED灯珠，所述灯珠支架包括支架本体和设于所述支架本体上的多个杯状结构，多个所述杯状结构的开口方向朝向不同；所述支架本体包括包封树脂体和沿第一方向间隔设置的多个金属支架，每个所述金属支架包括沿第二方向设置的第一平台...
    2025-12-01
  • 一种LED封装模组及其制造方法
    一种LED封装模组及其制造方法_罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司_202511348696.1
    本发明公开的一种LED封装模组及其制造方法，该LED封装模组利用导电片层的第二表面来实现光的反射，增强LED芯片出光的光利用率。同时，导电片层可以提高散热，且利用导电片层的图形化实现LED芯片的两电极的隔离性，且在第一间隔位置，导电片层还具...
    2025-12-01
  • 太阳能电池、其制备方法、光伏组件和光伏系统
    太阳能电池、其制备方法、光伏组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511020015.9
    本申请公开了一种太阳能电池、其制备方法、光伏组件和光伏系统。该太阳能电池包括：空穴传输层、电子传输层和光敏层，光敏层位于空穴传输层与电子传输层之间，空穴传输层的材料包括NiOx，且空穴传输层掺杂有金属离子，金属离子包括铝离子、镓离子和铟离子...
    2025-12-01
  • 一种基于C8-BTBT/4H-SiC异质结的自驱动光电探测器及其制备方法
    一种基于C8-BTBT/4H-SiC异质结的自驱动光电探测器及其制备方法_浙江大学_202511049408.2
    本发明公开了一种基于C8‑BTBT/4H‑SiC异质结的自驱动光电探测器及其制备方法，该自驱动光电探测器，从下到上依次包括背电极、无机功能层、有机功能层和顶电极，其中：无机功能层为4H‑SiC衬底，和位于4H‑SiC衬底上的n型掺杂的4H‑...
    2025-12-01
  • 一种含可调节交联特性交联剂的柔性有机太阳能电池及其制备方法
    一种含可调节交联特性交联剂的柔性有机太阳能电池及其制备方法_浙江工业大学_202510780555.0
    本发明属于柔性太阳能电池技术领域，涉及一种含可调节交联特性交联剂的柔性有机太阳能电池及其制备方法。本发明公开了一种含可调节交联特性交联剂的柔性有机太阳能电池，所述柔性有机太阳能电池自下而上依次包括：基底、阳电极、空穴传输层、活性层、电子传输...
    2025-12-01
  • 一种基于共价有机骨架的高性能钙钛矿X射线探测器及其制备方法
    一种基于共价有机骨架的高性能钙钛矿X射线探测器及其制备方法_徐州钛柯测技术研究有限公司_202511012798.6
    本发明公开了一种基于共价有机骨架的高性能钙钛矿X射线探测器及其制备方法，该探测器的结构中含有COFs@钙钛矿复合薄膜吸收层，所述COFs@钙钛矿复合薄膜吸收层由钙钛矿的前驱体、有机溶剂、COFs材料混合构成。制备方法：先制备电子传输层，然后...
    2025-12-01
  • 一种耐低温光伏电池及其制备方法
    一种耐低温光伏电池及其制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202410544556.0
    本发明公开了一种耐低温光伏电池及其制备方法。所述耐低温光伏电池包括依次设置的第一电极、第一界面传输层、有机活性层、第二界面传输层和第二电极，所述有机活性层中均匀分布有掺杂材料，包括线性三嵌共聚物、聚氨酯类弹性体、乙烯‑醋酸乙烯共聚物、聚偏二...
    2025-12-01
  • 光电器件及其制备方法
    光电器件及其制备方法_天合光能股份有限公司_202510975323.0
    本申请涉及光电技术领域，特别是涉及一种光电器件及其制备方法，以提高光电器件的效率和稳定性。一种光电器件，包括：层叠设置的第一电极、钙钛矿层和第二电极，以及设置于第一电极和钙钛矿层之间的电子传输层和缓冲层，电子传输层相比于缓冲层更靠近钙钛矿层...
    2025-12-01
  • 一种效率显著提升的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种效率显著提升的钙钛矿太阳能电池及其制备方法_西南石油大学_202510975858.8
    本发明公开了一种效率显著提升的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，使用具有强电子受体的有机分子材料1, 4, 5, 8‑四氟萘‑2, 3‑二腈来修饰钙钛矿吸光层/空穴传输层的界面。通过测试表明，适量1, 4, 5, 8‑四氟萘‑2, 3‑二腈修饰...
    2025-12-01
  • 钙钛矿复合膜、钙钛矿电池及其制备方法与光伏器件
    钙钛矿复合膜、钙钛矿电池及其制备方法与光伏器件_天合光能股份有限公司_202511190676.6
    本申请涉及一种钙钛矿复合膜、钙钛矿电池及其制备方法与光伏器件。钙钛矿复合膜包括钙钛矿吸光层和设于钙钛矿吸光层至少一表面的钝化膜层，钝化膜层包括过渡金属碘化物、铟碘化物和锶碘化物中的至少一种。钙钛矿复合膜中的特定钝化膜层有利于减少钙钛矿吸光层...
    2025-12-01
  • 钙钛矿光电二极管和图像传感器以及电子设备
    钙钛矿光电二极管和图像传感器以及电子设备_三星电子株式会社_202510554998.8
    公开钙钛矿光电二极管和图像传感器以及电子设备。所述钙钛矿光电二极管包括第一电极和第二电极、在第一电极与第二电极之间并且包括由化学式1表示的无Pb钙钛矿的钙钛矿光电转换层、以及在第一电极与钙钛矿光电转换层之间并且包括由化学式2表示的有机化合物...
    2025-12-01
  • 一种PbS量子点双色光电探测器及其制备方法和应用
    一种PbS量子点双色光电探测器及其制备方法和应用_复旦大学_202510789921.9
    本发明涉及一种PbS量子点双色光电探测器及其制备方法和应用，所述PbS量子点双色光电探测器，包括从下至上的底电极、底层空穴传输层、SWIR吸收层、电子传输层、NIR吸收层、顶层空穴传输层和顶电极层；所述SWIR吸收层为PbS‑Ⅱ层，所述Pb...
    2025-12-01
  • 基于有机无机杂化异质结的紫外光电探测器及其制备方法
    基于有机无机杂化异质结的紫外光电探测器及其制备方法_安徽大学_202511032780.2
    本发明公开了基于有机无机杂化异质结的紫外光电探测器及其制备方法，属于半导体光电器件技术领域，探测器从下至上包括第一电极、S iC衬底层、p型层、第二电极，采用一步法旋涂技术，在S i C基底上制备有机薄膜即p型层，从而构建垂直结构的异质结。...
    2025-12-01
  • 一种基于异质结的双极突触晶体管及其制备方法
    一种基于异质结的双极突触晶体管及其制备方法_南京邮电大学_202511095236.2
    本发明公开了一种基于异质结的双极突触晶体管及其制备方法，所述基于异质结的双极突触晶体管包括栅极层、位于所述栅极层表面的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层表面的电荷存储层，位于所述电荷存储层表面的半导体层，位于所述半导体层表面的漏电极和源电极。电荷存...
    2025-12-01
  • 一种有机光电化学突触晶体管及其制备方法、调控方法
    一种有机光电化学突触晶体管及其制备方法、调控方法_中山大学_202510940116.1
    本发明提供一种有机光电化学突触晶体管及其制备方法、调控方法，属于晶体管技术领域，所述的晶体管包括基底、栅电极、源电极、漏电极、有机半导体沟道层和电解质层，本发明通过简单高效制备工艺在单个突触晶体管器件上即可实现多种突触可塑性功能；具有简单高...
    2025-12-01
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