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最新专利技术
  • 一种合金相真空蒸镀锂膜的方法
    一种合金相真空蒸镀锂膜的方法_北京健联医疗科技有限公司_202511747863.X
    本发明公开了一种合金相真空蒸镀锂膜的方法，涉及核医学放射治疗技术领域，该方法针对传统金属锂蒸镀中易氧化、受热喷溅导致锂膜均匀性和致密性差的问题，通过将金属锂用金属锡箔包裹并碾轧紧实形成锂‑锡复合体，经真空环境准备后，程序升温使锂与锡反应形成...
    2026-01-14
  • 一种激光反射镜蒸发式镀膜装置及使用方法
    一种激光反射镜蒸发式镀膜装置及使用方法_江苏盛益光电有限责任公司_202511364908.5
    本发明涉及光学镜片镀膜加工技术领域，具体涉及一种激光反射镜蒸发式镀膜装置及使用方法，包括安装架、安装架底部设置的多个安装框，以及安装框内安装的对反射镜进行夹紧的夹紧模块，所述夹紧模块包括外环、外环内设置的中轴线重合的内环、内环外周面和外环内...
    2026-01-14
  • 一种成膜均匀的光学镀膜装置
    一种成膜均匀的光学镀膜装置_杭州鑫铂光学材料有限公司_202511375726.8
    本发明涉及镀膜领域，其公开了一种成膜均匀的光学镀膜装置，包括镀膜室及可拆卸设置在镀膜室内的基片架组件，基片架组件包括下安装盘，下安装盘的表面均匀阵列设置有若干个安装孔，每个安装孔内均同轴设置有安装环，每个安装环内均设置有夹持组件，夹持组件包...
    2026-01-14
  • 调节组件、镀膜装置、位置调节方法
    调节组件、镀膜装置、位置调节方法_四川九天真空科技有限公司_202511448103.9
    本申请提供一种调节组件、镀膜装置、位置调节方法，涉及材料镀膜技术领域。调节组件包括：第一调节机构和第二调节机构；其中，第一调节机构设置在第二调节机构的第一端，第二调节机构的第二端连接外部的材料；第一调节机构用于控制第二调节机构和材料在平行于...
    2026-01-14
  • 一种低温等离子真空镀膜设备及方法
    一种低温等离子真空镀膜设备及方法_惠州鑫途纳米科技有限公司_202511649947.X
    本发明涉及镀膜设备技术领域，公开了一种低温等离子真空镀膜设备，包括镀膜组件和辅助降温组件，同时公开了一种低温等离子真空镀膜设备的使用方法，包括如下步骤：步骤一：设备检查与参数预设、步骤二：工件装载密封、步骤三：镀膜准备、步骤四：镀膜与气流辅...
    2026-01-14
  • 偏压装置
    偏压装置_无锡尚积半导体科技股份有限公司_202511784957.4
    本发明提供一种偏压装置，包括：载台主体；载台，设置在载台主体上；所述载台主体和载台能够升降；绝缘导热盘，设置在载台上，绝缘导热盘的上表面用于承载晶圆；在载台主体、载台和绝缘导热盘中对应设有顶针孔；绝缘顶针，穿设在载台主体、载台和绝缘导热盘中...
    2026-01-14
  • 一种空间型磁场组件、环形旋转阴极和磁控溅射镀膜设备
    一种空间型磁场组件、环形旋转阴极和磁控溅射镀膜设备_安徽华远装备科技有限公司_202511320174.0
    本发明涉及磁控溅射设备技术领域，具体涉及一种空间型磁场组件、环形旋转阴极和磁控溅射镀膜设备，通过磁铁基体至少分设有四条，并采用紧邻冷却管道内圈的空间布局，在磁铁基体的两端端部做出以下的至少一种调整，使得磁铁基体端部区域的磁场强度呈非均匀性梯...
    2026-01-14
  • 一种陶瓷电容多层膜镀膜装置
    一种陶瓷电容多层膜镀膜装置_邯郸市奥能电子股份有限公司_202511367851.4
    本申请提供了一种陶瓷电容多层膜镀膜装置，属于镀膜技术领域，包括第一半壳体以及第二半壳体；第一半壳体的一侧开口，另一侧具有避让孔；第一半壳体的外周壁于避让孔位置固定连接有框体；框体于连接框和密封板之间连接有管道，管道上设有阀门；磁控组件安装在...
    2026-01-14
  • 铝稀土改性模具涂层制备方法及模具
    铝稀土改性模具涂层制备方法及模具_广州市型腔模具制造有限公司_202511764977.5
    本发明涉及一种铝稀土改性模具涂层制备方法及模具，方法包括以下步骤：对模具基体表面进行预处理，所述预处理包括激光表面织构化，以在所述基体表面形成微米级的织构阵列；预处理后，氩离子轰击清洗所述模具基体的表面；清洗后，采用磁控溅射技术在所述模具基...
    2026-01-14
  • 流媒体后视镜盖板用多层渐变色薄膜的真空溅射制备工艺
    流媒体后视镜盖板用多层渐变色薄膜的真空溅射制备工艺_佛山市晶玻科技有限公司_202511769883.7
    本发明公开了流媒体后视镜盖板用多层渐变色薄膜的真空溅射制备工艺，属于磁控溅射镀膜技术领域，该工艺依托包含上片平移台、上片台、进片室、前精抽室、前缓冲室、第一镀膜室、过渡室、第二镀膜室、后缓冲室、后精抽室、出片室、下片台和下片平移台等部件的真...
    2026-01-14
  • 一种用于降低光罩基板缺陷的靶材及其处理方法
    一种用于降低光罩基板缺陷的靶材及其处理方法_绍兴芯链半导体科技有限公司_202410567657.X
    本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种用于降低光罩基板缺陷的靶材及其处理方法，该处理方法利用离子植入法对靶材进行处理，使得处理后的靶材的维氏硬度达1000Hv以上。包括如下步骤：S20，对真空腔体进行抽真空处理，使得真空腔体的真空度达到预...
    2026-01-14
  • 可转动的承载装置
    可转动的承载装置_四川九天真空科技有限公司_202511448113.2
    本申请提供了一种可转动的承载装置，包括基座、驱动组件、第一级交叉滚子轴承、传动件以及支撑盘承载组件；传动件具有中心部，中心部与驱动组件的输出端连接；传动件背向驱动组件的一侧与支撑盘承载组件连接；传动件朝向驱动组件的一侧的旋转面与第一级交叉滚...
    2026-01-14
  • 蒸发源的温度控制方法和蒸镀设备
    蒸发源的温度控制方法和蒸镀设备_江苏英联复合集流体有限公司_202511392415.2
    本申请涉及一种蒸发源的温度控制方法和蒸镀设备。上述方法包括：在送丝装置为蒸发舟进行送丝的过程中，在检测到送丝过程的送丝结果满足预设送丝需求时，控制蒸发舟中的铝液进入成膜流程；在成膜的过程中，根据检测到的蒸发舟的温度变化情况和/或铝液蒸发速度...
    2026-01-14
  • 一种PVD加热室的温度控制方法
    一种PVD加热室的温度控制方法_浙江晟霖益嘉科技有限公司_202511767113.9
    本发明公开了一种PVD加热腔室的温度控制方法，涉及半导体领域，PVD加热室包括腔室和测温组件，腔室的底壁设有支撑座，腔室的顶壁设有反射板和红外辐射灯，测温组件包括红外检测仪和控制终端，红外检测仪的探测头伸入腔室，温度控制方法包括：开启红外辐...
    2026-01-14
  • 一种反应腔室的处理方法
    一种反应腔室的处理方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511240745.X
    本发明提供一种反应腔室的处理方法，包括：提供反应腔室步：反应腔室的内壁面具有洁净的耐等离子体腐蚀涂层；第一沉积步：碳基工艺气体气氛下，在耐等离子体腐蚀涂层的表面沉积无定形碳层，以填充耐等离子体腐蚀涂层的孔隙直至无定形碳层的上表面高于孔隙的上...
    2026-01-14
  • 一种用于核聚变装置壁处理镀膜的供料系统及方法
    一种用于核聚变装置壁处理镀膜的供料系统及方法_中国科学院合肥物质科学研究院_202511688585.5
    本发明公开一种用于核聚变装置壁处理镀膜的供料系统及方法，涉及核聚变装置的壁面处理与镀膜领域；供料系统包括若干沿核聚变装置的环形真空室周向均匀布设的供料机构和至少一个储料机构；供料机构包括供料部、第一加热部和动力部；供料部包括一进料端可控连通...
    2026-01-14
  • 一种改善金属基底表面缺陷的传感器薄膜及制备方法和传感器
    一种改善金属基底表面缺陷的传感器薄膜及制备方法和传感器_湖南启泰传感科技有限公司_202511224748.4
    本申请提供了一种改善金属基底表面缺陷的传感器薄膜，是通过低压化学气相沉积法和射频等离子体组合协同沉积覆盖在金属基底上的氮化硅薄膜，氮化硅薄膜的厚度H≥金属基底表面缺陷的轮廓最大高度Rz。制备方法：选取表面缺陷的轮廓最大高度Rz≤R0的金属基...
    2026-01-14
  • 一种半导体工艺腔室的钝化方法
    一种半导体工艺腔室的钝化方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511375905.1
    本发明提供一种半导体工艺腔室的钝化方法，包括：第一沉积步：硅烷气体和氮源气体气氛下，采用化学气相沉积工艺，在腔室的内壁面沉积第一氮化硅层；第二沉积步：卤代硅烷气体和氮源气体气氛下，采用原子层沉积工艺，例如，该原子层沉积工艺可以为等离子体原子...
    2026-01-14
  • 一种储气罐及压力调节系统
    一种储气罐及压力调节系统_拓荆科技(上海)有限公司_202511604820.6
    本申请涉及一种储气罐及压力调节系统，该压力调节系统包括：至少两个内部设置有预压结构的储气罐，该预压结构的形态可发生变化，用于调节所述腔室内的压力；切换装置，用于分别连接各储气罐的流气口与工艺腔体，以控制单个储气罐向工艺腔体内供气；控制装置，...
    2026-01-14
  • 化学气相沉积方法
    化学气相沉积方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410844357.1
    本申请公开了一种化学气相沉积方法，涉及半导体制造技术领域，所述化学气相沉积方法包括：S100、提供具有凹槽的衬底，并将所述衬底置于反应腔室内；S200、执行沉积操作，所述沉积操作被配置为向所述反应腔室内提供反应气体，所述反应气体经过反应后的...
    2026-01-14
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