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最新专利技术
  • 化学气相沉积方法
    化学气相沉积方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410844357.1
    本申请公开了一种化学气相沉积方法，涉及半导体制造技术领域，所述化学气相沉积方法包括：S100、提供具有凹槽的衬底，并将所述衬底置于反应腔室内；S200、执行沉积操作，所述沉积操作被配置为向所述反应腔室内提供反应气体，所述反应气体经过反应后的...
    2026-01-14
  • 用于气体分配的方法和装置
    用于气体分配的方法和装置_ASMIP私人控股有限公司_202510832732.5
    本发明涉及用于气体分配的方法和装置。本技术的各种实施例可以提供一种喷淋头板，该喷淋头板具有：第一表面和相对的第二表面；第二表面中的圆形切口，其中切口包括在第二表面处具有第一直径的开口和从竖直轴线径向向外突出并形成第二直径的凹槽，其中第二直径...
    2026-01-14
  • 用于处理系统部件表面改性的方法、系统和装置
    用于处理系统部件表面改性的方法、系统和装置_ASMIP私人控股有限公司_202510840417.7
    在一个方面，本文公开了用于改性部件表面的方法、系统和装置，包括：使表面与激光束接触，表面包括半导体工具制造部件；响应于接触而改性表面，其中改性表面包括通过微机械加工、蚀刻、烧蚀、电离、阳极化、氧化、纹理化或粗糙化或者其组合在表面中形成功能特...
    2026-01-14
  • 一种OLED上PECVD使用的气体均匀扩散装置
    一种OLED上PECVD使用的气体均匀扩散装置_江苏博涛智能热工股份有限公司_202511401963.7
    本发明公开了一种OLED上PECVD使用的气体均匀扩散装置，包括：下腔体、下电极、上腔体、扩散导流分布机构和气体输送部件。上腔体固定设置于下腔体的上方。扩散导流分布机构设置于上腔体内，扩散导流分布机构包括固定设置于上腔体内部下方的扩散导流部...
    2026-01-14
  • 一种用于镀膜的载具装置
    一种用于镀膜的载具装置_湖南红太阳光电科技有限公司_202511402083.1
    本发明公开了一种用于镀膜的载具装置，包括载具，所述载具的一端固定有用于向载具内输送气体的喷淋板，所述喷淋板内设有用于与工艺腔室内的进气口连通的气道组件。本发明的用于镀膜的载具装置具有使用寿命长、维护便捷性高、维护周期长和稳定性好的优点。
    2026-01-14
  • 一种边缘钝化反应设备及边缘钝化方法
    一种边缘钝化反应设备及边缘钝化方法_湖南红太阳光电科技有限公司_202511532857.2
    本发明公开了一种边缘钝化反应设备及边缘钝化方法，反应设备包括反应腔体，反应腔体的上下两侧分别设有进气口和抽气口，反应腔体内侧上方设有喷淋匀流板，且喷淋匀流板与进气口连通，以实现工艺气体经喷淋匀流板匀流扩散后再分布至反应腔体内；反应腔体内设有...
    2026-01-14
  • 一种气体传输组件和半导体器件的加工设备
    一种气体传输组件和半导体器件的加工设备_拓荆科技股份有限公司_202511642968.9
    本发明公开了一种气体传输组件和半导体器件的加工设备。该气体传输组件包括：进气部，包括第一本体及进气面板，第一本体背向加热盘的第一侧设有进气口以连接工艺气源，进气面板为圆弧形，其被设于第一本体朝向加热盘的第二侧以环绕于加热盘的第一侧，进气面板...
    2026-01-14
  • 一种工艺冷却水系统、控温方法及设备
    一种工艺冷却水系统、控温方法及设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511657949.3
    本申请涉及一种工艺冷却水系统、控温方法及设备，通过设计热交换块、分水块以及冷却块，热交换块利用分水块流出的第一温度水，将输入的常温冷却水预热为第二温度水；分水块将第二温度水流入目标设备，并接收被加热形成的第一温度水；冷却块接收第一温度水，对...
    2026-01-14
  • 一种喷淋盘及一种喷淋头
    一种喷淋盘及一种喷淋头_拓荆科技(上海)有限公司_202511667139.6
    本发明提供了一种喷淋盘以及一种喷淋头。该喷淋盘的第一表面朝向该喷淋头的进气口，喷淋盘的第二表面朝向工艺腔室。该喷淋盘的第二表面设有至少一个凸起部，在凸起部的侧面设有多个第一喷淋孔。
    2026-01-14
  • 一体化匀流气相喷淋头、成型工艺及半导体薄膜沉积设备
    一体化匀流气相喷淋头、成型工艺及半导体薄膜沉积设备_无锡金源半导体科技有限公司_202511716078.8
    本发明涉及一种一体化匀流气相喷淋头、成型工艺及半导体薄膜沉积设备，其中，该喷淋头包括：一体成型的喷淋本体，所述喷淋本体的第一侧被设置为进气侧、第二侧被设置为出气侧，所述喷淋本体位于靠近所述出气侧的内部开设有呈网格状纵横交错、并相互连通以形成...
    2026-01-14
  • 加热盘、顶针拆装方法及存储介质
    加热盘、顶针拆装方法及存储介质_拓荆科技(上海)有限公司_202511544941.6
    本发明提供了一种加热盘、一种顶针拆装方法及一种计算机可读存储介质。所述加热盘包括加热盘本体、加热盘盖体及多个顶针及多个重锤组件。所述加热盘本体上设有多个第一通孔。所述第一通孔的第一尺寸大于重锤组件的第二尺寸。所述加热盘盖体覆盖于所述加热盘本...
    2026-01-14
  • 基于炉管设备的扩散沉积方法及炉管设备
    基于炉管设备的扩散沉积方法及炉管设备_上海微釜半导体设备有限公司_202511756620.2
    本公开提供一种基于炉管设备的扩散沉积方法及炉管设备。所述扩散沉积方法在沉积过程中，每两片晶圆为一组，共同置于晶舟的同一平面的承载位上，同一组的两个晶圆以沉积面相背离的方式叠置，两个晶圆之间放置有预制的隔离材料层，所述隔离材料层为不同于晶圆材...
    2026-01-14
  • 用于在衬底上涂覆半导体层的方法
    用于在衬底上涂覆半导体层的方法_艾克斯特朗欧洲公司_202511287318.7
    本发明涉及一种用于在衬底(4)上制造半导体层的方法，其中，利用通向处理室(1)的进气构件(2)将工艺气体进料到处理室，其中，将一种或多种工艺气体进料到处理室(1)，通过一个或多个发射线圈(5)产生交变电磁场，通过所述交变电磁场将承载衬底(4...
    2026-01-14
  • 一种加热盘结构和半导体器件的工艺设备
    一种加热盘结构和半导体器件的工艺设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511430998.3
    本发明公开了一种加热盘结构和半导体器件的工艺设备。该加热盘结构包括：第一盘体，用于盛放晶圆；第二盘体，位于所述第一盘体下方，与所述第一盘体间隙配置，所述第二盘体上设有中心抽气口，且所述中心抽气口的抽气中心与所述晶圆同心，用于在沉积工艺结束后...
    2026-01-14
  • 一种快速CVD涂层一致性AI自控方法
    一种快速CVD涂层一致性AI自控方法_山东旌丞新材料科技有限公司_202511125628.9
    本发明公开的属于CVD涂层技术领域，具体为一种快速CVD涂层一致性AI自控方法，包括具体步骤如下：对CVD过程中的各种物理参数和涂层特性数据进行采集和预处理；对预处理后的数据进行特征重要性分析，确定对涂层厚度、涂层成分造成影响的传感器数据；...
    2026-01-14
  • 一种基于多区动态补偿的晶圆温度均匀性控制系统及方法
    一种基于多区动态补偿的晶圆温度均匀性控制系统及方法_苏州佑伦真空设备科技有限公司_202511332519.4
    本发明提出一种基于多区动态补偿的晶圆温度均匀性控制系统及方法，通过多区静电卡盘承载晶圆，且在静电卡盘的每一温控分区内同时布设温度传感器与加热/制冷执行单元，并利用多通道背吹惰性气体供压模块对各分区背氦压力进行独立调节；再借助工艺功率监测接口...
    2026-01-14
  • 一种用于MOCVD设备的晶圆表面控温系统及方法
    一种用于MOCVD设备的晶圆表面控温系统及方法_北京中科重仪半导体科技有限公司_202511614720.1
    本发明涉及一种用于MOCVD设备的晶圆表面控温系统及方法，属于电子设备技术领域，解决现有设备在生长前手动修改Recipe中的温度数据，而在生长过程中无法修改Recipe中的温度数据的问题。系统包括红外测温仪以非接触方式实时检测晶圆表面温度，...
    2026-01-14
  • 一种高稳定性钛电极的制备方法
    一种高稳定性钛电极的制备方法_西安爱尔迪环保科技有限公司_202511402849.6
    本发明公开了一种高稳定性钛电极的制备方法，涉及热分解法制备钛电极技术领域，包括以下步骤；S1，对钛基材进行表面处理；S2，配制包含半胱氨酸盐酸盐的铱钽涂层溶液；S3，将涂层溶液均匀涂覆在钛基材上，烧结后形成活性涂层，冷却至室温后获得所述涂层...
    2026-01-14
  • 一种钢丝磷化和硼化两用生产线
    一种钢丝磷化和硼化两用生产线_江苏能达线材制品有限公司_202511435577.X
    本发明属于钢丝表面处理技术领域，尤其是涉及一种钢丝磷化和硼化两用生产线，包括热处理炉，所述热处理炉的一侧放置有铅锅，所述铅锅的一侧放置有爆洗池，所述爆洗池的一侧放置有酸槽，所述酸槽的一侧放置有热水洗设备。本发明在原有的热处理磷化生产线上再加...
    2026-01-14
  • 无铬钝化剂组合物及其处理工艺
    无铬钝化剂组合物及其处理工艺_安徽高奇材料科技有限公司_202511401420.5
    本发明属于金属表面处理技术领域，公开了一种无铬钝化剂组合物及其处理工艺，包括以下重量百分比的组分：成膜促进剂0.1‑5%、pH稳定剂0.1‑5%、有机硅改性聚合物0.1‑5%、硅烷偶联剂1‑5%、钼酸盐1‑5%、封孔剂1‑5%、氧化剂0.1...
    2026-01-14
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