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最新专利技术
  • 基板处理方法、基板处理装置及硬掩模
    基板处理方法、基板处理装置及硬掩模_东京毅力科创株式会社_202480041924.8
    提供可得到稳定蚀刻形状的基板处理方法、基板处理装置和硬掩模。一种基板处理方法，包括：准备具有含硅膜的基板的工序，以及通过溅射，在所述含硅膜上形成含钨、硅和氮的非晶膜即硬掩模的工序。
    2026-01-31
  • 蚀刻液及使用其的半导体器件的制造方法
    蚀刻液及使用其的半导体器件的制造方法_三菱瓦斯化学株式会社_202480041748.8
    本发明涉及能够在控制蚀刻量的同时在含铜金属层的表面形成良好的蚀刻面的蚀刻液及使用其的半导体器件的制造方法。本发明的蚀刻液是用于对含铜金属层的表面实施蚀刻的蚀刻液，其特征在于，以前述蚀刻液的总量基准计，包含：超过0.1质量%且等于或小于0.5...
    2026-01-31
  • 基板处理装置
    基板处理装置_株式会社斯库林集团_202480043263.2
    本发明的基板处理装置(1)具备：基板保持部，保持圆板状的基板(9)；电极单元(5)，在进行蚀刻时，与基板(9)的周缘部(93)的一部分即对象部位对向，且具有第1电极(51)及第2电极(52)；处理液填充部(6)，其通过自喷出口(611)喷出...
    2026-01-31
  • 基板处理方法
    基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480042437.3
    本发明的目的在于提供一种可有效地降低基板的图案倒塌率的技术。本发明的基板处理方法具备保持工序、液供给工序、干燥液供给工序、及干燥工序。在保持工序中，保持具有形成有图案的第1主表面、及与第1主表面为相反侧的第2主表面的基板。在液供给工序中，对...
    2026-01-31
  • 吸附板、切断装置、及电子零件的制造方法
    吸附板、切断装置、及电子零件的制造方法_东和株式会社_202480042097.4
    本发明提供一种能够高精度地形成半切槽的吸附板。一种吸附板，对具有基板及树脂层的切断对象物进行保持，所述吸附板包括：基座构件，包括配置在设置有抽吸机构的基台上的基部、及形成为从所述基部向上方突出且形成有能够吸附所述树脂层的吸附面的突出部；以及...
    2026-01-31
  • 半导体加工用带和半导体加工用带的制造方法
    半导体加工用带和半导体加工用带的制造方法_古河电气工业株式会社_202480033968.6
    一种半导体加工用带及其制造方法，该半导体加工用带由层积体构成，该层积体具有：由基材和与该基材相接的粘合剂层的层积体构成的切晶膜；与该粘合剂层相接的粘接剂层；和与该粘接剂层相接的剥离膜，其中，上述粘接剂层是厚度为30μm以下的未经预切割加工而...
    2026-01-31
  • 基板处理方法及基板处理装置
    基板处理方法及基板处理装置_株式会社斯库林集团_202480042797.3
    提供一种可降低基板的周缘部的图案的倒塌率的技术。本发明的基板处理方法包含保持工序、液处理工序、及干燥工序。在保持工序中，保持基板。在液处理工序中，对基板(W)的第1主面(Wa)供给处理液。在干燥液供给工序中，在液处理工序之后，使基板(W)旋...
    2026-01-31
  • 迷你环境仪表化晶片
    迷你环境仪表化晶片_科磊股份有限公司_202480041903.6
    本发明公开一种用于测量衬底处理条件的系统及方法。所述系统可包含仪表化衬底，所述仪表化衬底包含衬底主体。所述仪表化衬底可包含一或多个传感器，所述一或多个传感器经配置以测量所述衬底主体或接近所述衬底主体的表面的外部环境中的至少一者的一或多个条件...
    2026-01-31
  • 密封系统以及用于密封真空系统中的开口的系统
    密封系统以及用于密封真空系统中的开口的系统_ASML荷兰有限公司_202480042394.9
    本发明提供一种密封系统。该系统包括真空室的至少一部分和印刷电路板，在该真空室中限定有开口。印刷电路板包括用于暴露于大气环境的第一部分、以及与第一部分相邻的用于暴露于真空环境的第二部分。第二部分被配置为至少部分地覆盖真空室中的开口。第一部分被...
    2026-01-31
  • 引导扩散装置支架及扩散装置保持的方法
    引导扩散装置支架及扩散装置保持的方法_恩特格里斯公司_202480041578.3
    在衬底容器的内部设置若干支架以接纳及保持扩散装置。所述支架包含具有第一内部截面区域的接纳器及具有第二内部截面区域的保持区，其中所述第一内部截面区域大于所述第二内部截面区域。所述支架可包含在所述支架的与所述第一接纳器相对的端上的第二接纳器，使...
    2026-01-31
  • 静电卡盘装置
    静电卡盘装置_住友大阪水泥股份有限公司_202480042282.3
    一种静电卡盘装置，其包括：静电卡盘部件，包含陶瓷材料作为材料；基座，包含金属基复合材料作为材料；及粘接层，将静电卡盘部件与基座粘接，粘接层包含树脂材料与导热性填料，陶瓷材料与金属基复合材料的热膨胀系数之差的绝对值为10ppm/K以下，粘接层...
    2026-01-31
  • 用于镀覆基板的镀膜机及相应方法
    用于镀覆基板的镀膜机及相应方法_布勒阿尔策瑙股份有限公司_202480041592.3
    本发明涉及一种用于镀覆基板(6)的镀膜机(1)，包括可抽真空的工艺腔室(2)、用于将基板(6)送入和送出工艺腔室(2)的闸阀装置(3)。本发明还具有安装在工艺腔室(2)中的基板支架(5)，为了利用镀覆装置(9)被镀覆材料施加到基板(6)上，...
    2026-01-31
  • 作业辅助方法以及作业辅助系统
    作业辅助方法以及作业辅助系统_株式会社斯库林集团_202480041978.4
    收集与基板处理装置的装置状态相关的信息，基于该状态信息判定基板处理装置内的对象部位是否危险。智能眼镜在包含被判定为危险的对象部位的空间重叠着色显示来进行显示。智能眼镜以与对象部位所属的危险等级相对应的显示色着色显示包含该对象部位的空间。在通...
    2026-01-31
  • 形成具有受控热膨胀系数的导电线的方法
    形成具有受控热膨胀系数的导电线的方法_因派科技术有限合伙公司_202480039328.6
    本发明公开了一种形成具有受控热膨胀系数(CTE)的导电线的方法，该方法包括：在基板表面上施加悬浮液，所述悬浮液包含溶剂和固体组分，所述固体组分包含至少两种类型的导电纳米粒子的混合物；烧结所述悬浮液以形成所述导电线；以及去除所述悬浮液的未烧结...
    2026-01-31
  • 具有后侧功率递送网络的嵌入式小芯片
    具有后侧功率递送网络的嵌入式小芯片_美商艾德亚半导体接合科技有限公司_202480040961.7
    一种组装件，可以包括基础元件，该基础元件包括：基础衬底，该基础衬底具有带有源电路装置的前侧和与前侧相对的后侧；第一接合层，该第一接合层被设置在基础衬底的前侧上，并且包括将电信号传送到有源电路装置的信号焊盘。该组装件还可以包括第一功能性元件，...
    2026-01-31
  • 用于低温混合接合的方法和结构
    用于低温混合接合的方法和结构_艾德亚半导体接合科技有限公司_202480042039.1
    一种半导体元件在混合接合表面的导电特征之上提供有微结构金属层。微结构金属层包括细金属晶粒微结构，诸如纳米晶粒。通过提供金属氧化物并且将金属氧化物还原为金属，可以在导电特征之上形成微结构金属层。如果金属氧化物是通过氧化形成的，则可以选择性地形...
    2026-01-31
  • 作为嵌入式管芯附连的表面终饰的化学镍-化学钯-浸金(ENEPIG)
    作为嵌入式管芯附连的表面终饰的化学镍-化学钯-浸金(ENEPIG)_英特尔公司_202480042366.7
    在本文中的实施例中，表面终饰(SF)在封装衬底的导电触点上被形成，以用于到嵌入式互连桥接器电路模块管芯的连接。在一些实施例中，SF可以是化学镀镍化学镀钯浸金(ENEPIG)。在其他实施例中，SF可以是浸金化学镀钯浸金(IGEPIG)。在其他...
    2026-01-31
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_索尼半导体解决方案公司_202480041755.8
    [问题]本发明提供能够适当地抑制裂纹的扩展的半导体装置及制造半导体装置的方法。[解决方案]半导体装置包括第一基板和设置在所述第一基板上的绝缘膜，其中，所述绝缘膜包括设置在不同高度处的多个空洞，并且所述多个空洞以阶梯状的方式布置。
    2026-01-31
  • 电力半导体装置
    电力半导体装置_三菱电机株式会社_202380099901.8
    电力半导体装置(100)具有：框体(1)，其具有风路(10)；散热器(2)，其在多个鳍片(21)配置于风路(10)的状态下由框体(1)保持；以及多个功率模块(3)。在散热器基座(20)的另一个面形成有凹凸面(20a)。功率模块(3)具有与散...
    2026-01-31
  • 冷却组件
    冷却组件_埃尔温夸德系统技术有限责任公司_202480034428.X
    本发明涉及一种用于从待冷却物体散发热的冷却组件，该冷却组件包括一个或多个冷却区域(16)，每个冷却区域(16)具有作为冷却组件的散热器的组件的散热器结构(15)，尤其是散热片或散热针结构，该散热器结构(15)尤其包括以等间距隔开的散热片或散...
    2026-01-31
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