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  • 本发明适用于光伏技术领域,提供一种太阳电池、电池组件及光伏系统,太阳电池包括:硅片,硅片包括相对设置的第一表面和第二表面,第一表面包括第一区域;设于第一区域的第一钝化接触层;设于第一钝化接触层上的第一钝化层,第一钝化层开设有第一接触孔;及设...
  • 本申请提供一种光电探测芯片及其制备方法、光电探测器及电子设备,光电探测芯片包括衬底、第一、第二掺杂层、本征吸收层、微纳结构和第一、第二电极,沿衬底的厚度方向,第一掺杂层在衬底的表面,本征吸收层位于第一掺杂层和第二掺杂层之间,在垂直于衬底的厚...
  • 本申请公开了一种均匀吸收的硅基锗光电探测器及形成其的方法。一种硅基锗光电探测器包括硅绝缘体上硅衬底和锗波导。绝缘体上硅衬底包括硅基底、硅基底上方的埋氧层和埋氧层上方的硅层。硅层包括入射光波导,用于接收入射光并使入射光在其中传播。该入射光波导...
  • 本发明提供了一种集光元件及光电探测器,集光元件,包括:本体,所述本体包括相对设置的第一平面和第二平面,在所述本体上,自所述第一平面向远离所述第二平面方向凸起形成多个非球面微结构,所述非球面微结构包括朝向外侧的入光面和朝向内侧的反射面,以及位...
  • 本发明提供了一种集光元件及光电探测器,集光元件,包括:本体,包括相对设置的第一平面和第二平面,在本体上,自第一平面向远离第二平面方向凸起形成多个柱体微结构,相邻两个柱体微结构之间具有间隙,每个柱体微结构均包括凸出于第一平面的外周面,以及位于...
  • 本发明公开了一种光伏组件玻璃的制作方法和光伏组件,该光伏组件玻璃的制作方法包括:获取载体;将反射材料附着于载体;将反射材料制成反射结构;将反射结构固定在玻璃本体的表面且形成空腔,并将反射结构和载体分离,获得玻璃。由此,可以实现反射结构与玻璃...
  • 本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种背接触电池组件及光伏系统。该背接触电池组件包括端部汇流条;第一端部电池片与端部汇流条在第一方向的间距为第一间距;第一遮光条自端部汇流条向第一端部电池片伸出,在第一方向形成第一伸出距离;第二遮光条自第...
  • 本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种背接触电池组件及光伏系统。该背接触电池组件包括:端部汇流条;第一电池串,第一电池串包括第一端部焊带和第一端部电池片,第一端部电池片通过第一端部焊带与端部汇流条电性连接;遮光条,遮光条的第一端设于第一...
  • 本发明公开了一种芯片侧面防漏光的光感产品的封装结构及其封装方法,所述封装结构包括基板、芯片、透明塑封层和遮光胶结构,其特征在于,所述芯片固定于所述基板的上表面,所述遮光胶结构使用黑色胶体,沿所述芯片四周区域进行均匀填充覆盖,填充覆盖高度与所...
  • 本发明提出了一种硅衬底及制备方法、一种背接触太阳能电池,硅衬底包括第一表面和第二表面,所述第二表面包括至少一个平滑曲面区,所述平滑曲面区包括多个平滑曲面,多个所述平滑曲面在所述平滑曲面区呈不规则或阵列分布。本发明通过在硅片第二表面进行激光加...
  • 本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件,属于半导体技术领域。该太阳能电池,包括:半导体基底,包括相对的第一表面和第二表面,第一表面包括沿第一方向间隔分布的第一区域,相邻第一区域之间具有间隔区,间隔区具有第一纹理结构,侧表面具有第四纹理结构;第...
  • 本发明适用于太阳能电池技术领域,提供了一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构,该背面接触结构包括间隔设置于硅衬底背面的凹槽;交替设置的第一导电区和第二导电区,交替设置的第一导电区和第二导电区,所述第一导电区设于凹槽内,所述第二导...
  • 本发明公开了一种新型低反射率绒面、制绒添加剂及其使用方法,涉及高效晶体硅太阳能电池制造技术领域,包括金字塔结构,所述金字塔的表面具有褶皱状微结构,同时金字塔的侧边和底部具有凹陷结构;所述绒面在350‑1050nm波长范围内的平均反射率为6%...
  • 本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法。太阳能电池包括硅基底和多晶硅层,多晶硅层设置在硅基底的表面,多晶硅层包括至少一个N型掺杂区,N型掺杂区的表面形成有第一凸起,第一凸起的高度为10~30nm,至少一个N型掺杂区的第一凸起在硅基底表面的投...
  • 本申请涉及光伏技术领域,尤其涉及光伏电池及其制备方法,其中,光伏电池包括具有相对设置的第一表面及第二表面的单晶硅衬底,以及沿依次设置于第一表面的第一掺杂半导体层、第一钝化层和第一电极;第一表面形成有绒面,绒面具有若干个第一金字塔结构,第一金...
  • 本发明涉及Mini LED显示技术领域,具体涉及一种次毫米发光二极管及其制备方法,包括以下步骤:于覆盖有热解膜的基板上依次设置分布式布拉格反射镜、扩散层、量子点层及有机硅保护层;通过蓝膜将GaN芯片扩晶成特定的距离排列,并将GaN芯片与涂布...
  • 一种微型LED显示芯片及其粗化方法,所述方法包括:提供微型LED结构,所述微型LED结构包括发光台面,所述发光台面的表面具有出光面;在所述出光面上形成牺牲层;对所述牺牲层的表面进行第一粗化处理,以形成第一粗化结构;对具有所述第一粗化结构的所...
  • 一种微型LED显示芯片及其粗化方法,所述方法包括:提供具有发光台面的微型LED结构,所述发光台面的表面具有出光面;通过第一气体对所述出光面进行等离子体轰击,以及通过第二气体对所述出光面进行干法刻蚀处理,以在所述出光面形成粗化结构。本发明可以...
  • 本发明涉及灯具封装技术领域,具体为一种抗硫化LED封装工艺,包括以下步骤:在LED芯片表面制备具有梯度硫阻隔结构的复合保护层,采用脉冲激光沉积技术制备所述复合保护层,使用含动态硫阻隔网络的有机硅封装材料进行整体封装;有益效果为:通过梯度硫阻...
  • 本发明涉及灯丝封装技术领域,具体为一种LED灯丝封装工艺,包括以下步骤:采用超临界二氧化碳流体辅助等离子体处理技术对柔性基板表面进行预活化,在预活化基板上通过飞秒激光直写技术制备具有双曲率仿生蛾眼结构的微纳阵列,在微纳阵列表面通过脉冲激光沉...
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