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  • 本发明公开了一种高密度PCB连接器组件及其组装方法,包括壳体结构、复合接触件组、自锁机构及散热结构,通过精密榫卯连接实现子模块独立更换,燕尾凸起与楔形凹槽的配合间隙≤0.03mm,确保拼接精度,采用弹性接触片(三维波浪形曲面)与刚性载流柱协...
  • 本公开提供了一种天线反射板及天线装置,涉及通信技术领域。该天线反射板包括:超表面反射板,包括阵列分布的多个超表面单元,每个超表面单元包括介质基板和位于介质基板表面的第一贴片单元;金属地板,金属地板的中心点在超表面反射板上的正投影与超表面反射...
  • 本公开提供了一种天线装置及天线系统,涉及通信技术领域。该天线装置包括天线反射板、巴伦结构、辐射结构和寄生层,天线反射板包括金属地板和超表面反射板,超表面反射板包括多个超表面单元;巴伦结构立设在金属地板上;辐射结构位于巴伦结构背离天线反射板的...
  • 本发明涉及一种电池端盖与壳体连接结构和电池,所述电池端盖与壳体连接结构包括壳体以及设置在壳体开口处的端盖,壳体内部靠近其开口端位置设置有环状的弹性嵌合部且弹性嵌合部形成有环形卡槽;所述端盖设置有环状的夹槽部且弹性嵌合部嵌设在夹槽部内,夹槽部...
  • 本发明提供一种矿用蓄电池用紧急防护装置,涉及矿用蓄电池洁净防护领域。该矿用蓄电池用紧急防护装置,包括蓄电池箱,还包括自清洁式电池框架,自清洁式电池框架设有上下分布的多组,且每组之间的距离均相同,均设有相同高度的气缝,多组自清洁式电池框架均处...
  • 本发明公开了一种电解液添加剂、电解液、锂离子电池、电池包及用电设备,电解液添加剂包括含有草酸酯基和炔基的化合物。根据本发明的电解液添加剂,电解液添加剂中的草酸酯基和电解质盐在电池的正极和负极表面形成低阻抗且致密的保护膜,抑制正极与电解液的副...
  • 本发明公开了一种非水电解液及含该非水电解液的钠离子电池,该非水电解液包括非水有机溶剂、钠盐、添加剂,添加剂包括化合物A和化合物B,化合物A包括式1和式2所示的化合物中的至少一种,化合物B的结构如式3所示;
  • 本发明提供了一种电解液材料包和电解液注入方法及二次电池,属于二次电池技术领域。所述电解液材料包含有第一材料包和第二材料包,所述第一材料包含有第一非水性有机溶剂、第一添加剂,所述第一添加剂为氟代碳酸乙烯酯,所述第二材料包含有锂盐或钠盐、第二非...
  • 本发明涉及电池技术领域,具体涉及一种基于碘化锂的聚合物基固态电解质膜及其制备方法与应用。基于碘化锂的聚合物基固态电解质膜的成分包括:磷酸钛铝锂、聚偏氟乙烯六氟丙烯和碘化锂。通过聚偏氟乙烯六氟丙烯与碘化锂的复合协同作用,从界面兼容性、离子传输...
  • 本发明涉及燃料电池技术领域,具体公开一种氢气燃料电池双极板结构,包括隔板,隔板的两侧分别固定连接有第一冲压板和第二冲压板,第一冲压板和第二冲压板的两侧均设置有多个槽结构,槽结构与隔板和质子交换膜配合形成冷却液通道、氢气通道、氧气内部通道和氧...
  • 本发明公开了一种钴酸锂复合正极材料及其制备方法,涉及锂离子电池技术领域,该系统制备得到的钴酸锂复合正极材料,通过采用Al3++Ti4+共掺杂的方式对钴酸锂微球进行改性,其中Al3+
  • 本发明提供了一种复合正极材料及其制备方法与应用,所述复合正极材料包括基体以及所述基体表面的碳包覆层,所述基体包括多孔LMFP材料;所述多孔LMFP材料中包括掺杂金属元素,且所述多孔LMFP材料的孔内包括补锂剂。本发明所述复合正极材料中的掺杂...
  • 本发明公开了一种稳定的三相合金负极及制备方法和全固态电池,属于锂金属电池负极与固态电池技术领域。本发明所述三相合金负极材料包括锂金属基底以及位于其单侧的两相锂合金层组成,将锂金属基底、金属薄片和铟箔复合后在压力机下进行冷压处理,使锂金属基底...
  • 本发明公开了一种防过充的快充负极片及其制备方法和软包电池,其中,一种防过充的快充负极片,包括负极集流体;硅碳掺混层,设置在负极集流体表面,原料包括第一负极活性材料和硅碳,硅碳在硅碳掺混层中的掺杂量为1‑10wt%;硬碳掺混层,设置在硅碳掺混...
  • 本发明属于电池材料领域,公开了一种二维纳米片/填料复合锂金属负极材料及其制备方法、应用,所述制备方法包括:于锂金属箔材表面均匀铺设二维层状材料,辊压,得到箔材A1;堆叠箔材A1,再次辊压成片,得到...
  • 本发明提供一种功率模块及其制作方法。所述功率模块中,芯片安装在底板的第一表面上,多个导电柱安装在底板的第一表面上,塑封体位于第一表面上且包裹芯片以及多个导电柱的侧壁,多个导电柱的远离底板的表面从塑封体远离底板的表面露出,粘合层位于塑封体远离...
  • 本发明公开了一种体积小耐高压低热阻金属陶瓷贴片外壳封装结构,包括外壳,设置在外壳边缘的边框,在外壳内部的芯区设置有电极板,电极板周围环绕有外壳绝缘部分。极大提高了热传导效率,热阻仅1.2℃/W,各部分之间热匹配良好,不同电极之间耐压达到49...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,提供了一种吸附装置、半导体设备及吸附调整方法,包括第一吸附单元和第二吸附单元;所述第一吸附单元上设置有容置区,所述容置区沿轴向连通于所述第一吸附单元的一端,所述第一吸附单元上设置有第一吸附结构;所述第二吸附单元...
  • 本发明公开了一种半导体晶圆快速退火装置,该半导体晶圆快速退火装置包括第一退火机构和第二退火机构,第一退火机构和第二退火机构下均设有移动密封机构,第一退火机构和第二退火机构内部均设有辅助机构,第一退火机构的一侧设有与辅助机构相匹配的第一处理组...
  • 本发明涉及智能电气开关技术领域,具体公开了一种基于过零控制的智能重合闸空开电弧抑制方法及装置,该方法包括以下步骤:检测交流回路的电压过零点和电流过零点,用于标记指令下发对齐点,所述指令下发对齐点包括合闸指令电压过零对齐点、分闸指令电流对齐点...
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