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最新专利技术
  • 一种高导热氧化镓复合衬底及其制备方法
    一种高导热氧化镓复合衬底及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202510689542.2
    本发明涉及半导体技术领域， 尤其涉及一种高导热氧化镓复合衬底及其制备方法。所述高导热氧化镓复合衬底包括：高导热衬底和氧化镓单晶；所述高导热衬底和所述氧化镓单晶键合相连；所述高导热衬底为Cu和金刚石的合金陶瓷材料。本发明研究得到一种以Cu和金...
    2025-11-27
  • 一种LGA封装的集成电路连接座
    一种LGA封装的集成电路连接座_深圳市铨天科技有限公司_202510968295.X
    本发明公开了一种LGA封装的集成电路连接座， 涉及连接座领域， 包括基座、装配框以及扣框， 所述基座上开设有插槽， 所述插槽内嵌设有若干个倾斜的接触针脚， 装配框一侧开设有避让通槽；能置于插槽内的防护盖；能将集成电路装在装配框上的连接结构；...
    2025-11-27
  • 半导体封装结构和半导体封装结构制作方法
    半导体封装结构和半导体封装结构制作方法_江苏凯嘉电子科技有限公司_202510951552.9
    本发明涉及半导体封装技术领域， 具体为半导体封装结构和半导体封装结构制作方法， 包括：基板、晶片；所述基板底端均布连接设置有外部电连接件， 晶片底端四个边角位置连接设置有锥台， 晶片通过定位组件和辅助组件设置在基板上；通过将晶片套接在定位框...
    2025-11-27
  • 一种功率器件封装结构及功率器件封装模组
    一种功率器件封装结构及功率器件封装模组_上海法雷奥汽车电器系统有限公司_202510912332.5
    本发明实施例公开一种功率器件封装结构及功率器件封装模组。该功率器件封装结构包括散热基板；芯片， 包括第一电极、第二电极和第三电极；电路载体， 其上设置有多个焊盘；芯片在散热基板的垂直投影位于电路载体在散热基板的垂直投影内且不重合；第一引线与...
    2025-11-27
  • 集成电路封装及其形成方法
    集成电路封装及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510661859.5
    提供集成电路封装及其形成方法， 集成电路封装可包含第一晶粒， 第一晶粒可包含第一半导体基底、位于第一半导体基底上方的第一接合层以及位于第一接合层中的第一晶粒连接器。第一接合层可包含第一部分及第二部分， 第一部分包含第一材料， 第二部分包含第...
    2025-11-27
  • 一种功率半导体芯片压接封装结构及制作方法
    一种功率半导体芯片压接封装结构及制作方法_株洲中车时代半导体有限公司_202410364724.8
    本发明属于半导体技术领域， 具体涉及一种功率半导体芯片压接封装结构及制作方法， 压接封装结构包括集电极电极和发射极电极， 集电极电极包括位于表层的软质层区一；发射极电极包括位于表层的软质层区二， 发射极电极与集电极电极之间设置有多个芯片子单...
    2025-11-27
  • 一种高安全性芯片封装复合薄膜及其应用
    一种高安全性芯片封装复合薄膜及其应用_中国人民解放军国防科技大学_202511247745.2
    本发明公开了一种高安全性芯片封装复合薄膜及其应用， 复合薄膜包括：PUF熵源层， 包括掺杂介电层以及设在所述掺杂介电层上、下表面的电容阵列层， 用于生成芯片的唯一密钥， 并检测薄膜形态变化及侵入式攻击；绝缘层， 包裹在所述PUF熵源层上， ...
    2025-11-27
  • 一种半导体器件零件表层热熔气吹剥离设备
    一种半导体器件零件表层热熔气吹剥离设备_江苏浦上精密制造科技有限公司_202511272348.0
    本发明提供一种半导体器件零件表层热熔气吹剥离设备， 涉及半导体零件加工技术领域。包括加工台和透明防护罩， 所述加工台上端面一侧开设有加工槽， 所述加工槽内底部设置有活动基盘， 所述加工台一侧壁固定设置有连接座， 所述连接座一侧壁中间固定设置...
    2025-11-27
  • 一种改善高深宽比刻蚀结构填充性能的方法及半导体结构
    一种改善高深宽比刻蚀结构填充性能的方法及半导体结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202511279273.9
    本申请公开了一种改善高深宽比刻蚀结构填充性能的方法及半导体结构， 方法依次包括：提供一侧表面上具有高深宽比刻蚀结构的衬底， 高深宽比刻蚀结构的侧壁具有88度～90度的第一倾斜角；对侧壁的顶部进行第一处理， 形成倒角；对侧壁进行第二处理， 使...
    2025-11-27
  • 一种金属通孔的制造方法及半导体结构
    一种金属通孔的制造方法及半导体结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202511279222.6
    本申请公开了一种金属通孔的制造方法及半导体结构， 方法包括：执行有掩膜的第一等离子体刻蚀工艺， 对衬底表面进行周期性循环刻蚀形成第一通孔；执行无掩膜的第二等离子体刻蚀工艺， 将第一通孔刻蚀成第二通孔， 第二等离子体刻蚀工艺依次包括第一刻蚀阶...
    2025-11-27
  • 半导体器件的制作方法及半导体器件结构
    半导体器件的制作方法及半导体器件结构_思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司_202510947602.6
    本发明公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件结构， 通过第三沟槽的设置， 使得第三沟槽内第三沟槽隔离结构在填充满第三沟槽的过程中产生外扩应力， 挤压隔离沟槽以减小隔离沟槽的缝隙宽度， 从而在适量增加隔离沟槽宽度(能够增加隔离沟槽的深度)...
    2025-11-27
  • 金属互连结构的形成方法及金属互连结构
    金属互连结构的形成方法及金属互连结构_华虹集成电路(成都)有限公司_202510884098.X
    本发明提供了一种金属互连结构的形成方法及金属互连结构， 通过预沉积保护层， 防止在刻蚀接触孔的过程中， 接触孔附近用于填充金属材料的沟槽结构产生刻蚀穿通及过刻现象， 导致暴露金属材料， 从而产生短路问题影响良率。在沟槽结构刻蚀完成后， 通过...
    2025-11-27
  • 改善不同图形研磨缺陷的方法
    改善不同图形研磨缺陷的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202510821419.1
    本发明公开了一种改善不同图形研磨缺陷的方法， 包括步骤：提供具有多个图形结构的半导体衬底， 各图形结构之间为图形间隔区；半导体衬底上的图形结构的宽度包括多个以及图形间隔区的宽度包括多个。形成第零层层间膜， 包括分步骤：采用HARP工艺形成第...
    2025-11-27
  • 刻蚀方法
    刻蚀方法_重庆芯联微电子有限公司_202510776896.0
    本发明提供一种刻蚀方法， 通过提供由下向上形成有刻蚀停止层、层间介质层及图形化的硬掩膜层的半导体结构， 并采用光刻工艺并结合图形化的硬掩膜层刻蚀层间介质层， 形成贯穿层间介质层并裸露出刻蚀停止层的通孔， 后续通过两步灰化工艺， 先在不施加偏...
    2025-11-27
  • 互连结构及其形成方法
    互连结构及其形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202510642370.3
    本发明提供一种互连结构的形成方法， 先执行第一刻蚀工艺， 同时刻蚀第一区域和第二区域的第N+2介质层；接着执行第二刻蚀工艺， 继续刻蚀第二区域的第N+1刻蚀停止层和第N+1介质层；最后执行第三刻蚀工艺， 在第一区域继续刻蚀第N+1刻蚀停止层...
    2025-11-27
  • 通孔的制作方法
    通孔的制作方法_杭州富芯半导体有限公司_202510640620.X
    本发明提供一种通孔的制作方法， 所述方法包括：提供衬底， 在衬底内形成金属层， 在衬底上依次形成阻挡层和介质层；在介质层上形成图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜， 对介质层与阻挡层进行第一次刻蚀， 至剩余部分厚度的阻挡层；去除图形化...
    2025-11-27
  • 改善硅残留的方法
    改善硅残留的方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510818464.1
    本发明公开了一种改善硅残留的方法， 包含：步骤一， 提供一半导体衬底， 在所述的半导体衬底上进行刻蚀形成深槽隔离结构的深沟槽；步骤二， 进行深槽隔离结构的深沟槽填充工艺， 在所述的深沟槽中填充满氧化物；步骤三， 去除所述的隔离区硬掩模层， ...
    2025-11-27
  • 深沟槽隔离结构及其制造方法
    深沟槽隔离结构及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510818448.2
    本申请公开了一种深沟槽隔离结构及其制造方法。该DTI结构应用于半导体衬底， 包括沟槽(含界定角区的沟槽段)、隔离介质层和填充材料。在角区， 所述沟槽段的相邻端部之间保留有一由半导体衬底构成的衬底材料部分， 且隔离介质层包括由该保留的衬底材料...
    2025-11-27
  • 沟槽的形成方法
    沟槽的形成方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510811728.0
    本申请公开了一种沟槽的形成方法， 其应用于半导体器件集成电路制造工艺中， 该方法包括：提供一晶片， 晶片上形成有氧化物层， 氧化物层上形成有硬掩模层， 硬掩模层包括氮化物层；通过光刻工艺在晶片中形成沟槽， 该沟槽用于形成STI结构；通过湿法...
    2025-11-27
  • 一种晶圆载台和晶圆移载装置
    一种晶圆载台和晶圆移载装置_苏州矽行半导体技术有限公司_202511185019.2
    本发明提供了一种晶圆载台和晶圆移载装置， 属于半导体晶圆机台技术， 晶圆载台包括载盘基座、载盘侧气浮导向模块、支撑模块、升降调平模块、旋转驱动模块、重力平衡模块和气吸载盘；底部气浮支撑的载盘基座包括内侧的横向驱动支撑区和外侧的载盘区；在横向...
    2025-11-27
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