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最新专利技术
  • 一种涤纶短纤生产用纤维材料挤出设备
    一种涤纶短纤生产用纤维材料挤出设备_宝之畅纺织科技扬州有限公司_202511030125.3
    本发明涉及塑料回收装置技术领域，具体为一种涤纶短纤生产用纤维材料挤出设备，包括挤出机主体，所述挤出机主体的前端固定连接有第一支架，所述第一支架的前端设置有用于强化涤纶粗纱的填充机构，所述第一支架的一侧安装有第三电机，所述第一支架的内侧设置有...
    2026-03-19
  • 一种抗菌磨尖丝的制备系统及方法
    一种抗菌磨尖丝的制备系统及方法_宁波恒尚纤维有限公司_202511033901.5
    本发明公开了一种抗菌磨尖丝的制备系统及方法，涉及抗菌磨尖丝制备技术领域，旨在解决现有技术抗菌磨尖丝生产过程中抗菌剂分散不均、配比调节滞后导致的抗菌性能不稳定的技术问题，包括以下步骤：S1.将聚合物原料和胍类抗菌剂按照预设比例，在原料预处理单...
    2026-03-19
  • 一种长竹节FDY丝的制备工艺
    一种长竹节FDY丝的制备工艺_现代纺织技术创新中心(鉴湖实验室)_202510921089.3
    本发明公开了一种长竹节FDY丝的制备工艺，包括如下制备步骤：①原料经预结晶、干燥，进入螺杆挤压机；②原料在螺杆挤压机中经熔融、挤压、混炼、均化后挤出；③挤出原料经过滤器、熔体管道进入纺丝箱体进行纺丝，纺丝箱体内安装有齿轮计量泵、喷丝板，齿轮...
    2026-03-19
  • 一种两两互掐并列结构纳米纤维的制备方法及制备喷头和静电纺丝装置
    一种两两互掐并列结构纳米纤维的制备方法及制备喷头和静电纺丝装置_上海理工大学_202511033309.5
    一种用于制备两两互掐并列结构纳米纤维的储罐式多流体组合喷头，包括一个横置的圆柱形纺丝液储罐，纺丝液储罐的一端设置有一个进液口，纺丝液储罐的另外一端设置有一个出液口；在纺丝液储罐的上侧表面开设有第一排通孔和第二排通孔，在纺丝液储罐的下侧表面开...
    2026-03-19
  • 一种纺丝自适应监测控制系统及方法
    一种纺丝自适应监测控制系统及方法_邵阳纺织机械有限责任公司_202510910786.9
    本发明公开了一种纺丝自适应监测控制系统及方法，涉及自适应监测控制技术领域。该纺丝自适应监测控制系统，包括：喷丝孔状态监测模块；喷丝孔智能清洁模块；自适应控制误差分析模块。本发明基于获取的喷丝孔状态数据进行喷丝孔状态分析，判断是否进行熔体剪切...
    2026-03-19
  • 一种三组份复合中空纤维低阻高效成丝系统及控制方法
    一种三组份复合中空纤维低阻高效成丝系统及控制方法_常州纺兴精密机械有限公司_202511383542.6
    本发明涉及复合中空纤维生产控制技术领域，具体涉及一种三组份复合中空纤维低阻高效成丝系统及控制方法，包括以下步骤：设定各组分的目标压力值；所述核心控制单元将三种组份熔体输送至所述复合纺丝箱；所述压力感知模块实时采集喷丝板入口处三种熔体的瞬时压...
    2026-03-19
  • 一种亚麻杆茎碎茎设备
    一种亚麻杆茎碎茎设备_中杰纤维科技(无锡)有限公司_202511205695.1
    本发明涉及亚麻杆茎破碎领域，尤其是一种亚麻杆茎碎茎设备，包括设备外壳、设置于设备外壳上的预处理单元、设置于设备外壳上用于配合预处理单元的输送单元，以及设置于设备外壳上用于配合输送单元的深加工单元，本发明通过挤压辊一转动，配合调节组件带动挤压...
    2026-03-19
  • 一种钢丝气化加工碳化硅的方法
    一种钢丝气化加工碳化硅的方法_天鉴碳材料有限公司_202510983217.7
    本发明涉及碳化硅处理技术领域，且公开了一种钢丝气化加工碳化硅的方法，该方法包括以下步骤：取一八寸SiC晶圆在氢气或氯气气氛中旋转，转速为10RPM，并用钢丝切割，另以一卷对卷的琴钢线压在上述晶圆上逆向移动，速度约1m/min；琴钢线乃穿过一...
    2026-03-19
  • 恒温TOPCon电池生产扩散炉
    恒温TOPCon电池生产扩散炉_淮安捷泰新能源科技有限公司_202511075041.1
    本发明涉及电池生产扩散炉技术领域，尤其涉及恒温TOPCon电池生产扩散炉，包括加热炉体，所述加热炉体的内部设有用于硼扩散制备PN结的高温扩散机构，加热炉体上设有用于调节硼源浓度的炉体送气机构，高温扩散机构能对炉体送气机构进行气体预热，高温扩...
    2026-03-19
  • 一种四元铌铁钴硫化物晶体、制备方法及应用
    一种四元铌铁钴硫化物晶体、制备方法及应用_中国科学技术大学_202511411177.5
    本发明公开了一种四元铌铁钴硫化物晶体、制备方法及应用，属于磁性材料的技术领域，具有显著面内与面外磁各向异性，其化学通式为Nb3(Fe, Co)S6；制备方法包括以下几个步骤，(1)原料准备与封装；(2)真空封装；(3)CVT反应；(4)降温...
    2026-03-19
  • 具有光热转换性能的晶体材料及其制备方法与用途
    具有光热转换性能的晶体材料及其制备方法与用途_宁波大学_202511041264.6
    本发明公开了具有光热转换性能的晶体材料及其制备方法与用途。具体地，TTFDPNI‑Cd‑MOF，属于正交晶系，空间群为Pbca，晶胞参数α＝β＝γ＝90°。TTFDPNI‑Co‑MOF，属于单斜晶系，空间群为P21/n，晶胞参数α＝γ＝90...
    2026-03-19
  • 一种范德华材料、其制备方法及应用
    一种范德华材料、其制备方法及应用_中国科学技术大学_202510965872.X
    本发明提供了一种范德华材料、其制备方法及应用，具有式所示化学式：In2Ge2Se6式Ⅰ；所述范德华材料具有层状结构，且层间总热导率和层内总热导率具有各向异性。本发明中的范德华材料具备独特的键合结构：采用“层间限域”策略形成层内强共价键‑层间...
    2026-03-19
  • 一种用于SiC晶体生长的热场部件及其制备方法
    一种用于SiC晶体生长的热场部件及其制备方法_江苏集芯先进材料有限公司_202511168713.3
    本申请属于SiC晶体生长技术领域，具体涉及一种用于SiC晶体生长的热场部件及其制备方法。该热场部件包括热场部件本体，所述热场部件本体是由多孔碳化钽材料构成的。该热场部件能够高效过滤碳颗粒且具备耐腐蚀性，使用寿命长，可显著降低生产成本。
    2026-03-19
  • 一种以Lu2O3/Y2O3/Sc2O3为相变稳定剂的Dy/Ho磁光晶体材料及其制备方法
    一种以Lu2O3/Y2O3/Sc2O3为相变稳定剂的Dy/Ho磁光晶体材料及其制备方法_山东大学_202510923253.4
    本发明公开了一种以Lu2O3/Y2O3/Sc2O3为相变稳定剂的Dy/Ho磁光晶体材料及其制备方法，属于磁光晶体材料技术领域。所述Dy/Ho磁光晶体材料的化学式为(R1‑xR’x)2O3，R为Lu、Y和Sc中的至少一种，R’为Dy或Ho，其...
    2026-03-19
  • 一种用于生长紫外低吸收蓝宝石晶体的热场装置及其应用
    一种用于生长紫外低吸收蓝宝石晶体的热场装置及其应用_苏州徕因光学科技有限公司_202511211663.2
    本发明属于晶体生长技术领域，具体公开了一种用于生长紫外低吸收蓝宝石晶体的热场装置及其应用，该装置包括坩埚、加热器、熔体区、热交换支撑、内部反射屏和外部热场。内部反射屏采用多层高纯钨或钼材质，外部热场为表面涂覆玻璃化层或碳化硅涂层的石墨基体。...
    2026-03-19
  • 一种二维铍烯材料及其预测方法和应用
    一种二维铍烯材料及其预测方法和应用_河南省科学院半导体研究所_202511002889.1
    本发明公开了一种二维铍烯材料及其预测方法和应用，属于新能源纳米材料技术领域。二维铍烯材料为γ相二维铍烯材料，空间群为P‑6m2，由三个平面三角形单层构成。该γ相二维铍烯材料，具有优异的电化学催化析氢反应性能，具有广泛的实际应用潜力。
    2026-03-19
  • 一种N型电池钝化层的分级沉积LPCVD工艺
    一种N型电池钝化层的分级沉积LPCVD工艺_平煤隆基新能源科技有限公司_202511031350.9
    本发明涉及N型晶硅太阳能电池制造技术领域，具体是涉及一种N型电池钝化层的分级沉积LPCVD工艺；主要步骤包括沉积硅氧隧穿层1.5～2.5nm和分级沉积膜层，所述的分级沉积膜层步骤中，包括一级沉积获得多晶硅薄膜90～150nm，晶化率为80～...
    2026-03-19
  • 一种快速直接合成磷化铟的方法及装置
    一种快速直接合成磷化铟的方法及装置_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511025705.3
    本发明提供一种快速直接合成磷化铟的方法及装置，涉及磷化铟合成技术领域，一种快速直接合成磷化铟的装置，包括用于第一高纯度铟放置和第一固体氧化硼放置的主坩埚；设置在主坩埚内，用于第二固体氧化硼放置熔化的导流破碎筒；设置在主坩埚外侧，用于第二高纯...
    2026-03-19
  • 一种基于偶极子化设计的Ⅰ型量子阱结构的制备方法
    一种基于偶极子化设计的Ⅰ型量子阱结构的制备方法_长春理工大学_202511404075.0
    本发明涉及半导体光电子技术领域，具体涉及一种基于偶极子化设计的Ⅰ型量子阱结构的制备方法。具体技术方案为：包括GaSb衬底，在所述GaSb衬底层上通过分子束外延技术生长GaSb缓冲层和3个周期的量子阱有源区Inx1Ga1‑x1Asy1Sb1‑...
    2026-03-19
  • 一种亚纳米图案化衬底辅助MPCVD金刚石异质外延系统及方法
    一种亚纳米图案化衬底辅助MPCVD金刚石异质外延系统及方法_哈尔滨工业大学_202511026145.3
    本发明公开了一种亚纳米图案化衬底辅助MPCVD金刚石异质外延系统及方法。该方法包括：获取MPCVD反应腔体内的微波功率、光谱数据以及表面预先设置亚纳米图案的异质衬底的表面温度数据；根据光谱数据确定当前反应阶段并计算当前气体比例，另外生成对应...
    2026-03-19
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