Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 具有可见光和短波红外检测的图像传感器
    具有可见光和短波红外检测的图像传感器_半导体元件工业有限责任公司_202411155271.4
    本公开涉及具有可见光和短波红外检测的图像传感器。本发明提供了一种图像传感器像素，包括：半导体衬底，具有前表面和背表面；光敏元件，形成在该半导体衬底的该前表面中并且被配置为感测第一波长范围中的光；互连堆叠，该互连堆叠形成在该半导体衬底的该前表...
    2025-11-30
  • 一种光电二极管阵列、光学编码器接收芯片及光传感器件
    一种光电二极管阵列、光学编码器接收芯片及光传感器件_科微半导体(珠海)有限公司_202510772634.7
    本发明涉及光电技术领域，公开一种光电二极管阵列、光学编码器接收芯片及光传感器件。光电二极管阵列包括若干个光电二极管集，每个光电二极管集包括第一光电二极管组和第二光电二极管组，第一光电二极管组和第二光电二极管组具有90度相位差且被配置成两列，...
    2025-11-30
  • 基于离子注入的硅基图像传感器及其制备方法
    基于离子注入的硅基图像传感器及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511382235.6
    本发明属于半导体制造技术领域，涉及一种基于离子注入的硅基图像传感器的制备方法。本发明通过离子注入的方式将离子注入光电二极管内，有利于形成表面结构复杂的光学调控结构。制备过程中通过热处理形成的稳定的光学调控结构，能够避免因蚀刻制程中因表面态及...
    2025-11-30
  • 晶圆级光感芯片封装结构及其制备方法
    晶圆级光感芯片封装结构及其制备方法_江苏芯德半导体科技股份有限公司_202511057824.7
    本发明公开了晶圆级光感芯片封装结构及其制备方法封装结构，封装结构包括玻璃基板、光学传感器芯片、SOC功能芯片和塑封部，玻璃基板背面的凹槽内设有光学传感器芯片，玻璃基板背面设有第一再布线金属层，第一再布线金属层表面焊接SOC功能芯片；玻璃基板...
    2025-11-30
  • 双深度沟槽及背照式图像传感器的制备方法
    双深度沟槽及背照式图像传感器的制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202510799625.7
    本发明提供一种双深度沟槽及背照式图像传感器的制备方法，通过一道光刻刻蚀工艺，形成口径不同的第一沟槽及第二沟槽，并在刻蚀加深第一沟槽的过程中，先在第一沟槽中填充牺牲层，通过牺牲层的隔离作用并结合热氧工艺在第二沟槽中形成氧化物层作为加深第一沟槽...
    2025-11-30
  • 包括光电探测器和多个阴极接触的结构
    包括光电探测器和多个阴极接触的结构_格芯新加坡私人有限公司_202510241038.6
    本公开涉及包括光电探测器和多个阴极接触的结构。包括诸如单光子雪崩二极管之类的光电探测器的结构及相关方法。该结构包括：半导体层，其具有器件区和顶表面；以及光电探测器，其包括位于器件区中的第一阱和第二阱。第一阱设置在第二阱和顶表面之间。该结构还...
    2025-11-30
  • 一种日盲紫外光感存算一体化的氧化镓光电晶体管及其制备方法
    一种日盲紫外光感存算一体化的氧化镓光电晶体管及其制备方法_西安电子科技大学杭州研究院_202511383407.1
    本发明公开了一种日盲紫外光感存算一体化的氧化镓光电晶体管及制备方法，包括衬底，衬底上设置有具备本征日盲紫外响应能力的氧化镓非故意掺杂层和N型氧化镓导电层；N型氧化镓导电层的两端通过注入掺杂离子分别形成源端离子注入重掺区和漏端离子注入重掺区，...
    2025-11-30
  • 一种锗探测器及其制备方法、应用
    一种锗探测器及其制备方法、应用_超滑科技(佛山)有限责任公司_202510982282.8
    本申请属于探测器制造技术领域，具体公开了一种锗探测器及其制备方法、应用，本申请包括硅基底，硅基底上设有二氧化硅层，二氧化硅层上方设有介质层，介质层容纳有隔离层、P+掺杂区、P++掺杂区、N+掺杂区域、N++掺杂区、锗探测层、漂移区、第一导体...
    2025-11-30
  • 一种紫外-红外双响应光电探测器、集成系统及制备方法
    一种紫外-红外双响应光电探测器、集成系统及制备方法_西安电子科技大学_202510967808.5
    本发明涉及一种紫外‑红外双响应光电探测器及相关集成系统和制备方法。光电探测器采用FET结构，包含绝缘介质层、栅电极、铁电层、黑磷沟道层、保护层、源电极和漏电极，其中，栅电极、铁电层、黑磷沟道层依次层叠，且栅电极和铁电层嵌入绝缘介质层中；源电...
    2025-11-30
  • 一种SiC/TiN NW紫外光电探测器
    一种SiC/TiN NW紫外光电探测器_陕西科技大学_202510967334.4
    本发明属于半导体紫外光探测技术领域，涉及一种SiC/TiN NW紫外光电探测器。本发明将金属氮化物TiN与SiC NW结合，制备了单根的SiC/TiN NW紫外光电探测器。在365nm光照下，在5V下器件具有8.7nA的暗电流，开关比为54...
    2025-11-30
  • 单光子雪崩二极管及其制备方法、光电检测装置及电子设备
    单光子雪崩二极管及其制备方法、光电检测装置及电子设备_阜时科技有限公司_202511011469.X
    本申请提供了一种单光子雪崩二极管及其制备方法、光电检测装置及电子设备，该单光子雪崩二极管包括基底层、第一掺杂区、第二掺杂区、隔绝区、第一电极和第二电极；第一掺杂区位于基底层上方，第二掺杂区位于第一掺杂区上方，且第一掺杂区与第二掺杂区的净掺杂...
    2025-11-30
  • 一种基于莫尔超晶格的室温宽谱红外探测器
    一种基于莫尔超晶格的室温宽谱红外探测器_浙大城市学院_202511383561.9
    本发明涉及一种基于莫尔超晶格的室温宽谱红外探测器，包括：硅衬底、TMDCs莫尔超晶格结构、半金属莫尔超晶格结构、AI2O3结构和电极；其中，沿远离硅衬底的方向依次设置TMDCs莫尔超晶格结构、半金属莫尔超晶格结构和AI2O3结构；TMDCs...
    2025-11-30
  • 基于横向异质结的光电逻辑门器件和逻辑电路
    基于横向异质结的光电逻辑门器件和逻辑电路_宁波大学_202511366302.5
    本发明提供一种基于横向异质结的光电逻辑门器件和逻辑电路，属于光电技术领域。该光电逻辑门器件包括衬底、功能层、第一电极和第二电极。其中，功能层设置在衬底上，功能层包括第一物质区和第二物质区，第一物质区包括SnS，第二物质区包括SnS2，第一物...
    2025-11-30
  • 金属纳米颗粒埋层调控的AlScN/Ga2O3日盲探测器及其制备方法
    金属纳米颗粒埋层调控的AlScN/Ga2O3日盲探测器及其制备方法_西安电子科技大学_202511019332.9
    金属纳米颗粒埋层调控的AlScN/Ga2O3日盲探测器，其特征在于，该日盲探测器结构从下往上依次为：Si衬底、AlScN薄膜、Au纳米颗粒或Al金属纳米颗粒、Ga2O3薄膜、电极；所述AlScN薄膜和Ga2O3薄膜形成异质结界面；异质结界面...
    2025-11-30
  • 紫外光电探测器、制备方法及在可编程逻辑门中的应用
    紫外光电探测器、制备方法及在可编程逻辑门中的应用_浙江大学_202510981414.5
    本发明涉及一种紫外光电探测器、制备方法及在可编程逻辑门中的应用。其包括：支撑基底；紫外波段光学响应单元，包括光学衬底以及无机量子点光敏层，其中，无机量子点光敏层与光学衬底间至少形成PN结；电荷传输层，位于无机量子点光敏层上，并与所述无机量子...
    2025-11-30
  • 一种SiC/CdS NW核壳纳米线紫外光电探测器
    一种SiC/CdS NW核壳纳米线紫外光电探测器_陕西科技大学_202510967332.5
    本发明属于半导体紫外光探测技术领域，涉及一种SiC/CdS NW核壳纳米线紫外光电探测器。本发明通过构筑SiC/CdSⅡ型异质结，利用CdS与SiC之间的带隙差实现了Ⅱ型能带偏移，并在界面处形成强内建电场。本发明提供的SiC/CdS NW核...
    2025-11-30
  • 一种PN结超表面增强PIN光电探测器和加工方法
    一种PN结超表面增强PIN光电探测器和加工方法_北京时代民芯科技有限公司_202510871618.3
    本发明提供一种PN结超表面增强PIN光电探测器，包括：增透膜、光敏面、上电极、保护环、本征吸收层、接触层及下电极；沿光入射方向依次为增透膜、光敏面、本征吸收层、接触层及下电极；增透膜和光敏面外圈设置上电极和保护环，上电极位于保护环上层；PN...
    2025-11-30
  • 多模式光电探测器及其制备方法
    多模式光电探测器及其制备方法_宁波大学_202511358072.8
    本发明提供一种多模式光电探测器及其制备方法，属于光电技术领域。该多模式光电探测器包括衬底、功能层和电极。其中，功能层设置在所述衬底上，所述功能层包括二硫化钼材料；电极设置在所述功能层上；在所述功能层中，所述二硫化钼材料具有1T相和2H相。本...
    2025-11-30
  • 硅纳米线／硫化铅／石墨烯复合结构光电探测器及其制备方法
    硅纳米线／硫化铅／石墨烯复合结构光电探测器及其制备方法_中国科学院重庆绿色智能技术研究院_202511060002.4
    本发明公开了一种硅纳米线／硫化铅／石墨烯复合结构光电探测器，包括由下到上依次设置的铟镓电极、硅衬底、氧化硅层、硅纳米线、硫化铅亚微米晶体及石墨烯/PMMA层；还包括设于氧化硅层表面的金电极，金电极的另一面与石墨烯/PMMA层接触连接。本发明...
    2025-11-30
  • 日盲紫外检测器及其制备方法
    日盲紫外检测器及其制备方法_广东纳米智造产业创新中心有限公司_202411704537.6
    本申请实施例提供了一种日盲紫外检测器及其制备方法。该日盲紫外检测器包括：基底，基底的材料为铌酸锂；第一电极，设置在基底的一个表面，包括相互连接的第一外接区域和指状区域，第一外接区域用于连接公共地端，指状区域包括多个相邻的第一指状结构；一个以...
    2025-11-30
首页 上一页 10 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证