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最新专利技术
  • 发光元件及发光器件
    发光元件及发光器件_苏州立琻光电科技有限公司_202410485158.6
    本申请实施例涉及一种发光元件及发光器件。发光元件包括：衬底；外延层，位于衬底上，包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；外延层包括多个阵列排布的像素单元区，各像素单元区包括第一子像元区、第二子像元区、第三子像元区和虚设结构区，分布于...
    2025-11-30
  • 显示装置
    显示装置_三星显示有限公司_202510484790.3
    显示装置包括：第一反射电极，包括导电性物质；绝缘层，局部覆盖第一反射电极；第一连接图案，配置在暴露第一反射电极的至少一部分的绝缘层的第一接触孔内，并与第一反射电极电连接；第一连接电极，配置在绝缘层上，并与第一连接图案电连接，并且具有第一电阻...
    2025-11-30
  • LED显示单元、制作方法及LED显示屏
    LED显示单元、制作方法及LED显示屏_深圳市洲明科技股份有限公司_202410508509.0
    本申请适用于显示技术领域，提供了一种LED显示单元、制作方法及LED显示屏，ED显示单元包括电路板、发光元件、面罩、多个光电探测器和控制器，面罩的背离电路板的表面设有光学结构，用于接收外部的光线并将光线沿第一方向和第二方向传导，多个光电探测...
    2025-11-30
  • 用于光医疗的可拉伸柔性LED阵列器件及其制备方法
    用于光医疗的可拉伸柔性LED阵列器件及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202410500096.1
    本发明涉及光医疗技术领域，具体提供一种用于光医疗的可拉伸柔性LED阵列器件及其制备方法，器件包括LED发光单元、柔性电极、柔性聚合物基底和封装层；其中，不同发光波长的LED发光单元阵列化排布在柔性聚合物基底的表面并接入柔性电极组成发光阵列实...
    2025-11-30
  • 全彩Micro LED装置及其制备方法
    全彩Micro LED装置及其制备方法_晶能光电股份有限公司_202410488305.5
    本发明提供的全彩Micro LED装置及其制备方法，采用3D封装技术，将第一半导体发光结构、第二半导体发光结构和第三半导体发光结构依次垂直堆叠并键合于驱动基板表面，第一半导体发光结构的第一半导体层与第一电极触点导电连接，第二半导体发光结构的...
    2025-11-30
  • 一种线路板、发光器件及发光器件的制作方法
    一种线路板、发光器件及发光器件的制作方法_佛山市国星电子制造有限公司_202511065775.1
    本发明公开了一种线路板、发光器件及发光器件的制作方法，线路板上设置有驱动IC芯片固晶区域，驱动IC芯片固晶区域中设置有若干个驱动IC芯片引脚焊盘，任意一个驱动IC芯片引脚焊盘上形成有若干个凹槽，若干个凹槽形成若干个凹槽单元，若干个凹槽单元呈...
    2025-11-30
  • 显示模组和显示装置
    显示模组和显示装置_上海天马微电子有限公司_202510956071.7
    本发明实施例提供一种显示模组和显示装置。显示模组包括：相对设置的第一基板和第二基板，显示模组的出光面位于第一基板的远离第二基板一侧；第一信号线和第二信号线；第一信号线由第一基板的远离第二基板一侧经第一基板的侧面延伸至第一基板靠近第二基板一侧...
    2025-11-30
  • 发光二极管的激光剥离装置和激光剥离方法
    发光二极管的激光剥离装置和激光剥离方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202510738399.1
    本公开提供了一种发光二极管的激光剥离装置和激光剥离方法，属于光电子制造技术领域。该激光剥离装置包括：安装平台、下压载板、第一驱动机构和第二驱动机构；所述安装平台的承载面用于安装待剥离产品，所述下压载板位于所述安装平台的上方，且与所述承载面平...
    2025-11-30
  • 芯片固晶方法
    芯片固晶方法_东莞市中麒光电技术有限公司_202410511712.3
    本发明公开一种芯片固晶方法，包括如下步骤：提供临时载体，临时载体上排列有若干LED芯片，LED芯片包括电极面，电极面上设有第一电极及第二电极，第一电极和第二电极的厚度为第一厚度；提供目标基板，目标基板上设有若干焊盘单元，焊盘单元包括第一焊盘...
    2025-11-30
  • 用于全彩显示器的微型发光二极管巨量转移方法
    用于全彩显示器的微型发光二极管巨量转移方法_达迈科技股份有限公司_202410506076.5
    本申请公开一种用于全彩显示器的微型发光二极管巨量转移方法。其是用以巨量将红、蓝及绿色彩的微型发光二极管转移至一驱动电路板上，该转移方法包括下列步骤：提供一第一黏着基材，其包括有一第一载体及设于该第一载体上的第一黏着片；提供一二甲基硅氧烷拾取...
    2025-11-30
  • 一种掩膜版、承载装置及激光剥离方法
    一种掩膜版、承载装置及激光剥离方法_元旭半导体科技(无锡)有限公司_202511059964.8
    本发明涉及激光剥离技术领域，具体为一种掩膜版、承载装置及激光剥离方法，掩膜版包括透光区、遮光区，透光区用于激光透射，遮光区用于遮挡激光，承载装置包括上述掩膜版、承载板本体、开设于承载板本体中的放置区；激光剥离时，将显示屏放置于放置区中，将掩...
    2025-11-30
  • 一种基于双层半固化胶膜的高透光COB封装方法
    一种基于双层半固化胶膜的高透光COB封装方法_深圳市玖润光电科技有限公司_202510885015.9
    本发明涉及一种基于双层半固化胶膜的高透光COB封装方法，包括如下步骤：S1：低透光底膜压合处理：将底膜膜材贴合到待封装组件的芯片面上，进行第一次真空热压处理，形成底膜，得到一级组件；S2：低透光底膜固化处理：对一级组件进行第一次固化处理，得...
    2025-11-30
  • 一种内置匀光微结构的小角度LED灯珠及其制备方法
    一种内置匀光微结构的小角度LED灯珠及其制备方法_深圳市启智光电子科技有限公司_202511387004.4
    本申请公开了一种内置匀光微结构的小角度LED灯珠及其制备方法，小角度LED灯珠包括一多层封装体，多层封装体覆盖在LED芯片上，并且包括第一封装层和第二封装层，第一封装层包含荧光粉并直接覆盖在LED芯片上；第二封装层设置在第一封装层的第一上表...
    2025-11-30
  • 一种迭代循环触发的半导体发光装置及其制备方法
    一种迭代循环触发的半导体发光装置及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511361896.0
    本发明涉及光电转换器件技术领域，尤其涉及一种迭代循环触发的半导体发光装置及其制备方法。装置包括半导体发光二极管，以及设置于所述半导体发光二极管的四周的石英衬底；所述石英衬底上涂覆上转换发光薄膜；所述上转换发光薄膜中的上转换发光材料包括NaY...
    2025-11-30
  • 一种柔性可拉伸封装结构及光疗贴
    一种柔性可拉伸封装结构及光疗贴_北京梦之墨科技有限公司_202511234990.X
    本发明公开了一种柔性可拉伸封装结构及光疗贴，涉及柔性可拉伸电子技术领域领域。封装结构，包括：可拉伸基底；设于可拉伸基底上的弹性导电线路，包括相连的第一走线、第二走线和焊盘；设于可拉伸基底上的可拉伸封装，覆盖第一走线，其上设有用以露出弹性导电...
    2025-11-30
  • 实时调节出光角度的发光二极管及其制备方法
    实时调节出光角度的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202510793697.0
    本公开提供了一种实时调节出光角度的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层和超表面层，所述超表面层位于所述外延层的表面上；所述超表面层包括多个柱状结构，多个所述柱状结构阵列排布在所述外延层的表面上；所述超表面...
    2025-11-30
  • 一种基于隧道结的高性能红光Micro LED外延结构及制备方法
    一种基于隧道结的高性能红光Micro LED外延结构及制备方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511383446.1
    本申请公开了一种基于隧道结的高性能红光Micro LED外延结构及制备方法，结构包括：GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型AlGaInP刻蚀截止层、隧道结结构、n型AlInP限制层、InGaP/AlInP多量子阱发光层、p型AlInP限制...
    2025-11-30
  • 一种微型发光二极管
    一种微型发光二极管_苏州大学_202510920965.0
    本发明公开了一种微型发光二极管，依次包括多面微锥镜图案层、外延层、电极和驱动基板，外延层依次包括GaN‑GaO半导体层、应力释放层、量子阱层、电子阻挡层和p‑GaN层，多面微锥镜图案层设置在GaN‑GaO半导体层上；所述多面微锥镜图案层通过...
    2025-11-30
  • 半导体元件
    半导体元件_晶元光电股份有限公司_202510563796.X
    本发明公开一种半导体元件，包括外延结构、第一电极、绝缘结构、阻挡层以及第二电极。外延结构包含第一半导体层、第二半导体层以及位于第一半导体层及第二半导体层间的活性区。第二半导体层具有第一部分及第二部分。第二部分的宽度小于第一部分的宽度，且第一...
    2025-11-30
  • 一种基于选区自组装纳米结构的发光二极管及其制备方法
    一种基于选区自组装纳米结构的发光二极管及其制备方法_厦门大学_202511003588.0
    本发明涉及发光二极管技术领域，公开了一种基于选区自组装纳米结构的发光二极管及其制备方法，包括：衬底层；主缓冲层，设置在衬底层的一侧表面上；分布式布拉格反射器结构，包括多个多孔n型掺杂层和多个n型掺杂层，多个多孔n型掺杂层和多个n型掺杂层自下...
    2025-11-30
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