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最新专利技术
  • 一种基于光致相变忆阻器储备池芯片系统及其应用
    一种基于光致相变忆阻器储备池芯片系统及其应用_西南大学_202510880156.1
    本发明公开了一种基于光致相变忆阻器储备池芯片系统及其应用，其中所述器件包括：透明基底层；覆盖在所述透明基底层上的MoOx薄膜层，所述MoOx薄膜层用于在特定波长的紫外光照射下诱导产生HyMoOx高导电相；以及覆盖在所述MoOx薄膜层上的电极...
    2025-12-01
  • 双面超导衬底的制造方法与超导量子芯片
    双面超导衬底的制造方法与超导量子芯片_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202410524173.7
    本发明公开了一种双面超导衬底的制造方法与超导量子芯片。制造方法包括：提供衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面；在衬底上形成从第一表面贯穿至第二表面的通孔；在第一表面和第二表面分别形成部分延伸至通孔内且互不超导连接的第一超导种子层和第二超导...
    2025-12-01
  • 一种采用CaN二维电子气膜的霍尔片及其制备方法与应用
    一种采用CaN二维电子气膜的霍尔片及其制备方法与应用_山东芯晶微电子有限公司_202511010091.1
    本发明涉及一种采用CaN二维电子气膜的霍尔片及其制备方法与应用，霍尔片由下到上依次包括衬底、成核层、缓冲层、插入层和势垒层，组成多层膜，多层膜中部截面为矩形，两侧对称设置有4处台面，势垒层上侧设置有4处欧姆金属，台面和欧姆金属上覆盖有PAD...
    2025-12-01
  • 半导体元件
    半导体元件_联华电子股份有限公司_202410585740.X
    本发明公开一种半导体元件，其主要包含一金属间介电层设于基底上，一第一金属内连线以及一第二金属内连线设于该金属间介电层内，一下电极设于该金属间介电层上，一自旋轨道转矩式(spin orbit torque, SOT)层设于下电极上，一磁性隧穿...
    2025-12-01
  • 手性自旋太赫兹发射器件及其制备方法、手性调控方法
    手性自旋太赫兹发射器件及其制备方法、手性调控方法_安徽大学_202511386572.2
    本发明公开了一种手性自旋太赫兹发射器件及其制备方法、手性调控方法，属于太赫兹发射领域。本发明提供的手性自旋太赫兹发射器件，包括依次堆叠的衬底、反铁磁层、手性钙钛矿层和重金属层。该太赫兹发射器件的手性调控方法为：飞秒激光照射手性自旋太赫兹发射...
    2025-12-01
  • 磁性随机存储单元、写入方法及存储系统
    磁性随机存储单元、写入方法及存储系统_北京航空航天大学_202511034925.2
    本发明提供了一种磁性随机存储单元、写入方法及存储系统，磁性随机存储单元包括：底电极层，设于衬底上；至少一个磁隧道结，设于所述底电极层上，包括自由层、设于所述自由层上的绝缘层以及设于所述绝缘层上的参考层；写入电流经由写入通道输入，所述写入通道...
    2025-12-01
  • 磁阻式随机存取存储器及其制作方法
    磁阻式随机存取存储器及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410586298.2
    本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中制作磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件的方法主要包括：先形成一自旋轨道转矩式(spin orbit torq...
    2025-12-01
  • 磁阻式随机存取存储器及其制作方法
    磁阻式随机存取存储器及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410586219.8
    本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中制作磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件的方法，其主要包含先形成一自旋轨道转矩式(spin orbit tor...
    2025-12-01
  • 一种可调焦区聚焦超声方法、压电超表面制备方法及系统
    一种可调焦区聚焦超声方法、压电超表面制备方法及系统_北京航空航天大学_202511384086.7
    本申请公开了一种可调焦区聚焦超声方法、压电超表面制备方法及系统，涉及电数字数据处理领域，该方法包括：根据目标焦点区域的形状和尺寸确定艾里波函数的关键参数；基于艾里波函数的关键参数确定各个压电单元的相位分布，以形成二进制相位分布；制备具有二进...
    2025-12-01
  • 工业参数优化方法
    工业参数优化方法_广东东软学院_202511147381.0
    本申请涉及工业控制技术领域，尤其涉及一种工业参数优化方法。所述工业参数优化方法包括以下步骤：压电陶瓷刀包括压电层和基体层；在压电陶瓷刀完成烧结并冷却至居里点以下的预设温度窗口时，向压电层施加预极化电场；预极化完成后，在继续降温过程中获取所述...
    2025-12-01
  • 石英晶圆片刻蚀槽平坦化方法
    石英晶圆片刻蚀槽平坦化方法_泰晶科技股份有限公司_202510870091.2
    本申请涉及石英晶体频率器件制备的技术领域，具体涉及一种石英晶圆片刻蚀槽平坦化方法，包括以下步骤：对刻蚀槽构建多个厚度检测点M；对任一厚度检测点M进行厚度检测，得第一厚度分布集；基于第一厚度分布集确定第一最薄厚度检测点；确定第一平坦厚度；针对...
    2025-12-01
  • 固体添加剂在有机太阳能电池中的应用及电池制备方法
    固体添加剂在有机太阳能电池中的应用及电池制备方法_贵州大学_202510848336.1
    本申请提供了一种固体添加剂在有机太阳能电池中的应用及太阳能电池。本申请提供的固体添加剂结构为甲氧基与卤素原子同时存在于苯核侧基。该固体添加剂可对活性层形貌进行有效调控从而提高光伏器件性能，加入该固体添加剂后受体分子在活性层中的排列更加紧密有...
    2025-12-01
  • 一种柔性钙钛矿光伏材料及其制备方法
    一种柔性钙钛矿光伏材料及其制备方法_洛阳理工学院_202511012176.3
    本发明属于光伏材料领域，提供了一种柔性钙钛矿光伏材料及其制备方法。本发明包括：柔性基底层，所述柔性基底层由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成，表面修饰有纳米级二氧化硅颗粒；钙钛矿活性层，所述化学式为ABX3，其中A为甲脒离子与铯离子的混合阳离子，B为...
    2025-12-01
  • 一种吸光层、制备方法及钙钛矿电池
    一种吸光层、制备方法及钙钛矿电池_江苏盛开新能科技有限公司_202511006443.6
    本发明涉及一种吸光层、制备方法及钙钛矿电池，吸光层包括钙钛矿材料和添加剂，添加剂与钙钛矿材料混合形成吸光层，钙钛矿材料为ABX3，其中A为一种或多种一价阳离子，B为一种或多种二价阳离子，X为一种或多种卤素离子，添加剂包含铷盐和苯乙胺卤化物。...
    2025-12-01
  • 静电控制方法及退火设备
    静电控制方法及退火设备_天合光能股份有限公司_202510974709.X
    本申请涉及一种静电控制方法及退火设备，该退火设备包括样品台、离子发生器、静电传感器和控制器，所述样品台用于放置待退火的样品；所述静电传感器电连接所述控制器，用于检测所述样品的表面电位；所述控制器电连接所述离子发生器，用于在所述表面电位大于或...
    2025-12-01
  • 一种空穴传输层界面修饰的太阳能电池及其制备方法
    一种空穴传输层界面修饰的太阳能电池及其制备方法_桂林电子科技大学_202510940048.9
    本发明涉及光电薄膜技术领域，公开了通过一种空穴传输层界面修饰的太阳能电池及其制备方法，该制备方法包括在透明导电基底上沉积氧化镍薄膜，形成空穴传输层；在氧化镍薄膜表面修饰混合SAMs，所述混合SAMs包括含磷酸基团的自组装单分子层和含硼酸基团...
    2025-12-01
  • 一种隧穿互联层结构及其制备方法
    一种隧穿互联层结构及其制备方法_仁烁光能(苏州)有限公司_202511385167.9
    一种隧穿互联层结构及其制备方法，包括：步骤S1：提供透明导电衬底，在透明导电衬底上依次形成空穴传输层、宽带隙钙钛矿以及第一电子传输层；步骤S2：通过原子层沉积工艺沉积二氧化锡作为致密层；步骤S3：将传输层溶液与复合层分散液以任意体积比进行混...
    2025-12-01
  • 一种SnO2纳米粒子电子传输层及钙钛矿太阳能电池
    一种SnO2纳米粒子电子传输层及钙钛矿太阳能电池_南开大学_202511370235.4
    本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种SnO2纳米粒子电子传输层及钙钛矿太阳能电池，其方法包括：将二价锡源、有机配体加入到去离子水中，并用pH控制剂调节溶液的pH值在1.5‑3.0，混合均匀，得到前驱液；将导电玻璃基底浸入前驱液中，在密闭环境...
    2025-12-01
  • 一种前驱体溶液、钙钛矿吸收层及其制备方法和应用
    一种前驱体溶液、钙钛矿吸收层及其制备方法和应用_天合光能股份有限公司_202511192058.5
    本申请实施例提供了一种前驱体溶液、钙钛矿吸收层及其制备方法和应用，所述前驱体溶液包括有机盐、金属氯化水合物以及溶剂；所述金属氯化水合物包括氯化钕六水合物、氯化钌水合物、氯化镍六水合物、氯化钴六水合物、氯化钆六水合物中的任意一种或至少两种的组...
    2025-12-01
  • 一种在氮化镓衬底上制备高质量准二维钙钛矿薄膜的方法
    一种在氮化镓衬底上制备高质量准二维钙钛矿薄膜的方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511015620.7
    本发明涉及一种在氮化镓衬底上制备高质量准二维钙钛矿薄膜的方法，涉及半导体技术领域。本发明的在氮化镓衬底上制备高质量准二维钙钛矿薄膜的方法包括以下步骤：对氮化镓衬底进行清洗，并进行Plasma处理；在经过处理的氮化镓衬底上旋涂钙钛矿前驱体溶液...
    2025-12-01
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