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最新专利技术
  • 功率模块的热传递
    功率模块的热传递_半导体元件工业有限责任公司_202511158663.0
    本发明题为“功率模块的热传递”。在一个一般方面，本发明公开了一种装置，所述装置可包括具有半导体管芯的模块。所述装置可包括散热器，所述散热器耦接到所述模块并且包括衬底和多个凸起。所述装置可包括具有通道的盖，其中所述散热器的所述多个凸起设置在所...
    2025-11-30
  • 一种具有倾斜阶梯通道结构的两相微通道冷板
    一种具有倾斜阶梯通道结构的两相微通道冷板_南京理工大学_202511146279.9
    本发明公开了一种具有倾斜阶梯通道结构的两相微通道冷板，包括：基板与盖板，基板具有多个纵向间隔布置的微通道单元；每个微通道单元具有多个同中心横向连接的通道槽孔；通道槽孔的底面为倾斜面，使得相邻通道槽孔在连接位置处存在阶梯结构；盖板密封连接在基...
    2025-11-30
  • 一种封装结构、电子设备及芯片封装方法
    一种封装结构、电子设备及芯片封装方法_华为技术有限公司_202510928790.8
    本申请提供了一种封装结构、电子设备及芯片封装方法，该封装结构包括：基板、芯片、支撑部和导热盖板；芯片安装于基板表面，导热盖板设置于芯片背离基板的一侧；导热盖板朝向基板的表面具有与芯片相对的填充区域，填充区域有开口朝向基板的容纳槽，芯片与容纳...
    2025-11-30
  • 封装结构及其制造方法
    封装结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510824382.8
    本发明公开一种封装结构及其制造方法。此封装结构包括一电子装置以及一散热体结构。该散热体结构设置于该电子装置之上，且包括：一基部部分、多个热通孔以及一导热层。该多个热通孔延伸穿过该基部部分。该导热层设置在该基部部分与该电子装置之间。该多个热通...
    2025-11-30
  • 用于冷却功率半导体部件的冷却单元
    用于冷却功率半导体部件的冷却单元_罗伯特·博世有限公司_202510672620.8
    本发明涉及一种用于冷却功率半导体部件的冷却单元。该冷却单元包括入口元件、出口元件以及带有冷却通道的壳体元件，其中，冷却通道设置为将冷却介质从入口元件导引至出口元件。此外，冷却单元包括布置在壳体元件中的流体导引元件。该流体导引元件设置为形成具...
    2025-11-30
  • 包括散热结构的封装结构及其制备方法
    包括散热结构的封装结构及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202411510565.4
    本公开提供一种封装结构及其制备方法。该封装结构包括一电子元件和一散热结构。该散热结构设置于该电子元件之上，且包括一基部、多个热通孔、和一导热层。该些热通孔延伸穿过该基部。该导热层内埋于该基部中并连接至该些热通孔。该些热通孔通过该导热层热连接...
    2025-11-30
  • 封装结构
    封装结构_南亚科技股份有限公司_202411361168.5
    本发明公开一种封装结构。此封装结构包括一电子装置以及一散热体结构。该散热体结构设置于该电子装置之上，且包括：一基部部分、多个热通孔以及一导热层。该多个热通孔延伸穿过该基部部分。该导热层设置在该基部部分与该电子装置之间。该多个热通孔通过该导热...
    2025-11-30
  • 一种半导体封装结构及其制作方法、电子设备
    一种半导体封装结构及其制作方法、电子设备_成都奕成集成电路有限公司_202511225305.7
    本申请提供一种半导体封装结构及其制作方法、电子设备，半导体封装结构包括：基板；位于基板一侧的目标芯片；位于基板靠近目标芯片的一侧且包裹目标芯片的第一封装层，目标芯片远离基板的一侧与第一封装层齐平；位于第一封装层远离基板的一侧的加强环，其中，...
    2025-11-30
  • 一种3D封装结构及其封装方法
    一种3D封装结构及其封装方法_华天科技(江苏)有限公司_202511193106.2
    本发明提供了一种3D封装结构，其可减少无源器件在基板侧的占位，增加无源器件的可放置区域，增加了芯片的集成度，且能缩短无源器件到芯粒的距离，提高封装的互联可靠性和组装性。其包括：塑封层；芯粒；钝化层；金属重布层；以及至少两个无源器件，其包括位...
    2025-11-30
  • 一种半桥模块的叠装结构及其制造工艺
    一种半桥模块的叠装结构及其制造工艺_黄山学院_202511096769.2
    本发明公开了一种半桥模块的叠装结构及其制造工艺，该半桥模块包含第一芯片组和第二芯片组，两组芯片在同一平面内分别沿圆心一致、半径不同的外圆形和内圆形均匀排列，且彼此交错。两组芯片通过与上下两块圆形覆铜陶瓷板互连，实现半桥电路拓扑。半桥模块的制...
    2025-11-30
  • 一种半导体封装结构及其形成方法
    一种半导体封装结构及其形成方法_湖北江城芯片中试服务有限公司_202511092161.2
    本公开实施例公开了一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构包括：晶圆、多个晶粒、介质层和有机软膜。多个晶粒键合于晶圆上。介质层填充于相邻晶粒的侧表面之间。有机软膜填充于介质层和晶粒的侧表面之间，且覆盖相邻晶粒的侧表面。
    2025-11-30
  • 一种嵌入式扇出封装方法及其封装结构
    一种嵌入式扇出封装方法及其封装结构_上海航天电子通讯设备研究所_202511051794.9
    本发明提供了一种嵌入式扇出封装方法及其封装结构，制备方法包括S1：制造共烧陶瓷嵌入基板，基板设置有若干贯穿基板的贯通腔，贯通腔下部分厚度大于芯片厚度，贯通腔上部分面积大于贯通腔下部分；S2：使用临时键合膜将共烧陶瓷嵌入基板键合在临时键合基板...
    2025-11-30
  • 半导体装置中的屏障
    半导体装置中的屏障_安华高科技股份有限公司_202510579234.4
    本公开的实施例涉及半导体装置中的屏障。提供用于实施半导体封装或芯片封装的新颖工具及技术，且更特定来说，提供用于实施包含用以形成禁入区或禁出区的一或多个屏障的半导体封装或芯片封装的方法、系统及设备。在各种实施例中，系统包含衬底，所述衬底包含第...
    2025-11-30
  • 半导体封装组件及其制备方法
    半导体封装组件及其制备方法_华为技术有限公司_202410661784.6
    一种半导体封装组件及其制备方法，其中，该封装组件包括钝化层、导电层、芯片、第一封装层和第二封装层。导电层设置于钝化层中，且导电层的至少部分部位漏出于钝化层。芯片与导电层电连接。第一封装层连接于钝化层，且包覆于芯片的表面。第二封装层包覆于第一...
    2025-11-30
  • 薄膜芯片封装结构及封装方法、晶圆封装结构及封装方法
    薄膜芯片封装结构及封装方法、晶圆封装结构及封装方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410644335.0
    一种薄膜芯片封装结构及封装方法、晶圆封装结构及封装方法，包括：在功能面上形成第一封装层，第一封装层内具有若干第一凹槽；在第一封装层表面和若干第一凹槽内形成金属层；在金属层表面形成第二封装层；在第二封装层内形成位于各薄膜芯片区上的若干第二凹槽...
    2025-11-30
  • 封装加强件、半导体器件的封装结构、方法及通信设备
    封装加强件、半导体器件的封装结构、方法及通信设备_平头哥(上海)半导体技术有限公司_202410644090.1
    本申请实施例提供一种封装加强件、半导体器件的封装结构、方法及通信设备，其中，所述半导体器件的封装结构，包括：基板；至少一个芯片，位于所述基板上；封装加强件，位于所述基板上，且所述封装加强件的壁状结构包括第一壁状结构，以使第一壁状结构、顶面结...
    2025-11-30
  • 一种非对称玻璃基板的封装结构及方法
    一种非对称玻璃基板的封装结构及方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511160879.0
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种非对称玻璃基板的封装结构及方法。包括玻璃基板，所述的玻璃基板包括玻璃芯板、介质层、第一芯片，玻璃芯板内设有芯片槽，芯片槽内贴装第一芯片，位于玻璃芯板两侧表面分别设有介质层，介质层、玻璃芯板内分别设有...
    2025-11-30
  • 半导体器件单切的方法和半导体器件
    半导体器件单切的方法和半导体器件_英飞凌科技股份有限公司_202510655640.4
    本公开涉及半导体器件单切的方法和半导体器件。提出一种半导体器件单切的方法。所述方法包括：在半导体器件衬底(102)之上形成缓冲涂覆层(104)，半导体器件衬底(102)包括沿侧向由锯口区域(108)分离的半导体器件。缓冲涂覆层(104)在锯...
    2025-11-30
  • 孔填充方法及半导体器件
    孔填充方法及半导体器件_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511064509.7
    本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种孔填充方法及半导体器件。其中，孔填充方法包括：提供含有待填充孔的半导体基底；在所述待填充孔内表面形成钨成核层；向反应腔通入隔离气体，以使所述隔离气体吸附于所述钨成核层表面；在所述钨成核层表面继续进...
    2025-11-30
  • 互连结构和形成半导体结构的方法
    互连结构和形成半导体结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511043204.8
    形成半导体结构的方法包括：在第一介电层中形成导电部件，在导电部件上方沉积第二介电层，在第二介电层中形成第一开口以暴露导电部件的顶面，在导电部件的顶面上选择性地沉积抑制剂膜，在第一开口的侧壁上沉积介电阻挡层，去除抑制剂膜以暴露导电部件的顶面，...
    2025-11-30
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