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最新专利技术
  • 开关柜
    开关柜_西电宝鸡电气有限公司_202511346685.X
    本发明提供了一种开关柜，涉及电力安全控制技术领域。开关柜中的触头盒组件包括沿左右方向间隔设置的六个触头盒，上部三个触头盒内的静触头通过三相支母线连接于主母线组件；线排组件包括第一线排和两个第二线排，第一线排设于中间触头盒内，两个第二线排分别...
    2026-01-26
  • 一种电力配电网运行自动断电装置
    一种电力配电网运行自动断电装置_胡根_202511312073.9
    本发明涉及电力配电网安全保护技术领域，本发明公开了一种电力配电网运行自动断电装置，包括断路器主体；机械挡板，设在所述断路器主体一侧；防护机构，集成在所述断路器主体和机械挡板上，在断路器主体自动断电后，自动驱动机械挡板对断路器主体的开关进行遮...
    2026-01-26
  • 一种具备温控联动与轮换控制功能的无功补偿装置
    一种具备温控联动与轮换控制功能的无功补偿装置_成都康派斯特科技有限公司_202511410147.2
    本申请提供了一种具备温控联动与轮换控制功能的无功补偿装置，涉及无功补偿装置安装技术领域，包括：壳体，壳体构造为沿长度方向上间隔且与土层连接的多个，相邻两个壳体之间形成有安装间隙，壳体内设置有安装空间，安装空间朝向相邻的壳体敞开；密封组件宽度...
    2026-01-26
  • 一种接闪装置
    一种接闪装置_中国商用飞机有限责任公司_202511509355.8
    一种接闪装置，包括能接引闪电的接闪件，并包括激光发生器，激光发生器能产生电离空气形成等离子体通道的激光，在接闪件上设有开口，该开口供激光沿诱导方向穿过而射出至接闪件的外部，从而使闪电沿诱导方向接引至接闪件。
    2026-01-26
  • 一种电力线载波通信防雷击接地机构
    一种电力线载波通信防雷击接地机构_江苏祥华科技有限公司_202511360459.7
    本发明涉及防雷接地技术领域，具体为一种电力线载波通信防雷击接地机构，包括底台外表面两侧设置的固定组件，和其外表面顶部设置的清洁组件，以及其外表面两侧设置的吸附组件；所述固定组件包括多个固定块，且多个固定块的内部均滑动嵌设有滑块，多个所述滑块...
    2026-01-26
  • 瞬态电压保护器件
    瞬态电压保护器件_TDK株式会社_202510681183.6
    瞬态电压保护器件具备：素体；第一外部电极，其配置于素体的表面；第二外部电极，其配置于素体的表面，且从第一外部电极分离；第一内部电极；以及第二内部电极，第一内部电极配置于素体内，并连接于第一外部电极。第二内部电极在素体内与第一内部电极相对，连...
    2026-01-26
  • 一种宽温度工作高功率DFB半导体激光芯片
    一种宽温度工作高功率DFB半导体激光芯片_深圳市智光半导体科技有限公司_202511318849.8
    本发明公开了一种宽温度工作高功率DFB半导体激光芯片，涉及半导体激光芯片技术领域，由P‑InGaAsP下波导层、InGaAsP应变多量子经、N‑InGaAsP上波导层、InAlAs‑InP超晶格势垒层、N‑InP间隔层一、N‑InGaAsP...
    2026-01-26
  • 一种基于三器件片上集成的中红外激光器及其制备方法
    一种基于三器件片上集成的中红外激光器及其制备方法_长春理工大学_202511686540.4
    一种基于三器件片上集成的中红外激光器及其制备方法，涉及半导体激光技术与光通信技术交叉领域，缓解了现有量子级联激光器QCL技术存在高调制速率与高功率无法兼顾的问题。一种中红外激光器，包括依次设置于衬底上的QCL单元、EAM单元和SOA单元；所...
    2026-01-26
  • 一种具备二维莫尔超晶格层的激光元件
    一种具备二维莫尔超晶格层的激光元件_安徽格恩半导体有限公司_202511250617.3
    本发明涉及光电元件技术领域，公开了一种具备二维莫尔超晶格层的激光元件，包括具备二维莫尔超晶格层的激光元件从下至上依次包括：衬底层、n型包覆层、二维莫尔超晶格层、下波导层、量子阱有源区、电子阻挡层、上波导层、p型包覆层和p型接触层。本发明通过...
    2026-01-26
  • 一种GaN基蓝光激光器及其制备方法
    一种GaN基蓝光激光器及其制备方法_武汉鑫威源电子科技有限公司_202511707771.9
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种GaN基蓝光激光器及其制备方法，包括衬底，所述衬底上依次层叠设置有N型GaN层、N型下限制层、N型下波导层、有源区、上波导层、P型电子阻挡层、P型上限制层、P型接触层；所述P型上限制层是由至少一层...
    2026-01-26
  • 一种GaN基蓝光激光器外延结构及其制备方法
    一种GaN基蓝光激光器外延结构及其制备方法_武汉鑫威源电子科技有限公司_202511707417.6
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种GaN基蓝光激光器外延结构及其制备方法，包括衬底，衬底上依次层叠设置有N型GaN层、N型下限制层、N型下波导层、有源区、上波导层、U型覆盖层、P型电子阻挡层、P型上限制层、P型接触层；P型电子阻挡...
    2026-01-26
  • 一种半导体激光器
    一种半导体激光器_安徽格恩半导体有限公司_202511254406.7
    本说明书实施例提供一种半导体激光器。该激光器从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上包覆层。其中，下波导层为抑制光学灾变下波导层；抑制光学灾变下波导层包括第一抑制光学灾变下波导层、第二抑制光学灾变下波导层和...
    2026-01-26
  • 一种锗填充双沟槽高反射率表面光栅结构及其制备方法
    一种锗填充双沟槽高反射率表面光栅结构及其制备方法_长春理工大学_202511244807.4
    本申请涉及半导体激光器技术领域，特别涉及一种锗填充双沟槽高反射率表面光栅结构及其制备方法，该方法包括：步骤一、在基片上通过光刻、刻蚀后形成双沟槽结构；然后在基片上生长锗材料，形成锗填充的双沟槽结构；步骤二、在具有锗填充的双沟槽结构的基片上制...
    2026-01-26
  • 一种双梯度光子晶体协同调控的单模垂直腔面发射激光器
    一种双梯度光子晶体协同调控的单模垂直腔面发射激光器_芯辰半导体(苏州)有限公司_202511708610.1
    本申请提供了一种双梯度光子晶体协同调控的单模垂直腔面发射激光器，涉及激光器技术技术领域，该激光器自下而上依次包括n型衬底、底部单层渐变光子晶体层、n型DBR层、有源区、p型DBR层、层间隔离层、顶部双层异质渐变光子晶体层及电极结构；通过底部...
    2026-01-26
  • 一种基于原子气室的高稳定芯片化多波长标准装置
    一种基于原子气室的高稳定芯片化多波长标准装置_中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所_202511704523.9
    本发明公开了一种基于原子气室的高稳定芯片化多波长标准装置，包括激光器，输出激光经过功率放大器放大后，耦合到微腔中激发光频梳，光频梳重复频率经过光频梳重复频率锁定系统来锁定，多个微型谐振器耦合到光频梳输出波导，通过调节其共振频率至目标梳齿，分...
    2026-01-26
  • 一种激光发射器、激光发射阵列和激光雷达
    一种激光发射器、激光发射阵列和激光雷达_深圳市速腾聚创科技有限公司_202410793004.3
    本申请属于激光探测领域，具体涉及一种激光发射器，其特征在于，所述激光发射器包括至少第一分区和第二分区，所述第一分区和所述第二分区对应的出光面的面积不同；其中，所述第一分区和第二分区的阳极或者阴极共用；其中，第一分区和第二分区分别具有接线端，...
    2026-01-26
  • 一种预制焊料组件、热沉装置及装置
    一种预制焊料组件、热沉装置及装置_深圳市湃泊科技有限公司_202511715026.9
    本发明实施例提出了一种预制焊料组件、热沉装置及装置，该预制焊料组件包括层叠设置的基底层、抗侵蚀层及焊料层；所述焊料层的材料包括锡、铜和银，以焊料层的总质量为100%计，所述锡、铜和银的质量百分比分别为K1%、K2%、K3%；锡、铜及银的质量...
    2026-01-26
  • 一种实现高功率半导体激光器芯片高效散热的衬底结构及封装方法
    一种实现高功率半导体激光器芯片高效散热的衬底结构及封装方法_武汉大学_202511238613.3
    本发明公开了一种实现高功率半导体激光器芯片高效散热的衬底结构及封装方法，属于半导体激光器技术领域。本发明通过在衬底内嵌金属网络结构，形成兼具高效导热与热膨胀系数适配的“类钢筋混凝土”结构的衬底。使正装封装的高功率半导体激光器结温降低至与传统...
    2026-01-26
  • 一种基于TEC控温的蓝光激光模组及恒温控制方法
    一种基于TEC控温的蓝光激光模组及恒温控制方法_武汉优炜芯科技有限公司_202511217876.6
    本发明提供了一种基于TEC控温的蓝光激光模组和恒温控制方法，蓝光激光模组包括蓝光激光器、热电制冷模块和散热器，热电制冷模块设置于蓝光激光器的背光侧，散热器设置于热电制冷模块远离蓝光激光器一侧且与热电制冷模块的热端固定连接，其中，蓝光激光器的...
    2026-01-26
  • 一种大功率半导体激光器件
    一种大功率半导体激光器件_中国科学院福建物质结构研究所_202511044473.6
    本申请公开了一种大功率半导体激光器件，属于半导体激光器件技术领域。器件壳体，器件壳体呈空心圆柱体；散热激光结构，散热激光结构设置在器件壳体一端的内部；防护凸镜结构，防护凸镜结构设置在器件壳体外部远离散热激光结构的一端；连接电源结构连接电源结...
    2026-01-26
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