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最新专利技术
  • 芯片接地检测设备以及方法
    芯片接地检测设备以及方法_罗伯特·博世有限公司_202410822125.6
    本申请涉及一种芯片接地检测设备，所述芯片接地检测设备包括：电流源；开关装置，包括一个或多个开关单元；电压监视单元，所述电压监视单元经由所述一个或多个开关单元耦合至芯片的裸露焊盘；以及控制单元，用于控制所述一个或多个开关单元，并且配置成在所述...
    2026-02-28
  • 一种双极型晶体管低剂量率效应在轨测试电路及方法
    一种双极型晶体管低剂量率效应在轨测试电路及方法_中国空间技术研究院_202511315425.6
    一种双极型晶体管低剂量率效应在轨测试电路及方法，测试电路包括：被测器件电路、反馈调节电路、电压跟随电路、差分采集电路，被测器件电路用于检测被测双极型晶体管的基极电流，从而验证双极型晶体管的低剂量率增强效应；反馈调节电路连接被测器件的基极，用...
    2026-02-28
  • 基于高次谐波幅相解调的半导体封装失效检测方法
    基于高次谐波幅相解调的半导体封装失效检测方法_哈尔滨工业大学_202511784658.0
    基于高次谐波幅相解调的半导体封装失效检测方法，涉及半导体封装检测技术领域。本申请是为了解决现有半导体封装缺陷检测方法存在的诸多问题。本申请向被测半导体封装施加电流激励使其产热，并采集被测半导体封装的热图序列；根据电流激励合成所述热图序列每阶...
    2026-02-28
  • 单模半导体激光器失效评估方法、装置及电子设备
    单模半导体激光器失效评估方法、装置及电子设备_度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司_202511777598.X
    本申请提供一种单模半导体激光器失效评估方法、装置及电子设备，涉及半导体激光器技术领域。该方法包括：获取失效单模半导体激光器的光功率电流特性测试曲线；根据预设光功率电流特性标准曲线和失效单模半导体激光器的光功率电流特性测试曲线，确定失效单模半...
    2026-02-28
  • 基于表面磁信号的IGBT模块键合引线剥离检测方法
    基于表面磁信号的IGBT模块键合引线剥离检测方法_电子科技大学_202511767224.X
    本发明属于IGBT键合引线故障检测技术领域，具体提供一种基于表面磁信号的IGBT模块键合引线剥离检测方法，用以避免现有基于磁信号的键合引线剥离检测方法因传感器布置带来的侵入性和破坏性。本发明利用铁氧体线圈磁探头捕捉IGBT模块表面由关断过程...
    2026-02-28
  • 一种多维度IGBT衰减特性测试系统
    一种多维度IGBT衰减特性测试系统_四川天旭新维工程技术股份有限公司_202511747118.5
    本发明涉及IGBT测试的技术领域，特别是涉及一种多维度IGBT衰减特性测试系统，包括：测试模块、数据获取模块、数据处理模块、数据分析模块、数据储存模块和控制管理模块；其首先从样本更换到数据分析全程无人干预，大幅提升测试效率；其次基于多目标优...
    2026-02-28
  • 两电平逆变器功率管与电流传感器的故障诊断方法及装置
    两电平逆变器功率管与电流传感器的故障诊断方法及装置_中南大学_202511585227.1
    本发明公开了一种故障诊断方法，具体是涉及到一种两电平逆变器功率管与电流传感器的故障诊断方法及装置。所述方法包括：获取电流周期内的第一相电流、第二相电流和第三相电流，所述第三相电流基于所述第一相电流和所述第二相电流计算得到；构建输出电流轨迹和...
    2026-02-28
  • 功率管与电流传感器的故障诊断方法、装置及电子设备
    功率管与电流传感器的故障诊断方法、装置及电子设备_中南大学_202511585216.3
    本发明公开了一种故障诊断方法，具体是涉及到一种功率管与电流传感器的故障诊断方法、装置及电子设备。所述方法包括：获取信号周期内的第一相电流和第二相电流；基于所述第一相电流和所述第二相电流计算第三相电流；以所述第一相电流为横坐标且所述第二相电流...
    2026-02-28
  • 一种无功负载的车规级功率部件测试工装
    一种无功负载的车规级功率部件测试工装_深圳市金凯博自动化测试有限公司_202511578875.4
    本发明涉及车规级功率部件检测技术领域，且公开了一种无功负载的车规级功率部件测试工装，包括测试柜、滑台和安装台，滑台通过水平滑动副安装在测试柜内，并能沿其长度方向部分伸出测试柜，滑台的上端固定有顶部开口的支撑盒，安装台固定嵌设在支撑盒的开口内...
    2026-02-28
  • 一种半导体激光器的老化检测设备及检测方法
    一种半导体激光器的老化检测设备及检测方法_深圳市中科光芯半导体科技有限公司_202511551186.4
    本发明涉及半导体激光器检测技术领域，具体涉及一种半导体激光器的老化检测设备及检测方法。该设备包括个体分析模块，用于分析半导体激光器的温度出现异常的次数以及温度出现波动的不稳定特性，确定温度变化异常性；整体分析模块，用于根据目标半导体激光器与...
    2026-02-28
  • 一种用于EMB功率MOS结温测试的方法
    一种用于EMB功率MOS结温测试的方法_上海谋行科技有限公司_202511535233.6
    本发明公开了一种用于EMB功率MOS结温测试的方法，涉及结温测试技术领域；为了解决当MOS管应用在EMB控制器此等密封产品中时，需要破坏样件外壳进行壳温(Tc)测试，导致样件受损影响测量的问题；本方法具体包括如下步骤：在EMB控制器中的MO...
    2026-02-28
  • 半导体测试设备及其自适应补偿方法
    半导体测试设备及其自适应补偿方法_深圳市辰卓科技股份有限公司_202511412695.9
    本申请实施例提供了一种半导体测试设备及其自适应补偿方法，涉及测试技术领域。其中，该方法包括：基于阶跃电压测量技术，对被测设备的负载电容进行估计，得到估计电容值；基于负载电容与补偿电容之间的映射关系，根据估计电容值计算得到补偿电容值；在通过切...
    2026-02-28
  • 栅极电荷测量方法、装置、计算机设备及存储介质
    栅极电荷测量方法、装置、计算机设备及存储介质_广东芯聚能半导体有限公司_202511402530.3
    本申请涉及一种栅极电荷测量方法、装置、计算机设备及存储介质。方法包括：获取被测器件在不同测试条件下的动态特征曲线，根据动态特征曲线获取在不同测试条件下的栅极电荷曲线；不同测试条件包括不同电压条件和/或不同电流条件；基于栅极电荷曲线，提取关键...
    2026-02-28
  • 柔直换流阀功率模块的测试方法、同步钳位电路、测试系统和设备
    柔直换流阀功率模块的测试方法、同步钳位电路、测试系统和设备_广东电网有限责任公司广州供电局_202511375287.0
    本申请涉及一种柔直换流阀功率模块的测试方法、同步钳位电路、测试系统和设备。该方法包括：通过待测的柔直换流阀功率模块的两端加载的同步钳位电路，采集柔直换流阀功率模块在不同结温下的电压信号；结温下的电压信号包括多个温度的电压信号；通过分析各结温...
    2026-02-28
  • IGBT的结温温度估算方法、车辆、存储介质以及程序产品
    IGBT的结温温度估算方法、车辆、存储介质以及程序产品_上汽通用五菱汽车股份有限公司_202511358243.7
    本申请提供一种IGBT的结温温度估算方法、车辆、存储介质以及程序产品，所述方法包括：获取电机控制器的水道温度和电机的相电流；根据所述水道温度与所述相电流确定所述水道温度的补偿温度；根据所述补偿温度与所述水道温度的加权值确定所述IGBT的估算...
    2026-02-28
  • SiC基MOS器件寄生参数测试方法、装置和存储介质
    SiC基MOS器件寄生参数测试方法、装置和存储介质_中国科学院微电子研究所_202511356645.3
    本申请提供了一种SiC基MOS器件寄生参数测试方法、装置和存储介质，所述方法包括：构建全参数电路模型，所述全参数电路模型包括：氧化层电容、并联电导、串联电感和串联电阻；根据所述全参数电路模型，确定第一频率‑阻抗关系；获取待测试器件的积累区工...
    2026-02-28
  • 一种压接型IGBT开关应力波检测系统及检测方法
    一种压接型IGBT开关应力波检测系统及检测方法_国网湖南省电力有限公司超高压变电公司_202511356102.1
    本发明公开了一种压接型IGBT开关应力波检测系统及检测方法，系统包括：压力施加装置，用于向待测压接型IGBT模块施加压力；导波板，设置在IGBT模块与压力施加装置之间，用于传递应力波并隔离压力施加装置的机械压力；多个压电声发射传感器，布置在...
    2026-02-28
  • 非侵入式功率MOSFET寿命监测方法
    非侵入式功率MOSFET寿命监测方法_南京航空航天大学_202511341048.3
    本发明公开了非侵入式功率MOSFET寿命监测方法，属于电力电子器件检测领域。该方法基于SSPC系统，先依功率MOSFET型号确定输出特性、转移特性、安全工作区及热阻曲线条件；利用系统内置电压电流模块采集数据，选饱和区为监测区间，结合转移特性...
    2026-02-28
  • 碳化硅功率器件鲁棒性测试电路及方法
    碳化硅功率器件鲁棒性测试电路及方法_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511313392.1
    本申请涉及一种碳化硅功率器件鲁棒性测试电路及方法。该碳化硅功率器件鲁棒性测试电路，包括：控制器模块、驱动模块和功率回路模块，控制器模块用于生成测试控制信号，并将测试控制信号发送至驱动模块；驱动模块用于根据测试控制信号生成双极退化脉冲信号和雪...
    2026-02-28
  • 一种多模式融合的功率半导体模块全自动检测系统及方法
    一种多模式融合的功率半导体模块全自动检测系统及方法_韩非_202511040015.5
    本发明公开了一种多模式融合的功率半导体模块全自动检测系统及方法，涉及半导体测试技术领域，构建多拓扑加载模块，实现变频器工况下的机械负载测试、并网工况下的电气负载模拟以及静态电参数测试，覆盖模块在多应用环境下的动态与静态性能检测。引入多源温度...
    2026-02-28
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