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最新专利技术
  • 一种半连续生产硅碳材料的流化床装置
    一种半连续生产硅碳材料的流化床装置_湖北宜硅新材料有限公司_202511657640.4
    本申请公开了一种半连续生产硅碳材料的流化床装置，该半连续生产硅碳材料的流化床装置包括沉积装置、包覆装置、进料罐和冷却料罐。沉积装置被配置为在原料上进行硅沉积。包覆装置的进料端连通于沉积装置的出料端，并且被配置为进行碳包覆。进料罐的出料端连通...
    2026-03-08
  • 沉积腔体及沉积设备
    沉积腔体及沉积设备_江苏首芯半导体科技有限公司_202511658315.X
    本公开涉及半导体领域，提供一种沉积腔体及沉积设备，至少可以提高沉积腔体的排气效率。沉积腔体包括腔体结构、进气孔、匀气板、基座和排气孔。腔体结构的内部设置有腔室；进气孔设置在腔体结构上，进气孔与腔室相连通，还用于连通提供气体的进气管；匀气板位...
    2026-03-08
  • 一种复合金属氧化物薄膜及其制备方法
    一种复合金属氧化物薄膜及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511841487.0
    本发明公开一种复合金属氧化物薄膜及其制备方法，涉及半导体材料生长技术领域，以解决现有制备铪锆氧化物薄膜的方法存在组分控制不精确和界面缺陷多等问题。方法包括提供一衬底，并对衬底进行等离子体活化处理，在衬底上形成活性表面；在活性表面上根据预设的...
    2026-03-08
  • 一种梯度型碳化硅涂层制备方法及梯度型碳化硅涂层
    一种梯度型碳化硅涂层制备方法及梯度型碳化硅涂层_湖南顶立科技股份有限公司_202511752767.4
    本发明公开了一种梯度型碳化硅涂层制备方法及梯度型碳化硅涂层，具体涉及涂层加工技术领域。所述方法包括以下步骤：将预处理后的石墨基体置于CVD反应腔中，通过周期性交替向反应阶段和吹扫阶段通气进行脉冲式沉积，进而在基体表面依次连续沉积形成富碳Si...
    2026-03-08
  • 一种高疲劳强度B4C/Al复合材料及其制备方法
    一种高疲劳强度B4C/Al复合材料及其制备方法_太原理工大学_202610066011.2
    本发明属于高含量陶瓷/金属复合材料制备技术领域，具体涉及一种高疲劳强度B44C/Al复合材料及其制备方法。本发明采用化学气相沉积法在微纳尺度的B44C颗粒表面原位生成CNTs，将其与铝合金粉末充分混合均匀，使用SPS等离子放电烧结设备制备坯...
    2026-03-08
  • 自旋轨道矩增强的单层铁磁薄膜的制备方法
    自旋轨道矩增强的单层铁磁薄膜的制备方法_同济大学_202511668503.0
    本发明提出了一种自旋轨道矩增强的单层铁磁薄膜的制备方法，包括：步骤1、在衬底上沉积单层铁磁薄膜；步骤2、对单层铁磁薄膜进行离子束刻蚀，以将其厚度减薄至设定值。本发明可提高电流翻转磁矩的比例，并实现自翻转。
    2026-03-08
  • 用于真空镀膜设备轴向输送的传样杆
    用于真空镀膜设备轴向输送的传样杆_东莞市中科原子精密制造科技有限公司_202511465869.8
    本发明公开一种用于真空镀膜设备轴向输送的传样杆，包括外固定管、伸缩杆及导向滑套，伸缩杆穿设于外固定管中，伸缩杆的外表面连接有限位杆；导向滑套设于外固定管的一端，且导向滑套套设于伸缩杆以及限位杆上并与伸缩杆以及限位杆间隙配合，导向滑套上对应伸...
    2026-03-08
  • 微通道板转运结构及方法以及微通道板的镀膜结构及方法
    微通道板转运结构及方法以及微通道板的镀膜结构及方法_东莞市中科原子精密制造科技有限公司_202511435477.7
    本发明公开一种微通道板转运结构，包括中转夹具以及目标底座，中转夹具包括盘状主体部，盘状主体部包括第一表面以及与第一表面相对的第二表面，第一表面向内凹陷形成有第一凹槽，距离第一凹槽的底部一定距离设有用于搭接微通道板边缘的第一承载台阶，第一凹槽...
    2026-03-08
  • 一种用于真空镀膜设备的离子源控制方法
    一种用于真空镀膜设备的离子源控制方法_诚联恺达(河北)科技股份有限公司_202511735960.7
    本申请公开了一种用于真空镀膜设备的离子源控制方法，涉及真空镀膜设备技术领域，该方法包括：获取镀膜关键参数，并基于镀膜关键参数，得到等离子体能量偏差与等离子体浓度偏差；镀膜关键参数至少包括：等离子体状态参数、环境干扰参数和真空镀膜设备运行参数...
    2026-03-08
  • 一种光学元件镀膜装夹装置及转运装置
    一种光学元件镀膜装夹装置及转运装置_湖北珞珈实验室_202511906504.4
    本申请涉及光学元件镀膜技术领域，具体公开了一种光学元件镀膜装夹装置及转运装置，装夹装置包括卡盘主体和非接触式装夹机构，卡盘主体设有径向位置可调的夹持机构，以适配不同尺寸的光学元件；非接触式装夹机构通过支撑杆连接支撑座与工件固定板，使光学元件...
    2026-03-08
  • 一种基于镁离子注入铁的改性涂层及其制备方法、可降解铁材料和应用
    一种基于镁离子注入铁的改性涂层及其制备方法、可降解铁材料和应用_北京航空航天大学_202511685114.9
    本发明公开了一种基于镁离子注入铁的改性涂层的制备方法，包括：将基体预处理后固定于离子注入机的靶盘上，将超纯镁靶材安装在离子注入机中，真空环境下设置离子注入参数，进行离子注入后在基体表面形成所述改性涂层，该制备方法简单环保、工艺参数精确可控，...
    2026-03-08
  • 一种高熵纳米合金薄膜及其制备方法
    一种高熵纳米合金薄膜及其制备方法_烟台大学_202610077747.X
    本发明公开了一种高熵纳米合金薄膜及其制备方法，属于表面工程材料技术领域，包括：对衬底进行清洗和烘干；将衬底置于磁控溅射装置的真空腔体内，将TiVCrZrW靶材和C靶材安装在磁控溅射装置的靶位上；向真空腔体内通入Ar溅射气体，调整工作电流进行...
    2026-03-08
  • 一种半导体芯片铜互连封装结构及其制备方法
    一种半导体芯片铜互连封装结构及其制备方法_南通赛可特电子有限公司_202610056236.X
    本发明公开了一种半导体芯片铜互连封装结构及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域。包括以下步骤：步骤1：将蚀刻晶圆表面依次进行溅射沉积铜、等离子体原子层沉积铜，形成铜种子层，得到晶圆A；步骤2：将晶圆A置于铜电镀液中，电镀铜，得到铜互连封装结构...
    2026-03-08
  • 一种提高带锯条真空镀膜质量的镀膜设备
    一种提高带锯条真空镀膜质量的镀膜设备_安徽纯源镀膜科技有限公司_202610026049.7
    本发明涉及一种提高带锯条真空镀膜质量的镀膜设备，包括镀膜腔室内设置的用于安装靶材的弧源座，弧源座和用于夹装待镀膜锯盘的夹具相对应布置，锯盘由卷绕成圆盘状的带锯条组成，弧源座口部的中心线和夹具的中心线相平行或重合布置，磁偏转装置位于夹具和弧源...
    2026-03-08
  • 一种用于固态电池的梯度功能化微孔铜箔及其制备方法
    一种用于固态电池的梯度功能化微孔铜箔及其制备方法_江阴纳力新材料科技有限公司_202511738719.X
    本发明公开了一种用于固态电池的梯度功能化微孔铜箔及其制备方法，涉及固态电池制造技术领域。本发明核心技术方案包括：1.采用PLA与PBS共混体系，掺杂纳米黏土及马来酸酐接枝PLA作为原材料，经熔融挤出、双向拉伸、热定型制备基膜；2.对基膜进行...
    2026-03-08
  • 一种磁控溅射氧化镓薄膜的制备方法
    一种磁控溅射氧化镓薄膜的制备方法_安徽大学_202511731277.6
    本发明涉及半导体材料领域，尤其是一种磁控溅射氧化镓薄膜的制备方法，针对现有技术中的氧化镓薄膜制备方法结晶度低、探测器响应度与响应速度相互制约和暗电流大的问题，现提出如下方案，其包括以下步骤：S1、靶材制备；S2、基片处理，将蓝宝石基片超声清...
    2026-03-08
  • 一种防脱落的铝镀层集流体及其制备方法、极片和电池
    一种防脱落的铝镀层集流体及其制备方法、极片和电池_扬州纳力新材料科技有限公司_202511719909.7
    本发明公开了一种防脱落的铝镀层集流体及其制备方法、极片和电池，制备方法包括以下步骤：S1：对待镀金属基底进行打磨处理；S2：在待镀金属基底表面制备中间过渡层；S3：在待镀金属基底的中间过渡层表面电镀制备复合铝镀层；S4：进行退火后处理；S5...
    2026-03-08
  • 一种复合燃料棒包壳的制造方法及复合燃料棒包壳
    一种复合燃料棒包壳的制造方法及复合燃料棒包壳_上海核工程研究设计院股份有限公司_202511700126.4
    一种复合燃料棒包壳的制造方法及复合燃料棒包壳，属于核电领域。复合燃料棒包壳的制造方法包括以下步骤：以热中子宏观吸收截面小于10靶恩的稀土元素氧化物粉体与SiO22粉体按对应的稀土硅酸盐成分比例混合得到混合粉体，将混合粉体热压烧结为靶材；对S...
    2026-03-08
  • 一种电子封装散热用金刚石铜复合材料及其制备方法
    一种电子封装散热用金刚石铜复合材料及其制备方法_江西国创院新材料有限公司_202511639626.1
    本发明涉及先进有色金属材料领域中的热管理材料，具体公开了一种电子封装散热用金刚石/铜复合材料及其制备方法。所述金刚石/铜复合材料中金刚石和铜通过碳化物连接，碳化物层厚度小于50nm，金刚石粒径为300~500μm，金刚石体积占比为35~50...
    2026-03-08
  • 一种氧化锆靶材及其制备方法和应用
    一种氧化锆靶材及其制备方法和应用_长沙市熔材科技有限公司_202610071815.1
    本发明公开了一种氧化锆靶材及其制备方法和应用，属于粉末冶金技术领域，以高纯电熔氧化锆为原料，利用固相法添加氧化钇作为稳定剂，通过一次球磨、煅烧、二次球磨、冷等静压、烧结、退火得到电熔氧化锆靶材，本发明制备的靶材成本低、杂质含量低，使用过程不...
    2026-03-08
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