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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411912730.9
    本发明提供抑制制造成本的增加及芯片尺寸的增加的半导体装置。半导体装置具备：第一电阻；第一开关元件，具有与第一电阻连接的第一端及彼此共同连接的第二端及栅极；第二开关元件，具有被输入比第一电压低的电压的第一端及与第一开关元件的第二端及栅极连接的...
    2026-03-23
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411237129.4
    一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括用于形成栅极结构的栅极区、位于栅极区一侧的第一区域和位于栅极区另一侧的第二区域；在基底上形成覆盖第二区域的辅助层、以及位于辅助层的侧壁上且覆盖栅极区的栅极结构，辅助层和栅极结构暴露出第一区域...
    2026-03-23
  • 一种硅锗工艺后的源漏极形成方法及半导体结构
    一种硅锗工艺后的源漏极形成方法及半导体结构_重庆芯联微电子有限公司_202511497287.8
    本发明提供一种硅锗工艺后的源漏极形成方法及半导体结构，方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底包括PMOS区域和NMOS区域，所述PMOS区域和所述NMOS区域上形成有栅极结构，所述栅极结构存在高度差；在所述衬底上依次形成抗反射层和光刻胶层，...
    2026-03-23
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411196240.3
    本发明提供了一种半导体器件的制备方法，在衬底上的栅极结构的侧壁形成保护层；在衬底上形成掩模层，掩模层还顺形覆盖衬底、保护层及栅极结构的顶部；打开栅极结构两侧的掩模层并刻蚀衬底，以形成凹槽；在凹槽中形成嵌入式外延层。本发明中的保护层仅位于栅极...
    2026-03-23
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411194539.5
    本发明提供了一种半导体器件的制备方法，在衬底上形成若干栅极堆叠结构，每个栅极堆叠结构均包括位于衬底内的有源区上的第一部分以及位于衬底内的沟槽隔离结构上的第二部分；刻蚀第二部分两侧的沟槽隔离结构，以形成底部低于衬底的表面的第一凹槽；在栅极堆叠...
    2026-03-23
  • 高压器件及其制作方法
    高压器件及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411194441.X
    本发明提供一种高压器件及其制作方法。所述高压器件的制作方法包括：提供顶面形成有垫氧化层的基底；在基底中形成多个隔离结构以及由多个隔离结构限定出的隔离墙和多个有源区，多个有源区包括相邻的第一有源区和第二有源区，隔离墙位于第一有源区和第二有源区...
    2026-03-23
  • 一种基于电源晶圆的三维芯片堆叠供电系统及方法
    一种基于电源晶圆的三维芯片堆叠供电系统及方法_广东省智能科学与技术研究院_202511822050.2
    本发明涉及半导体封装与芯片供电技术领域，具体是一种基于电源晶圆的三维芯片堆叠供电系统及方法，所述系统包括集成电源晶圆、计算芯片及电源外围器件；集成电源晶圆内集成高密度电容阵列，表面形成再布线层，且配置分布式电压调节模块；计算芯片为已知合格芯...
    2026-03-23
  • 具有正交于基底管芯或衬底堆叠的管芯的堆叠半导体管芯架构
    具有正交于基底管芯或衬底堆叠的管芯的堆叠半导体管芯架构_英特尔公司_202511088823.9
    本发明公开了具有管芯堆叠体的微电子组件，所述管芯堆叠体被设置成使得所述堆叠体中的每一管芯的面正交于基底的面。每个管芯具有第一面和与第一面相对的第二面。管芯堆叠体包括多个管芯，其中每一管芯的面平行于管芯堆叠体中的其它管芯的面。管芯堆叠体设置于...
    2026-03-23
  • 功率模块及具有其的电力装置
    功率模块及具有其的电力装置_北京怀柔实验室_202610164727.6
    本发明提供了一种功率模块及具有其的电力装置，其中，功率模块包括：第一导电层、第二导电层、第一芯片以及第二芯片，第一导电层上间隔设置有第一安装区域和第二安装区域，第一芯片设置在第一安装区域内并与第二导电层导电连接，第二芯片设置在第二导电层上，...
    2026-03-23
  • 一种基于微电路组装工艺的控制驱动模块
    一种基于微电路组装工艺的控制驱动模块_北京精密机电控制设备研究所_202511656391.7
    一种基于微电路组装工艺的控制驱动模块，包括：第一基板、功率单元、第二基板、驱动单元、第三基板、控制单元、竹节铜柱、钉头铜柱、铆柱；第一基板安装在金属底座上，四个铆柱分布在第一基板的四角，铆柱从下向上依次穿过第二基板和第三基板，为三层基板提供...
    2026-03-23
  • GaN/SiC共源共栅功率器件的封装
    GaN/SiC共源共栅功率器件的封装_香港科技大学_202511205273.4
    一种由第一晶体管组和第二晶体管组形成的GaN/SiC共源共栅功率器件。第一晶体管组具有一个或多个低压常关型GaN高电子迁移率晶体管。第二晶体管组具有一个或多个高压常开型SiC结型场效应晶体管。主干层机械地支撑这两个晶体管组中的相应晶体管，并...
    2026-03-23
  • 半导体封装模块及PFC电路模块
    半导体封装模块及PFC电路模块_华润微集成电路(无锡)有限公司_202411220870.X
    本申请提供一种半导体封装模块及PFC电路模块。所述半导体封装模块包括基板、开关管、整流电路、第一二极管、多个端子及塑封体。所述开关管、所述整流电路及所述第一二极管位于所述基板的同一侧；所述开关管包括控制极、第一极和第二极；所述第一极与所述第...
    2026-03-23
  • 晶体管结构及其制造方法
    晶体管结构及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411300238.6
    本发明公开一种晶体管结构及其制造方法。所述晶体管结构包括栅极、掺杂区以及栅介电结构。所述栅极设置于基底上，且包括第一部分与第二部分，其中所述第二部分围绕所述第一部分，且所述第一部分的材料与所述第二部分的材料不同。所述掺杂区设置于所述栅极的两...
    2026-03-23
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411248436.2
    一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：衬底，包括第一区域；功能层，位于所述第一区域上的所述衬底上；第一栅极，位于所述功能层上，所述第一栅极在所述衬底上的投影区位于所述功能层在所述衬底上的投影区内；金属硅化物层，位于所述衬底内，与所述...
    2026-03-23
  • 屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法
    屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202411116737.X
    本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法，栅间介质层包括位于所述屏蔽栅结构上的第一栅间介质层和位于所述第一栅间介质层上的第二栅间介质层，所述第一栅间介质层较所述第二栅间介质层致密，所述栅间介质层呈两端凸起于中部状，由此，使得控制栅电极...
    2026-03-23
  • 一种基于聚合物的干法电极转移方法
    一种基于聚合物的干法电极转移方法_中国科学技术大学_202511899868.4
    本发明公开了一种基于聚合物的干法电极转移方法，在二维材料电子器件制备领域，传统湿法电极转移技术因依赖溶剂处理，不可避免地导致金属电极或功能层转移至目标基底时出现界面污染、溶剂残留及材料损伤等问题。具体表现为：有机溶剂或去胶剂会在电极/半导体...
    2026-03-23
  • 一种双向半导体器件及其制备方法
    一种双向半导体器件及其制备方法_广东致能半导体有限公司_202511621759.6
    本发明涉及一种双向半导体器件及其制备方法，所述双向半导体器件包括：功能区，其中包括二维载流子气；电极组，其的第一电极和第一控制电极分别与第二电极和第二控制电极对称分布在所述功能区中，第一电极和第二电极分别能够与二维载流子气电气连接；电极场板...
    2026-03-23
  • SiC外延晶片
    SiC外延晶片_株式会社力森诺科_202511288248.7
    本公开涉及SiC外延晶片。目的在于提供定位槽附近的SiC外延层的膜厚偏差小的SiC外延晶片。该SiC外延晶片具有定位槽。所述定位槽具有将所述定位槽的最内侧点与所述晶片的外周相连的第1边和第2边。所述第1边相比于所述最内侧点位于[‑1‑120...
    2026-03-23
  • 一种提高功率器件短路耐受能力的平面结构及其器件
    一种提高功率器件短路耐受能力的平面结构及其器件_电子科技大学_202511857405.1
    本发明属于功率半导体技术领域，具体提供一种槽栅功率器件表面集成反偏二极管的栅极保护结构及其器件。反偏二极管阴极接多晶硅栅(7)、阳极导体接源极金属(12)，通过电热反馈栅极电压调节机制，实现对短路事件的主动防护显著提升器件的短路耐受能力，同...
    2026-03-23
  • 碳化硅器件、制备方法及新能源设备
    碳化硅器件、制备方法及新能源设备_珠海格力电子元器件有限公司_202511840611.1
    本申请提供了一种碳化硅器件、制备方法及新能源设备，可广泛应用于新能源技术领域，该碳化硅器件包括：包括碳化硅本体，所述碳化硅本体的表面设置有：多个管芯区；各个所述管芯区具有多个顶角；划片道，位于所述多个管芯区之外的区域形成所述划片道，所述划片...
    2026-03-23
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