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最新专利技术
  • 半导体结构及其制作方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制作方法、存储系统、电子设备_长江存储控股股份有限公司_202411125609.1
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制作方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在使半导体结构可以堆叠更多的器件层，增加了半导体结构封装器件层的数量。本申请实施例提供的半导体结构包括多个层叠设置的堆叠层以及第一键合结构，相邻两个...
    2026-03-24
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_长江存储控股股份有限公司_202411125339.4
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在使半导体结构可以堆叠更多的器件层，增加了半导体结构封装器件层的数量。本申请实施例提供的半导体结构包括多个层叠设置的堆叠层以及第一键合结构，相邻两个堆叠层通过第一键合结...
    2026-03-24
  • 基于负微分电阻和负光电导效应的多状态存储器件及制备方法和应用
    基于负微分电阻和负光电导效应的多状态存储器件及制备方法和应用_西安电子科技大学_202511920269.6
    本发明公开基于负微分电阻和负光电导效应的多状态存储器件及其制备和应用，主要解决现有技术存储密度低，应用受限的问题。其自下而上包括衬底(1)、底电极(2)、金属纳米颗粒阵列(3)、氧化物阻变层(4)、顶电极(5)，其中，底电极采用金属Pt材料...
    2026-03-24
  • 实现阈值与双极性开关随机共存的PVA : h-BN基忆阻器及其制备方法
    实现阈值与双极性开关随机共存的PVA : h-BN基忆阻器及其制备方法_南京理工大学_202511869264.5
    本发明公开了一种实现阈值与双极性开关随机共存的PVA : h‑BN基忆阻器及其制备方法。该忆阻器包括从下至上依次设置的衬底、底电极、功能层和顶电极，其中衬底的材料为玻璃；底电极的材料为氧化铟锡；功能层为PVA : h‑BN纳米复合材料；顶电...
    2026-03-24
  • 存储装置
    存储装置_铠侠股份有限公司_202511264582.9
    本发明提供存储装置，该存储装置包括具有优异的特性的开关元件。实施方式涉及的存储装置具备：下部布线(10)、上部布线(20)、以及包括可变电阻存储元件(40)和开关元件(50)的存储单元(30)。开关元件包括下部电极(51)、上部电极(52)...
    2026-03-24
  • 磁存储装置
    磁存储装置_铠侠股份有限公司_202511263130.9
    提供具有优异的特性及可靠性的磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备：下部构造；设置在下部构造上的第1层叠构造及第2层叠构造；第1含硼层及第2含硼层，沿着第1层叠构造及第2层叠构造的侧面设置，含有硼(B)且相互分离；以及第1金属氧化物层及第2金...
    2026-03-24
  • 磁存储装置
    磁存储装置_铠侠股份有限公司_202510799138.0
    提供能够恰当地形成磁阻效应元件的磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备：磁阻效应元件，包括具有可变的磁化方向的第1磁性层、具有固定了的磁化方向的第2磁性层、以及设置于第1磁性层与第2磁性层之间的非磁性层，所述磁阻效应元件具有将第1磁性层、第2...
    2026-03-24
  • 动态随机存取的存储单元、阵列及其制备方法
    动态随机存取的存储单元、阵列及其制备方法_复旦大学_202511959150.X
    本发明涉及半导体存储技术领域，提供一种动态随机存取的存储单元、阵列及其制备方法。该动态随机存取的存储单元包括：衬底、介质层、第一电极层、M层第二电极层和M层隔离层；介质层位于第一电极层与第二电极层之间；介质层由反铁电材料层与准同型相界铁电材...
    2026-03-24
  • 基于铁电晶体管和铁电电容的存储器、制备方法、读取方法和电子设备
    基于铁电晶体管和铁电电容的存储器、制备方法、读取方法和电子设备_清华大学_202511811019.9
    本申请提供了一种基于铁电晶体管和铁电电容的存储器、制备方法、读取方法和电子设备，涉及存储器领域，旨在改善当前存储器存在着存储计算效率过低的问题。包括访问晶体管、铁电晶体管、多个铁电电容、源线、板线、字线和多条位线；存储器包括第一堆叠结构、第...
    2026-03-24
  • 基于晶体管和铁电电容的存储器、制备方法、读取方法和电子设备
    基于晶体管和铁电电容的存储器、制备方法、读取方法和电子设备_清华大学_202511811018.4
    本申请提供了一种基于晶体管和铁电电容的存储器、制备方法、读取方法和电子设备，涉及存储器领域，旨在改善当前存储器存在集成度仍有待提升，且串扰较大的问题。包括写晶体管、读晶体管、写入字线、读取位线、读取感应线、多个铁电电容，和多条写入位线；该存...
    2026-03-24
  • 存储器件及其制备方法和电子设备
    存储器件及其制备方法和电子设备_嘉善复旦研究院_202511921136.0
    本申请涉及一种存储器件及其制备方法和电子设备。该存储器件包括柔性衬底、阻挡层、存储层、隧穿层、第一导电类型的第一有机半导体层、第二导电类型的第二有机半导体层、源极与漏极，阻挡层位于柔性衬底上，存储层位于阻挡层上，隧穿层位于存储层上，第一导电...
    2026-03-24
  • 半导体存储器装置及用于制造半导体存储器装置的方法
    半导体存储器装置及用于制造半导体存储器装置的方法_铠侠股份有限公司_202511914304.3
    本申请涉及一种半导体存储器装置及用于制造半导体存储器装置的方法。根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：堆叠层体，其包含在第一方向上交替堆叠的导电层及绝缘层；分区结构，其各自在所述堆叠层体中在第一及第二方向上延伸；及中间结构，其从上端延伸...
    2026-03-24
  • 具有可变ON间距的非易失性存储器
    具有可变ON间距的非易失性存储器_桑迪士克科技股份有限公司_202510457835.8
    一种存储器设备设置有存储器块，该存储器块包括多个字线和多个绝缘层交替的堆叠结构。该多条字线包括多个存储器单元。多个存储器孔延伸穿过该字线以及穿过该绝缘层。该存储器孔具有可变直径，使得该存储器孔中的一个存储器孔在该字线中的一个字线处的该直径不...
    2026-03-24
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411269016.2
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括第一介质层和连接结构，连接结构沿第一方向贯穿第一介质层并沿第二方向延伸，连接侧壁包括沿第一方向分布的第一子侧壁和第二子侧壁，第一子侧壁和第二子侧壁相对第一方向的倾斜方向不同，第...
    2026-03-24
  • 半导体器件及其操作方法、系统
    半导体器件及其操作方法、系统_长江存储控股股份有限公司_202411207111.X
    本公开实施例公开了一种半导体器件及其操作方法、系统。该半导体器件包括多个存储串组，每个存储串组包括至少一个存储串；以及多条位线，每条位线耦接沿第一方向排布的多个存储串组；其中，沿多条位线中的选定位线的第一端指向选定位线的第二端的方向，同一条...
    2026-03-24
  • 半导体器件及其操作方法、系统
    半导体器件及其操作方法、系统_长江存储控股股份有限公司_202411196642.3
    本公开提供了一种半导体器件及其操作方法、系统，所述半导体器件包括：堆叠结构；所述堆叠结构包括沿第一方向交替层叠的导电层和绝缘层；位于所述堆叠结构沿所述第一方向相对的两侧中的一侧的选择栅极层；多个沿第三方向延伸并沿所述第一方向贯穿所述选择栅极...
    2026-03-24
  • 半导体存储装置及其形成方法
    半导体存储装置及其形成方法_联华电子股份有限公司_202411331546.5
    本发明公开一种半导体存储装置及其形成方法，包括基底、两个浮动栅极、两个控制栅极、一第一介电层、一间隙壁以及一抹除栅极。浮动栅极设置在基底上。控制栅极分别设置在浮动栅极上。第一介电层设置在浮动栅极和控制栅极之间。间隙壁设置在各控制栅极的侧壁上...
    2026-03-24
  • 存储器件及其制作方法
    存储器件及其制作方法_长鑫科技集团股份有限公司_202610189154.2
    本公开涉及半导体领域，提供一种存储器件及其制作方法，其中，存储器件包括：基底；在基底上沿第一方向间隔排布的多个隔离结构，隔离结构包括主体部以及位于主体部一侧的第一加宽部，主体部与第一加宽部在第二方向上排布，且在沿第一方向上，第一加宽部的宽度...
    2026-03-24
  • 三维动态随机存储器及其制备方法、电子设备
    三维动态随机存储器及其制备方法、电子设备_北京大学_202511674315.9
    本申请提供了一种三维动态随机存储器及其制备方法、电子设备；该方法包括：在衬底上形成堆叠结构；堆叠结构是通过在衬底上交替沉积介质材料和金属材料形成的；在堆叠结构上沉积掩模材料，形成第一硬掩模；基于第一硬掩模，刻蚀堆叠结构，形成柱状结构；各向同...
    2026-03-24
  • 一种半导体装置及其制造方法
    一种半导体装置及其制造方法_深圳市昇维旭技术有限公司_202511660274.8
    本申请提供一种半导体装置及其制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有位线材料层以及覆盖位线材料层的隔离材料层；形成硬掩模层，以覆盖隔离材料层；刻蚀硬掩模层、隔离材料层和位线材料层，以形成沿第一方向延伸的多个位线以及位于位线外侧的多个沟槽，多个...
    2026-03-24
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