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  • 本申请公开了一种原子层沉积制备锂掺杂硅基发光材料的方法及其结构,该方法包括:向原子层沉积设备反应腔通入三(二甲胺基)硅烷脉冲蒸气使其与衬底表面形成均匀分布的活性位点进行反应,生成Si‑N键;等离子体氢气与Si‑N键反应,生成Si悬挂键和Si...
  • 本申请实施例提供了一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备。所述半导体薄膜沉积设备的反应腔包括:底部出气结构,所述底部出气结构设置于所述反应腔底部,所述底部出气结构包括:环形底板,所述环形底板沿自身周向间隔设置有多个出气孔,各所述...
  • 本发明涉及化工技术领域,公开了一种化学气相沉积装置,包括供气模块、雾化器、反应器和加热结构,供气模块用于提供载气,雾化器具有容纳腔和同时连通容纳腔的进气口、出气口和多个进料口,出气口位于雾化器的上部,进气口位于容纳腔的下部且与供气模块连通,...
  • 本申请提供一种设有基座的气相生长设备,包括工艺腔室、支撑装置、罩型基座、加热装置和腐蚀消耗装置。支撑装置设于工艺腔室的内底部。罩型基座底部开口并与支撑装置顶部连接,围成有容纳腔,罩型基座与支撑装置形成对接处。加热装置设于容纳腔,包括靠近罩型...
  • 本发明提出了一种去除MPCVD腔内壁积碳的变频等离子体清洗装置,涉及金刚石制备领域。包括反应腔本体,反应腔本体分为微波谐振腔和微波放电腔,微波谐振腔上设有微波调节单元,其侧壁上还连接有第二微波源;微波放电腔的侧壁连接有质量流量计和真空泵,其...
  • 本发明公开了一种利用CVD回转炉制备硅碳负极材料的工艺,包括:S1、以CVD回转炉为反应装置,以多孔碳为基底,通入包含硅源气体的原料气A进行硅沉积;S2、向CVD回转炉中再次通入包含碳源气体的原料气B,进行碳包覆;S3、冷却后出料得到硅碳负...
  • 本发明提供了一种原位合成法制备碳纳米管铝合金复合材料的方法,包括以下步骤:S1、铝合金载体选择与预处理:选择铝合金作为载体,对载体表面进行预处理;S2、钠基催化剂的负载;S3、分区化学气相沉积原位生长;S4、致密化加工:对碳纳米管‑铝合金复...
  • 本申请公开了一种铒掺杂氮化硅薄膜及其制备方法、以及光子集成器件及其制备方法。本申请能够从根本上规避异质集成、并在高掺杂浓度下仍能有效抑制浓度猝灭。
  • 本发明提供了一种镀膜设备,该镀膜设备包括镀膜室、坩埚、束导器、传送系统、第一等离子体发生器及第二等离子体发生器。镀膜室的内部为真空腔。坩埚设置于真空腔的腔底。靶材装载于坩埚。束导器环绕于坩埚的周部。传送系统与束导器相对设置,传送系统用于传送...
  • 本发明公开了一种半导体薄膜生产用的镀膜装置;本发明涉及半导体制造设备技术领域,包括箱体、加热箱、有害气体收集组件、过滤更换组件及镀膜散热组件;有害气体收集组件与过滤更换组件协同处理废气与积碳,环保性强;加热箱精准控温,风扇组高效散热,保障薄...
  • 本发明公开了一种多腔室高洁净度真空镀膜设备,本发明涉及真空镀膜技术领域。包括仓门,还包括:镀膜仓,所述镀膜仓与仓门连接,所述镀膜仓的外部设置有抽气系统;进料仓,所述进料仓与镀膜仓连接;出料仓,所述出料仓与镀膜仓连接;进出料机构,其中一个所述...
  • 本发明公开了一种数智化协同控制镀膜方法,通过工件行星系统使沉积源在工件镀膜表面进行公转镀膜,包括以下步骤:S1:实时获取沉积速率;S2:根据预设的目标公转圈数和目标厚度确认闭环条件下的速度调节基准,结合所述沉积速率,得到目标公转角速度;S3...
  • 本发明涉及的一种基于电磁感应的EB‑PVD熔池高度监测系统及监测方法,所述系统包括水冷铜坩埚、置于其水冷层内部的同轴环形线圈阵列、电子测量单元和数据处理系统;所述方法基于8YSZ等陶瓷材料固态与熔融态电磁特性差异显著的原理,通过线圈阵列施加...
  • 本申请公开了一种工艺配方的优化方法及半导体工艺设备。其中,该方法应用于半导体工艺设备的控制器中时,包括:接收用户端发送的针对工艺配方中的工艺参数微调系数值的修改指令,并将修改指令中工艺参数微调系数值的修改值存储在本地设备中工艺配方中包括动态...
  • 本发明涉及PVD镀膜悬挂装置技术领域,且公开了一种PVD镀膜工件旋转悬挂装置,包括支架,支架的底部安装有悬挂板,悬挂板的底部固定装配有导轨,悬挂板的顶部固定装配有驱动电缸。该PVD镀膜工件旋转悬挂装置,通过在悬挂板两端设置的悬挂组件,在对待...
  • 本发明公开了一种真空镀膜设备,属于真空镀膜设备技术领域,包括镀膜室、工件载架和用于驱动工件载架转动的旋转驱动装置,工件载架的周向设有多个转动设置的工件装载座,任意相邻两个工件装载座之间具有间隙以使各工件装载座的转动互不干涉,工件载架设有遮挡...
  • 本发明公开了一种晶圆真空镀膜用夹具及工件载架,属于真空镀膜设备技术领域,夹具包括用于放置晶圆的底板和安装在底板上用于从晶圆四周边缘夹紧固定晶圆的两组以上夹持组件,至少一组夹持组件为活动夹持组件,活动夹持组件包括活动夹持件,活动夹持件以能调节...
  • 本发明涉及半导体开发技术领域,且公开了半导体离子参杂电弧室结构,包括电弧室,所述电弧室空腔的底板上设置有气相沉淀模块,所述雕刻通孔右侧设置有雕刻组件,所述电弧室上端设置有电弧板,所述电弧板顶部端面与电弧放电组件相连,所述电弧板底部端面设置有...
  • 本申请公开了一种高靶材利用率的磁控溅射磁场设计装置,涉及磁控溅射技术领域,该装置中第一、第二主磁体设置在磁靴的两侧;第三主磁体设置在磁靴上;第一、第二主磁体磁性相同,与第三主磁体磁性相反;各主磁体形成拱形磁场;第三、第四过渡磁体分别设置在第...
  • 本发明提供一种双阴极镀膜机构的供气装置,涉及玻璃镀膜设备技术领域,包括位于两个阴极靶之间的供气箱,供气箱包括箱体和插设在箱体内的送气条,送气条两侧面与箱体两个平行的内壁面之间分别形成一出气通道,送气条的底部固定设置有一导流架,导流架将对应的...
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