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最新专利技术
  • 方法、装置和计算机程序
    方法、装置和计算机程序_诺基亚技术有限公司_202510026569.3
    提供了一种装置，该装置包括用于以下操作的部件：从第二网络功能接收永久设备标识符的指示；存储与从第二网络功能接收的永久设备标识符的所述指示相关联的信息；接收与永久设备标识符相关联的状态的指示；以及基于该信息，向第二网络功能提供和与永久设备标识...
    2025-08-27
  • 输出驱动器以及包括输出驱动器的输出缓冲器电路
    输出驱动器以及包括输出驱动器的输出缓冲器电路_三星电子株式会社_202510030521.X
    一种输出驱动器和包括输出驱动器的输出缓冲器电路，该输出驱动器包括：驱动电路，所述驱动电路电连接到焊盘，并且包括彼此串联连接的至少两个晶体管；以及防泄漏电路，所述防泄漏电路被配置为阻断所述驱动电路的漏电流。所述至少两个晶体管的栅极彼此电连接，...
    2025-08-27
  • 用于操作半桥电路的方法和控制电路
    用于操作半桥电路的方法和控制电路_英飞凌科技奥地利有限公司_202510027978.5
    公开了用于操作半桥电路的方法和控制电路。半桥电路(900)包括高侧开关(100)和低侧开关(200)。开关节点(150)在高侧开关(100)与低侧开关(200)之间。负载(300)电连接至开关节点(150)。在以电流沿第一方向流经负载(30...
    2025-08-27
  • 用于机动车的蓄能器装置以及包括电机和与电机连接的蓄能器装置的机动车
    用于机动车的蓄能器装置以及包括电机和与电机连接的蓄能器装置的机动车_奥迪股份公司_202510028638.4
    一种用于机动车(1)的蓄能器装置，该蓄能器装置包括蓄能器壳体(6)和至少一个被接纳在蓄能器壳体中的电芯(5)，其中，至少一个冷却装置(7)布置成这样与电芯(5)或电芯(5)中的至少一个相邻，使得电芯(5)可借助在冷却装置(7)的至少一个冷却...
    2025-08-27
  • 用于电芯的电芯壳体、用于蓄能器装置的电芯、用于机动车的蓄能器装置及机动车
    用于电芯的电芯壳体、用于蓄能器装置的电芯、用于机动车的蓄能器装置及机动车_奥迪股份公司_202510028571.4
    一种用于电芯(5)的电芯壳体，该电芯用于机动车(1)的蓄能器装置(4)，其中，电芯壳体(15)在其内部具有至少一个用于接纳至少一个活性材料单元(16)的接纳腔(18)，其中，借助至少一个壳体壁(19、20)向外限定接纳腔(18)，其中，壳体...
    2025-08-27
  • 用于识别化学物质的神经网络
    用于识别化学物质的神经网络_辉达公司_202510030637.3
    本公开涉及用于识别化学物质的神经网络，具体公开了用于识别化学物质的装置、系统和技术。在至少一个实施例中，一个或更多个神经网络被用于至少部分地基于由所述一个或更多个神经网络预测的一个或更多个第一化学物质与一个或更多个第二化学物质的一个或更多个...
    2025-08-27
  • 信息处理装置
    信息处理装置_丰田自动车株式会社_202510029090.5
    本公开涉及信息处理装置。本公开基于由移动体收集到的探测数据来生成道路图。获取包含道路的位置信息的第一地图数据，获取探测数据，所述探测数据包含通过基于在道路上移动的第一移动体进行测位而得到的所述第一移动体的位置信息的集合，使机器学习模型以所述...
    2025-08-27
  • 用于测试车辆的热部件的系统
    用于测试车辆的热部件的系统_TI汽车技术中心有限责任公司_202510027182.X
    本发明涉及一种用于测试车辆的热部件的系统，其用于与在几乎真实尺寸的完整虚拟车辆中的真实硬件(测试台)测量、模拟数据和可视化共生地分析车辆或其部件的热管理系统，该系统包括：多个热部件(12a‑12c)；用于检测至少一个热部件的行为的至少一个传...
    2025-08-27
  • 锁定结构
    锁定结构_矢崎总业株式会社_202510029350.9
    本发明提供一种能够限制阳锁定部向间隙部误插入的锁定结构。锁定结构具备：阳锁定部(11)，其形成于第一结构体(10)；阴锁定部(21)，其形成于第二结构体(20)，能够供所述阳锁定部插入；间隙部，其在所述第二结构体中与所述阴锁定部相邻地形成，...
    2025-08-27
  • 具有可变形的洗涤物腔的洗涤物护理器具
    具有可变形的洗涤物腔的洗涤物护理器具_BSH家用电器有限公司_202510028617.2
    本发明涉及一种洗涤物护理器具，具有接收洗涤物的可变形洗涤物腔。洗涤物护理器具具有壳体和器具置入件，器具置入件可推入壳体并可从壳体区段拉出。可变形洗涤物腔设置在器具置入件中。可变形洗涤物腔与沉降腔通过第一循环泵送管路流体技术连接。沉降腔的上部...
    2025-08-27
  • 光半导体元件密封用片以及光半导体装置
    光半导体元件密封用片以及光半导体装置_日东电工株式会社_202510029294.9
    本发明涉及光半导体元件密封用片以及光半导体装置。本发明提供一种光半导体元件密封用片，其减反射性、光半导体元件的密封性、以及拼接时的作业性优异，在将相邻的光半导体装置彼此拉开时不易引起片的缺损。光半导体元件密封用片(1)为用于密封配置于基板(...
    2025-08-27
  • 光半导体元件密封用片以及光半导体装置
    光半导体元件密封用片以及光半导体装置_日东电工株式会社_202510027777.5
    本发明涉及光半导体元件密封用片以及光半导体装置。本发明提供一种光半导体元件密封用片，其减反射性、光半导体元件的密封性、以及拼接时的作业性优异，在将相邻的光半导体装置彼此拉开时不易引起片的缺损。光半导体元件密封用片(1)为用于密封配置在基板(...
    2025-08-27
  • 光半导体元件密封用片以及光半导体装置
    光半导体元件密封用片以及光半导体装置_日东电工株式会社_202510027662.6
    本发明涉及光半导体元件密封用片以及光半导体装置。本发明提供一种光半导体元件密封用片，其光学特性、光半导体元件的密封性、以及拼接时的作业性优异，在将相邻的光半导体装置彼此拉开时不易引起片的缺损。光半导体元件密封用片(1)为用于密封配置在基板(...
    2025-08-27
  • 包括杂环化合物的发光装置、包括发光装置的电子设备和电子装置以及杂环化合物
    包括杂环化合物的发光装置、包括发光装置的电子设备和电子装置以及杂环化合物_三星显示有限公司_202510029232.8
    实施方式提供杂环化合物、包括杂环化合物的发光装置、包括发光装置的电子设备和包括发光装置的电子装置。发光装置包括：第一电极，面向第一电极的第二电极，在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，以及杂环化合物。杂环化合物由式1表示，其在本说明...
    2025-08-27
  • 一种芳胺化合物、有机电致发光器件及电子设备
    一种芳胺化合物、有机电致发光器件及电子设备_海宁奕诺炜特科技有限公司_202510029022.9
    本发明提供一种有机化合物、有机电致发光元件及电子设备，苯并咔唑结构与亚苯基‑二苯并呋喃结构的化合物空穴传输能力强，可以将空穴快速传至发光层，同时具有合适的能级，能将载流子限制在发光层内，降低载流子外溢导致效率下降，本申请化合物制备的有机电致...
    2025-08-27
  • 驾驶辅助装置及驾驶辅助方法
    驾驶辅助装置及驾驶辅助方法_五十铃自动车株式会社_202510026112.2
    驾驶辅助装置（3）具有：获取部（321），获取捕获包括车辆的驾驶员座位的图像捕获区域的红外图像；判定部（322），在不能在红外图像中识别驾驶员的情况下，基于红外图像中的捕获有在图像捕获区域中且被阳光照射的区域的图像的像素的像素值是否等于或大...
    2025-08-27
  • 车辆的控制装置
    车辆的控制装置_丰田自动车株式会社_202510027379.3
    本发明涉及车辆的控制装置，驾驶员能够更直观地操作固定于方向盘的输入装置。该车辆的控制装置进行反转控制，该反转控制包括：在方向盘的转向角处于第一规定转向角范围的情况下将第二规定操作作为第一规定操作而接受的控制、以及在转向角处于第二规定转向角范...
    2025-08-27
  • 注射成型机的塑化状态诊断方法和装置
    注射成型机的塑化状态诊断方法和装置_日精树脂工业株式会社_202510028531.X
    本发明提供注射成型机的塑化状态诊断方法和装置，在加热筒(2)中的前后方向(Fs)的不同的多个位置(Xr、Xf)配设检测AE波(We)的多个AE传感器(6r、6f)，根据从各AE传感器(6r、6f)得到的AE波(We)的到达时间(tr、tf)...
    2025-08-27
  • 注射成型机
    注射成型机_株式会社日本制钢所_202510026976.4
    提供一种能够使维护技术人员以高效率实施检查的注射成型机。以具有多个空气驱动装置(20、27、30)的注射成型机(1)为对象。空气驱动装置(20、27、30)包括空气驱动的夹持装置(27)、空气驱动的模具盘掉落防止装置(20)和空气驱动的截流...
    2025-08-27
  • 用于沟槽栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的自对准沟槽底部保护区域
    用于沟槽栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的自对准沟槽底部保护区域_意法半导体国际公司_202510033861.8
    本文涉及用于沟槽栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的自对准沟槽底部保护区域。提供了一种沟槽栅极MOSFET以及在沟槽栅极MOSFET中的沟槽栅极的底部表面处形成自对准沟槽底部保护区域的方法。方法包括在具有第二导电类型的半导体本体区域内形成具有...
    2025-08-27
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