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最新专利技术
  • 消息发送方法、装置、终端、网络侧设备、介质及计算机程序产品
    消息发送方法、装置、终端、网络侧设备、介质及计算机程序产品_维沃移动通信有限公司_202410104674.X
    本申请公开了一种消息发送方法、装置、终端、网络侧设备、介质及计算机程序产品，属于通信技术领域，本申请实施例的消息发送方法包括：终端接收来自网络侧设备的至少一个随机接入响应RAR；所述终端基于所述至少一个RAR确定的目标TA，延迟发送第一消息...
    2025-09-12
  • 行动车辆、多模式灯号控制方法以及行动车辆控制系统
    行动车辆、多模式灯号控制方法以及行动车辆控制系统_常州瑞阳电装有限公司_202410101378.4
    本发明公开一种行动车辆、行动车辆多模式灯号控制方法以及行动车辆控制系统。行动车辆包括一策略控制电路、一方向灯控制电路、一触发电路、一第一方向灯具以及一第二方向灯具。当触发电路提供第一触发信号给策略控制电路时，第一方向灯具或是第二方向灯具持续...
    2025-09-12
  • 电路板及其制备方法
    电路板及其制备方法_宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司_202410098702.1
    本申请提出一种电路板及其制备方法，所述电路板包括绝缘层、第一线路层和第二线路层，绝缘层包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面朝向所述第二表面凹陷形成有线路槽，第一线路层设于线路槽内，第二线路层设于第一表面且与第一线路层交叉设置，交叉处的...
    2025-09-12
  • 具有同轴孔的电路板及其制备方法
    具有同轴孔的电路板及其制备方法_宏恒胜电子科技(淮安)有限公司_202410106034.2
    本申请提出一种具有同轴孔的电路板及其制备方法。本申请通过在内层的通孔上设置第一导电层，并在第一导电层上设置具有缺口的第二导电层，形成了具有一体结构的接地孔，提升了接地孔的信赖性。并且，接地孔内填充有相同材质的第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘...
    2025-09-12
  • 内埋元件电路板及其制造方法
    内埋元件电路板及其制造方法_先丰通讯股份有限公司_202410101784.0
    本发明提供一种内埋元件电路板及其制造方法，此电路板包含线路基板、多个设置于线路基板内的内埋结构、设置于内埋结构内的多个导电结构以及设置于线路基板表面的散热基板。每一个内埋结构包含电子元件、设置于电子元件上并直接接触电子元件的线路层、绝缘材料...
    2025-09-12
  • 电子装置的制造方法
    电子装置的制造方法_群创光电股份有限公司_202410097298.6
    本发明公开一种电子装置的制造方法，提供基板，离型层设置于基板上，电路结构设置于离型层上。电路结构的设置步骤中包括，第一导电层设置于离型层上，第一绝缘层设置于第一导电层及离型层上，第二导电层设置于第一绝缘层上且经由第一绝缘层的通孔电连接第一导...
    2025-09-12
  • 一种能源利用系统及其控制方法和控制装置、存储介质
    一种能源利用系统及其控制方法和控制装置、存储介质_广东美的制冷设备有限公司_202410102450.5
    一种能源利用系统及其控制方法和控制装置、存储介质。能源利用系统包括：热水器；具有散热器的逆变装置，散热器包括换热管路；水箱，与换热管路相连接形成循环流路，且水箱具有第一连接口和第二连接口，第一连接口设置成与压力水源相连接；第一开关阀，连接热...
    2025-09-12
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统、信号生成方法
    半导体器件及其制备方法、存储器系统、信号生成方法_长江存储科技有限责任公司_202410100762.2
    本申请实施方式提供了一种半导体器件及制备方法、存储器系统以及一种用于半导体器件的信号生成方法。半导体器件包括：第一半导体结构、第二半导体结构和差分互连结构。第一半导体结构包括第一电路。第二半导体结构位于第一半导体结构的一侧，并包括沿第一方向...
    2025-09-12
  • 半导体器件及其制作方法、电子设备
    半导体器件及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410102754.1
    本公开涉及一种半导体器件及其制作方法、电子设备，半导体器件包括存储单元，存储单元包括晶体管，晶体管包括沿第一方向依次连接的第一源/漏极、导电沟道以及第二源/漏极，导电沟道为环形，环形的导电沟道的开口沿着第二方向延伸，第一源/漏极和第二源/漏...
    2025-09-12
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410110510.8
    本申请实施方式提供了一种半导体器件及制备方法、存储器系统。半导体器件包括沿第一方向延伸的半导体柱，半导体柱包括第一部以及位于第一部一侧的第二部，其中第一部的第一端沿第一方向与第二部的第二端连接；以及在垂直于第一方向的方向，第一端的尺寸D1与...
    2025-09-12
  • 一种半导体器件及其制备方法和存储系统
    一种半导体器件及其制备方法和存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410107790.7
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法和存储系统，该半导体器件包括晶体管阵列、存储阵列和连接结构，存储阵列位于所述晶体管阵列沿第一方向的一侧。连接结构包括沿所述第一方向连接的第一连接结构、导电焊盘和第二连接结构，所述第一连接结构位于所述存储...
    2025-09-12
  • 一种半导体器件及其制备方法和存储系统
    一种半导体器件及其制备方法和存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410110725.X
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法和存储系统，该半导体器件包括晶体管阵列、存储阵列和连接结构，存储阵列位于晶体管阵列沿第一方向的一侧。连接结构位于存储阵列和晶体管阵列的外围，且沿第一方向延伸。其中，连接结构沿第一方向包括连接的第一连接结...
    2025-09-12
  • 用于太阳电池的异质结接触层、太阳电池及其制备方法
    用于太阳电池的异质结接触层、太阳电池及其制备方法_湖州师范学院_202410100246.X
    本发明公开了一种用于太阳电池的异质结接触层、太阳电池及其制备方法，其中，所述异质结接触层包括n+‑GaAs匹配接触层、形成于n+‑GaAs匹配接触层上的n+‑In(x)Ga(1‑x)As过渡接触层...
    2025-09-12
  • 半导体装置与其制造方法
    半导体装置与其制造方法_鸿海精密工业股份有限公司_202410100769.4
    一种半导体装置包含载板、多个墙型结构、第一阻隔层、填充材料与第二阻隔层。载板由第一材料制成。多个墙型结构排列在载板上，墙型结构由第二材料制成，且第一材料与第二材料不同。第一阻隔层覆盖载板的上表面与墙型结构的多个侧壁。填充材料在第一阻隔层上且...
    2025-09-12
  • 薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置
    薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置_TCL科技集团股份有限公司_202410102551.2
    本申请实施例提供一种薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置。薄膜包括第一修饰材料和N型半导体材料，所述第一修饰材料包括马来酰亚胺和/或马来酰亚胺衍生物，由于第一修饰材料中的电子密度较小，从而可以起到电子受体的作用，而N型半导体材料的导电性能较...
    2025-09-12
  • 一种发光器件及显示装置
    一种发光器件及显示装置_北京京东方技术开发有限公司_202410102923.1
    本发明公开了一种发光器件及显示装置，由于空穴传输结构包括空穴传输材料以及由具有可交联结构的离子型过渡金属配合物和交联剂发生交联反应而形成的交联网络，这样空穴传输结构通过离子型过渡金属配合物的掺杂，可以提高空穴传输材料的空穴浓度，以提高空穴的...
    2025-09-12
  • 显示面板、显示模组和电子设备
    显示面板、显示模组和电子设备_华为技术有限公司_202410104536.1
    本申请提供一种显示面板、显示模组和电子设备，该显示面板包括第二扫描信号线、第二扫描信号线、第二栅极驱动单元和第一栅极驱动单元、显示区以及围绕所述显示区设置的周边区；该周边区包括第一侧边和第二侧边，且第一侧边和第二侧边之间通过第一圆角连接，第...
    2025-09-12
  • 显示面板、显示装置和显示面板的制备方法
    显示面板、显示装置和显示面板的制备方法_京东方科技集团股份有限公司_202410101327.1
    本申请实施例提供一种显示面板、显示装置和显示面板的制备方法，其中，显示面板包括：基板和平坦层，平坦层远离基板的一侧包括周期性交替排布的凹槽和凸起；发光器件层，位于平坦层远离基板的一侧，包括多个发光器件，发光器件包括层叠设置的第一电极层、像素...
    2025-09-12
  • 薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置
    薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置_TCL科技集团股份有限公司_202410102539.1
    本申请实施例提供一种薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置。薄膜包括第一修饰材料和N型半导体材料，第一修饰材料包括富瓦烯和/或富瓦烯衍生物。本申请实施例提供的薄膜中含有第一修饰材料，第一修饰材料包括富瓦烯和/或富瓦烯衍生物，由于富瓦烯和富瓦烯...
    2025-09-12
  • 复合材料及其制备方法、光电器件、显示装置
    复合材料及其制备方法、光电器件、显示装置_深圳市TCL高新技术开发有限公司_202410106174.X
    本申请公开了一种复合材料及其制备方法、光电器件、显示装置，涉及显示技术领域。光电器件包括P型半导体材料和修饰剂，修饰剂包括被第一取代基取代的芳香化合物、被第一取代基取代的杂芳香化合物中的一种或几种，所述第一取代基包括‑NO2
    2025-09-12
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