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  • 本发明提供了一种卷材碳纸用导电浆料、卷材碳纸及其制备方法,属于燃料电池技术领域。所述卷材碳纸用导电浆料的制备方法可以提高导电剂在浆料中的分散性和稳定性,实现卷材碳纸均匀浸渍上胶,实现卷材碳纸稳定、连续生产。
  • 本发明涉及漆包线加工技术领域,具体为一种铜包铝漆包线自动化加工设备,配合铜包铝线使用,包括顶盖、固定底架、内架和供液管,还包括传动组件、固定组件和补涂组件,所述固定底架位于顶盖的底部,所述内架位于固定底架的内侧,且内架与顶盖的底部进行活动卡...
  • 本发明属于直流盆式绝缘子涂层技术领域,具体涉及一种用于盆式绝缘子的分区涂覆非线性电导涂层及其制备方法。首先,采用有效技术对钛酸钡进行表面预处理,然后在聚合物基体中添加固化剂和促进剂等必要配料,将钛酸钡与添加了配料的聚合物基体进行混合搅拌得到...
  • 本发明涉及降压变压器技术领域,公开了一种补偿式中线调节降压变压器,包括:降压变压器本体、中性线、补偿控制模块;判断单元被配置基于第一电压值判断是否对降压变压器本体进行补偿;补偿单元被配置为根据补偿方案对降压变压器本体进行补偿;验证单元被配置...
  • 本发明涉及生物分离材料技术领域,具体涉及一种大尺寸单分散链霉亲和素磁性微球的制备方法及化学发光应用。包括以下步骤:溶胀聚合法制备多孔聚合物微球内核;自组装法包覆水相磁性颗粒;外层二氧化硅包封和羧基改性;表面链霉亲和素修饰,得到链霉亲和素磁性...
  • 本发明公开一种缓解无线充电磁芯磁热不均的铁氧体磁块设计方法,其特征在于,包括:将磁芯划分为中间磁场弱区域和边缘磁场强区域;构建多目标优化函数,通过权重分配优化确定所述中间磁场弱区域和边缘磁场强区域的铁氧体磁块尺寸及相邻磁块间的气隙参数;基于...
  • 本发明属于绕线机设备领域,具体涉及一种变压器线圈绕线机,针对于现有技术存在的加工步骤繁琐,铁芯绕线加工效率低的问题,提供了一种变压器线圈绕线机,盒体的内部安装有上下移动的升降架,升降架的外侧分别设置有多个呈环形均匀分布的绕线部件,每个绕线部...
  • 本发明公开了一种超级电容器电解质及其制备方法和应用,所述电解质的制备方法包括用溴化锂水溶液使溶解浆溶解;加入丙烯酰胺溶液;加入交联剂和引发剂,引发聚合反应,形成纤维素和聚丙烯酰胺分子的互穿网络结构的膜材料。本发明得到了纤维素和聚丙烯酰胺的复...
  • 一种隔离开关防护装置,属于隔离开关技术领域,包括有绝缘的防护挂板机构,防护挂板机构设置有两个,两个防护挂板机构对称布置,从而使得防护挂板机构能够安装在隔离开关的两侧。防护挂板机构包括有绝缘板本体和U型弯钩,绝缘板本体的顶端设置有U型弯钩,U...
  • 本发明涉及一种压力开关,包括阀体;传感器件;调整部件,包括依次设置的设定值调整部件和回差调整部件,且设定值调整部件位于回差调整部件与传感器件之间,设定值调整部件用于设定复位值,回差调整部件用于设定回差值,压力开关的动作压力值为复位值与回差值...
  • 本发明提供了一种晶圆正负离子配位共掺杂方法及晶圆,其包括:S1、提供砷化镓衬底;S2、在砷化镓衬底表面制备包括具有配位数正负离子的掺杂靶材;S3、封装连接有掺杂靶材的砷化镓衬底;S4、使掺杂靶材中正、负离子同步扩散至砷化镓衬底中。本发明利用...
  • 本申请提供探针卡的整平方法、整平装置以及探针卡。所述探针卡包括印刷电路板、多层有机基板、安装台以及探针卡头;多层有机基板以及安装台设置于印刷电路板的承载面上,且安装台环绕多层有机基板;探针卡头设置于安装台的安装面上,并与多层有机基板的接触面...
  • 本发明属于集成电路加工技术领域,具体是指一种集成电路板生产加工设备,包括加工主体,和设置在加工主体上的平移组件,还包括封装机构和后处理机构,所述封装机构设置在加工主体上,所述后处理机构设置加工主体上;所述封装机构包括混合组件、去泡式搅拌组件...
  • 本发明公开一种金属纳米颗粒机械离心堆垛‑低温热处理成型的晶圆级盲孔填充方法,属于微纳制造工艺领域。本发明所述方法关键步骤包含在晶圆级基底上刻蚀盲孔(直径为0.1μm~10μm,深宽比为5:1~20:1),并在孔内绝缘层上制备阻挡层;然后制取...
  • 本发明提供了一种半导体结构及其制备方法。通过在所述半导体基底表面设置第一金属层,所述第一金属层中包括预留孔,在所述第一金属层以及所述预留孔内表面形成介电材料层,去除部分的所述介电材料层以暴露出所述预留孔,去除所述预留孔中的所述介电材料层,在...
  • 本申请提供了一种半导体封装结构及其制备方法。该半导体封装结构包括基板、第一金属层、隔离金属层和绝缘层。其中,第一金属层位于基板的一侧;隔离金属层的至少部分位于第一金属层远离基板的一侧;绝缘层位于第一金属层远离基板的一侧,绝缘层具有通孔,通孔...
  • 本发明公开了一种低成本混合金属异构封装凸块及制备方法,涉及芯片封装技术领域,自下至上依次包括晶圆、导电层、钝化层、阻挡层、种子层、凸块铜金属层、凸块钯金属层和凸块纯金金属层;钝化层覆盖在晶圆表面并露出部分导电层,中间层金属钯将铜凸块全包围,...
  • 本发明适用于太阳能电池技术领域,提供一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统,包括:硅片,硅片包括第一边缘和第二边缘、第三边缘和第四边缘;设于硅片背面的第一标记,第一标记包括靠近第一边缘的第一子标记、靠近第二边缘的第二子标记、靠近第三边缘的...
  • 本发明涉及锂离子电池技术领域,具体而言,涉及一种快充型锂离子电池负极极片及其制备方法、锂离子电池和用电设备。快充型锂离子电池负极极片包括具有极耳的负极集流体以及设置在负极集流体表面上的相接的第一活性层和第二活性层;第一活性层设置在靠近极耳的...
  • 本发明属于电池领域,具体涉及一种正极浆料及其制备方法、正极片和钠离子电池。正极浆料包括正极活性材料、导电剂、粘结剂、酸类化合物、以及溶剂;所述的正极活性材料为聚阴离子型正极活性材料。本发明提供的正极浆料中加入了少量的酸类化合物,其含有羧酸基...
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