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最新专利技术
  • 一种LGA封装的集成电路连接座
    一种LGA封装的集成电路连接座_深圳市铨天科技有限公司_202510968295.X
    本发明公开了一种LGA封装的集成电路连接座， 涉及连接座领域， 包括基座、装配框以及扣框， 所述基座上开设有插槽， 所述插槽内嵌设有若干个倾斜的接触针脚， 装配框一侧开设有避让通槽；能置于插槽内的防护盖；能将集成电路装在装配框上的连接结构；...
    2025-11-27
  • 一种高导热氧化镓复合衬底及其制备方法
    一种高导热氧化镓复合衬底及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202510689542.2
    本发明涉及半导体技术领域， 尤其涉及一种高导热氧化镓复合衬底及其制备方法。所述高导热氧化镓复合衬底包括：高导热衬底和氧化镓单晶；所述高导热衬底和所述氧化镓单晶键合相连；所述高导热衬底为Cu和金刚石的合金陶瓷材料。本发明研究得到一种以Cu和金...
    2025-11-27
  • 一种兼容性强的高压大功率封装工艺
    一种兼容性强的高压大功率封装工艺_四川华尔科技有限公司_202510871488.3
    本发明涉及半导体封装技术领域， 尤其是提供了一种兼容性强的高压大功率封装工艺， 采用封装装置实施， 该封装装置包括外壳和安装在外壳底部的基板， 基板和外壳之间设有定位杆， 定位杆开设有第一排气孔， 基板设有垂直向上的定位腔， 定位腔内设有由...
    2025-11-27
  • 一种功率半导体的封装结构及封装方法
    一种功率半导体的封装结构及封装方法_广东风华芯电科技股份有限公司_202511269559.9
    本发明涉及一种功率半导体的封装结构及封装方法， 其包括基板、驱动芯片、第一功率芯片、第二功率芯片、低导热塑封层和高导热塑封层；基板上设置有若干焊点及走线， 基板上的走线将若干焊点电连接并形成驱动电路；驱动芯片、第一功率芯片和第二功率芯片分别...
    2025-11-27
  • 一种芯片散热装置
    一种芯片散热装置_浙江昊芯微电子有限公司_202510706833.8
    本申请公开了一种芯片散热装置， 其包括几字形壳、开设于所述几字形壳顶部的开口、放置于所述几字形壳顶部且与所述开口相对应的芯片本体、设置于所述几字形壳上的散热组件、设置于所述几字形壳上的拆卸组件， 所述散热组件对所述芯片本体起到散热的作用， ...
    2025-11-27
  • 一种光伏旁路芯片
    一种光伏旁路芯片_信天翁半导体(杭州)有限公司_202510680081.2
    本发明涉及芯片封装技术领域， 具体涉及一种光伏旁路芯片， 本发明通过将功率开关、光伏旁路控制芯片与其所需的自蓄电电容封装在同一绝缘基座上， 实现了高集成度的光伏旁路功能单片系统， 降低了外围电路的复杂度和成本， 提高了光伏旁路功能的可靠性，...
    2025-11-27
  • 一种无基岛局部填封结构及其喷涂工艺方法
    一种无基岛局部填封结构及其喷涂工艺方法_江门市华凯科技有限公司_202510870964.X
    本发明公开了一种无基岛局部填封结构及其喷涂工艺方法， 包括金属引线框本体， 金属引线框本体设置有上下贯通的镂空槽， 镂空槽周围布置有金属内引脚， 镂空槽内设置有内填塑封料， 且内填塑封料还连接金属内引脚， 并布置在金属内引脚的正面和/或背面...
    2025-11-27
  • 半导体封装结构、封装结构和制造中介层的方法
    半导体封装结构、封装结构和制造中介层的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510784622.6
    用于半导体封装件的中介层包括集成至中介层中的光子组件， 诸如光波导和/或集成电路(IC)光子管芯。中介层包括：衬底；再分布结构， 位于衬底上方， 其中， 再分布结构包括介电材料中的多个导电部件；以及光波导， 位于衬底上方和/或内。光波导包括...
    2025-11-27
  • 一种嵌入式转接板的制作方法及其成形结构
    一种嵌入式转接板的制作方法及其成形结构_浙江禾芯集成电路有限公司_202510891539.9
    本发明公开了一种嵌入式转接板的制作方法及其成形结构， 属于半导体封装技术领域。其工艺如下：封装基板预处理并背面植金属球；封装基板正面临时键合临时键合载板；塑封封装基板的背面和金属球， 并固化， 再进行第一次减薄；封装基板的正面解键合；准备桥...
    2025-11-27
  • 一种基板结构和基板结构的制作方法
    一种基板结构和基板结构的制作方法_中国科学院微电子研究所_202510948186.1
    本发明公开了一种基板结构和基板结构的制作方法， 涉及半导体技术领域， 以解决现有技术中铜层与玻璃芯板直接结合的界面在热应力作用下易发生分层失效， 影响后续封装可靠性的问题。所述基板结构包括：玻璃芯板具有沿其厚度方向贯穿玻璃芯板的通孔。金属氧...
    2025-11-27
  • 一种硅通孔阵列、编码方法和计算机程序产品
    一种硅通孔阵列、编码方法和计算机程序产品_北京大学深圳研究生院_202510818818.2
    一种硅通孔阵列、编码方法和计算机程序产品， 应用于集成电路技术领域， 硅通孔阵列包括：多个基本子阵列；基本子阵列包括位于中心的一个硅通孔， 以及十字围绕分布的四个硅通孔和斜对角围绕分布的四个硅通孔；位于中心的硅通孔为信号硅通孔， 呈十字围绕...
    2025-11-27
  • 一种TGV基板结构
    一种TGV基板结构_深圳市矩阵多元科技有限公司_202510885425.3
    本发明涉及TGV基板技术领域， 具体涉及所述一种TGV基板结构， 包括TGV基板， 所述TGV基板上开设有若干玻璃通孔， 每个玻璃通孔内均设置有供多层TGV基板之间互连的填充铜；以及围绕每个玻璃通孔设置的用于缓冲填充铜受热膨胀的盲孔；以及设...
    2025-11-27
  • 测试结构、失效定位方法以及失效分析方法
    测试结构、失效定位方法以及失效分析方法_华虹集成电路(成都)有限公司_202510884251.9
    本发明提供了一种测试结构、失效定位方法以及失效分析方法， 应用于半导体生产领域。在本发明中， 通过在第一有源区上形成金属硅化物层， 同时在第二有源区上不形成金属硅化物层， 以使所述第一有源区和所述第二有源区中正常状态下的接触插塞在电压衬度图...
    2025-11-27
  • 一种基于多层级抽滤法制备的石墨烯/MnO2/CNT复合正极及其制备方法和应用
    一种基于多层级抽滤法制备的石墨烯/MnO2/CNT复合正极及其制备方法和应用_浙江理工大学_202510642320.5
    本发明属于水系锌离子电池技术领域， 涉及一种基于多层级抽滤法制备的石墨烯/MnO2/CNT复合正极及其制备方法和应用。所述的方法是通过水热反应法制备二氧化锰， 与其他材料配制为活性层与阻挡层并采用分层级抽滤法抽滤制成多层的复合正极。本发明复...
    2025-11-27
  • 一种锂离子电池用高镍正极材料及其洗涤包覆处理方法
    一种锂离子电池用高镍正极材料及其洗涤包覆处理方法_长安大学_202510695880.7
    本发明属于锂离子电池正极材料技术领域， 具体涉及一种高镍正极材料及其洗涤包覆处理方法、锂离子电池。本发明用磷钨酸溶液作高镍正极材料合成过程中的洗涤包覆剂， 与常见的洗涤剂相比， 不仅这能更快速有效去除高镍正极材料表面残碱的， 使得高镍正极材...
    2025-11-27
  • 纳米孔结构复合集流体及其制备方法
    纳米孔结构复合集流体及其制备方法_安徽飞拓新材料科技有限公司_202510754489.X
    本发明涉及锂电池集流体材料技术领域， 尤其涉及纳米孔结构复合集流体及其制备方法， 该纳米孔结构复合集流体制备方法包括以下步骤：S1、通过三层共挤流延成型工艺在基材层两面复合纳米结构层， 形成双面纳米结构基材卷材；S2、在基材层两面复合的纳米...
    2025-11-27
  • 一种在硅阳极表面形成SEI膜的方法
    一种在硅阳极表面形成SEI膜的方法_宁夏大学_202510906279.8
    本发明属于锂电池技术领域， 具体涉及一种在硅阳极表面形成SEI膜的方法。本发明提供了一种脉冲电压驱动定制化形成SEI的技术方案， 通过合理设计脉冲电压幅值、脉冲电压高低电位持续时间及脉冲时间等参数， 诱导电极表面形成具有特定成分比例和微观结...
    2025-11-27
  • 一种固态电池锂带压延用功能膜的制备方法
    一种固态电池锂带压延用功能膜的制备方法_世电新材料技术(山东)有限公司_202510919290.8
    本发明公开的一种固态电池锂带压延用功能膜的制备方法， 属于电池锂带压延技术领域；包括以下步骤：S1、准备基础薄膜材料；S2、向步骤S1中的基础薄膜材料上涂布功能涂层；S3、对于步骤S2中涂布功能涂层后的薄膜材料干燥固化；S4、将步骤S3中干...
    2025-11-27
  • 阴极单元和制造阴极单元的方法
    阴极单元和制造阴极单元的方法_弗劳恩霍夫应用研究促进协会_202510931678.X
    本发明涉及一种用于固态电池的阴极单元及其制造方法。阴极单元具有由复合材料2制成的层， 复合材料2具有电极材料、固体电解质材料、导电添加剂和作为粘合剂的聚四氟乙烯。复合材料包括重量百分比小于1％的聚四氟乙烯， 并且聚四氟乙烯至少部分以原纤维化...
    2025-11-27
  • 一种基于超临界载气的气相沉积硅碳材料的制备方法
    一种基于超临界载气的气相沉积硅碳材料的制备方法_北京壹金新能源科技有限公司_202511277936.3
    本发明属于硅碳负极材料制造领域， 具体涉及一种基于超临界载气的气相沉积硅碳材料的制备方法。所述方法包括以下步骤：将多孔碳材料在加热状态下真空脱气， 之后以超临界气体作为载气， 辅以超声振动， 通入含硅气体进行硅沉积， 反复进行操作直至达到所...
    2025-11-27
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