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最新专利技术
  • 芯片与模组的焊接方法及其装置
    芯片与模组的焊接方法及其装置_昆山云英谷电子科技有限公司_202410543968.2
    本发明提供了一种芯片与模组的焊接方法及其装置。其中所述方法包括：制备芯片焊点；制备模组焊点，且所述模组焊点与所述芯片焊点相对设置；将所述芯片焊点与所述模组焊点进行融合形成共晶结构，所述共晶结构包括金铝共晶、金铟共晶、金锡共晶、银锡共晶、银铟...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410533534.4
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：承载晶圆，所述承载晶圆包括第一衬底以及所述第一衬底上的第一介电层；倒置键合于所述承载晶圆上的第一晶圆，所述第一晶圆包括第二衬底以及位于所述第二衬底上的第二介电层，所述第二介电层和第一介电层相对设置...
    2025-11-20
  • 一种双芯片封装结构及其制备方法
    一种双芯片封装结构及其制备方法_成都航天博目电子科技有限公司_202511394433.4
    本发明公开了一种双芯片封装结构及其制备方法，所述方法包括：在载板上制作第一塑封层，第一塑封层中间部位进行第一大开孔；在第一大开孔制作共背极金属布线层并粘贴第一芯片，填充第一介质层；第一芯片上制作第二塑封层，第一塑封层进行第一铜柱开孔并在孔内...
    2025-11-20
  • 一种Molding功率模块嵌入热电偶的方法及芯片封装装置、系统
    一种Molding功率模块嵌入热电偶的方法及芯片封装装置、系统_赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司_202511388270.9
    本发明涉及半导体技术领域，公开一种Molding功率模块嵌入热电偶的方法及芯片封装装置、系统，方法包括：获取引线框架中热电偶预设位置；根据热电偶预设位置，使用顶杆的顶头插入引线框架中；对引线框架用环氧塑封料进行第一次塑封；在塑封后的引线框架...
    2025-11-20
  • 一种多芯集成电磁屏蔽板级封装方法及结构
    一种多芯集成电磁屏蔽板级封装方法及结构_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202511031173.4
    本发明公开一种多芯集成电磁屏蔽板级封装方法及结构，该方法包括以下步骤：将芯片倒贴在基板载体Ⅰ上；在芯片四周形成电磁波屏蔽层；将芯片和电磁波屏蔽层进行塑封，形成塑封体；在塑封体表面键合基板载体Ⅱ，将基板载体Ⅰ去除；在芯片的垫片面制备金属线路结...
    2025-11-20
  • 一种封装方法及其产品
    一种封装方法及其产品_华天科技(江苏)有限公司_202511030727.9
    本发明公开了一种封装方法及其产品，包括以下步骤：在玻璃载片上制作中介层Ⅰ；在中介层Ⅰ上制作TMV结构；将若干个背面供电芯片和其他功能芯片贴装在中介层Ⅰ上；将塑封料Ⅰ完全包裹背面供电芯片和其他功能芯片；制作中介层Ⅱ；先在中介层Ⅱ上贴装若干个其...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其形成方法、半导体堆叠结构
    半导体结构及其形成方法、半导体堆叠结构_长鑫科技集团股份有限公司_202511014213.4
    本公开关于半导体领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、半导体堆叠结构，方法包括：提供包括衬底和多个半导体芯片的初始半导体结构，半导体芯片包括基底、器件层和导电结构，器件层位于半导体芯片中靠近衬底的一侧，半导体芯片之间存在切割道凹槽；导电结构...
    2025-11-20
  • 被动元件贴装方法、芯片封装方法及芯片封装结构
    被动元件贴装方法、芯片封装方法及芯片封装结构_苏州通富超威半导体有限公司_202510983986.7
    本公开实施例提供一种被动元件贴装方法、芯片封装方法及芯片封装结构，该贴装方法包括：提供基板、被动元件和多个焊球；将多个焊球固定于基板对应被动元件处的焊盘；通过压平装置将多个焊球压平至预设焊球高度，得到多个凸块；将被动元件贴装于与其对应的凸块...
    2025-11-20
  • 一种改善封装产品翘曲的方法及装置
    一种改善封装产品翘曲的方法及装置_星科金朋半导体(江阴)有限公司_202510903682.5
    本发明涉及半导体封装技术领域，尤其是涉及一种改善封装产品翘曲的方法及装置。改善封装产品翘曲的方法包括将封装产品处于玻璃化温度，塑封材料中分子链段的运动能力增强，处于高弹态，具有较大形变的能力，此时通过超声波产生的机械振动，优化分子链段的排列...
    2025-11-20
  • 电子组件及其制造方法
    电子组件及其制造方法_三维先进有限公司_202510547759.X
    本发明提供一种电子组件及其制造方法。制造方法包括：提供第一部分，其中第一部分包括第一衬底、通过生长在第一衬底上的半导体外延结构所形成的有源组件以及形成在第一衬底上方并与有源组件电性耦合的第一接合结构；提供第二部分，其中第二部分不含有源组件并...
    2025-11-20
  • 一种高散热封装方法及结构
    一种高散热封装方法及结构_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202511031170.0
    本发明公开一种高散热封装方法及结构，该方法包括以下步骤：第一步，将芯片贴装在载板上；第二步，在芯片表面覆盖金属层；第三步，将所有芯片用介质层包裹起来；第四步，减薄介质层直至露出芯片；第五步，将散热层键合在芯片表面，之后去除载板，露出芯片的金...
    2025-11-20
  • 一种半导体芯片键合方法及芯片键合件
    一种半导体芯片键合方法及芯片键合件_深圳瑞沃微半导体科技有限公司_202511029024.4
    本申请提供了一种半导体芯片键合方法及芯片键合件，包括步骤：通过增材制造方式在所述电路表面制备导电凸块；其中，所述导电凸块与所述芯片电极一一对应；转动所述芯片将所述芯片电极朝向所述导电凸块，并将所述芯片固定在所述导电凸块；其中，所述芯片电极与...
    2025-11-20
  • 一种功率模块散热结构及其制造方法
    一种功率模块散热结构及其制造方法_哈尔滨工业大学(威海)_202511374969.X
    本发明公布了一种功率模块散热结构及其制造方法，属于半导体器件领域。首先，通过梯度压延工艺制备纤维增强相变层，再将低热阻界面材料与液冷板主体复合，使用覆膜设备将均温薄膜与低热阻界面材料复合，通过梯度热压工艺得到均温液冷板，然后将纤维增强相变层...
    2025-11-20
  • 一种芯片支架制备方法
    一种芯片支架制备方法_辽宁伊菲科技股份有限公司_202511049831.2
    本发明公开了一种芯片支架制备方法，涉及芯片封装技术领域，这种方法制备的芯片支架不仅具有优异的绝缘性能，还具备卓越的散热能力，此外，该芯片支架，其硬度高、耐磨性强，能够满足芯片支架在复杂工作环境中的长期稳定运行需求，在制备过程中，通过精细的研...
    2025-11-20
  • pn异质结材料的制备方法及一种pn异质结材料
    pn异质结材料的制备方法及一种pn异质结材料_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410498165.X
    本发明提供一种pn异质结材料的制备方法及一种pn异质结材料，该制备方法，将氧化亚铜‑金属氧化物前驱体均匀涂敷到三电极体系的工作电极上，以氢氧化物溶液为电解液，在常温条件下对所述工作电极进行光照(即光辅助法)并连续施加相应的恒定电压，对所述氧...
    2025-11-20
  • 一种防止MIM电容极板击穿的通孔介质刻蚀方法
    一种防止MIM电容极板击穿的通孔介质刻蚀方法_西安微电子技术研究所_202510988782.2
    本发明提供了一种防止MIM电容极板击穿的通孔介质刻蚀方法，具体步骤如下：第一步刻蚀采用现有刻蚀工艺，将刻蚀时间减少90s~120s，得到一次刻蚀产物；对一次刻蚀产物进行第二步刻蚀，设定选择比为25：1，完成通孔介质刻蚀，得到MIM电容。本发...
    2025-11-20
  • 一种半导体晶圆的减薄方法及减薄装置
    一种半导体晶圆的减薄方法及减薄装置_武汉山拓微电子有限公司_202511067870.5
    本发明公开了一种半导体晶圆的减薄方法及减薄装置，减薄方法包括：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面；在所述半导体晶圆的第一表面形成凹槽，所述凹槽从所述第一表面延伸至所述半导体晶圆内；其中，所述凹槽的底壁在所述半导体...
    2025-11-20
  • 一种金属硅化物层的制备方法及半导体结构
    一种金属硅化物层的制备方法及半导体结构_研微(江苏)半导体科技有限公司_202510987172.0
    本发明涉及半导体制造技术领域，涉及一种金属硅化物层的制备方法及半导体结构。本发明的金属硅化物层的制备方法，包括：在半导体衬底上，采用原子层沉积工艺通入金属源、硅源，进行金属硅化物沉积，控制金属‑硅比，形成第一形态的金属硅化物层；结合金属‑硅...
    2025-11-20
  • 一种金属栅结构及其制作方法、半导体器件
    一种金属栅结构及其制作方法、半导体器件_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410534562.8
    本申请涉及半导体制造领域，公开了一种金属栅及其制作方法、半导体器件，包括准备金属栅前制结构体；金属栅前制结构体包括多晶硅层，在多晶硅层上表面依次层叠的第一介质层、第二介质层和第三介质层，及位于多晶硅层侧面的侧面介质层；将第三介质层完全刻蚀，...
    2025-11-20
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410534038.0
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，主要先形成一栅极介电层于基底上，然后形成一栅极电极于该栅极介电层上，形成一第一间隙壁于该栅极电极旁，形成一轻掺杂漏极于该第一间隙壁旁的该基底内，形成一第二间隙壁于该第一间隙...
    2025-11-20
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