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最新专利技术
  • 形成半导体结构的方法、半导体结构、存储器及电子装置
    形成半导体结构的方法、半导体结构、存储器及电子装置_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410530828.1
    本申请公开了形成半导体结构的方法、半导体结构、存储器及电子装置，该方法通过提供包括衬底和隔离结构的基底，该隔离结构形成在隔离区且包括凸出于衬底表面的第一隔离部，接着对该第一隔离部沿垂直于隔离区延伸方向的第二方向进行部分刻蚀，从而将第一隔离部...
    2025-11-29
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司_202511386596.8
    本公开涉及半导体技术领域，提供了一种半导体结构及其制备方法，用于改善栅诱导漏极泄露(GIDL)以及行锤效应的问题。该半导体结构包括：衬底；字线结构，位于衬底上且沿第一方向延伸，字线结构包括沿第二方向自下至上排布的第一字线层、第二字线层以及位...
    2025-11-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_长鑫科技集团股份有限公司_202511014236.5
    本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底；叠层结构包括沿第一方向间隔排布的多个存储单元，存储单元包括有源层以及沿第一方向设置于有源层上的栅极层和设置于有源层与栅极层之间的衬垫层，有源层包括沿第二方向...
    2025-11-29
  • 半导体器件的制备方法和半导体器件
    半导体器件的制备方法和半导体器件_深圳市新凯来工业机器有限公司_202510788802.1
    本申请提供一种半导体器件的制备方法和半导体器件，涉及半导体技术领域，用以解决如何改善在制备半导体器件的过程中衬底发生翘曲的技术问题。该制备方法包括提供衬底；在衬底的第一侧形成叠层结构，在形成叠层结构的过程中，在衬底的第二侧形成应力层，第一侧...
    2025-11-29
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510446165.X
    一种半导体器件可以包括：字线，在衬底上沿第一方向延伸并且在第二方向上彼此间隔开；沟道层，在字线上；位线，接触沟道层的上表面并且沿第二方向延伸；第一导电划分线，在沟道层上并且在第一方向上彼此间隔开；接触插塞，接触沟道层的上表面并且在第一方向和...
    2025-11-29
  • 制造集成电路装置的方法
    制造集成电路装置的方法_三星电子株式会社_202510278512.2
    一种制造集成电路装置的方法包括：提供包括单元阵列区域和外围电路区域的衬底；在单元阵列区域和外围电路区域中形成导电层；在导电层上形成覆盖绝缘层；通过使用覆盖绝缘层作为第一蚀刻掩模，在单元阵列区域中形成直接接触和位线；在直接接触的侧壁和位线的侧...
    2025-11-29
  • 包括垂直有源图案的半导体器件
    包括垂直有源图案的半导体器件_三星电子株式会社_202510115676.3
    一种半导体器件，所述半导体器件包括存储区域和外围区域。所述存储区域包括：单元垂直有源图案，顺序地堆叠在所述单元垂直有源图案上的单元上源极/漏极图案和单元接触插塞，以及位于所述单元上源极/漏极图案的侧表面和所述单元接触插塞的侧表面上的单元隔离...
    2025-11-29
  • 包括绝缘结构的半导体器件
    包括绝缘结构的半导体器件_三星电子株式会社_202510062634.8
    一种半导体存储器件，包括：位线，在第一方向上延伸；多个绝缘结构，设置在位线上并且在第一水平方向上彼此间隔开；半导体图案，设置在多个绝缘结构的侧壁上；栅电极，设置在半导体图案上并在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸；栅极绝缘膜，设置在栅电...
    2025-11-29
  • 半导体器件和制造半导体器件的方法
    半导体器件和制造半导体器件的方法_三星电子株式会社_202411600694.2
    一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域和外围区域；字线，在单元区域上在第一方向上延伸；位线，在第二方向上跨字线延伸，第二方向与第一方向相交，并且该位线包括：第一位线和第二位线，在第一方向上交替布置，每条第一位线包括：位线尾部，在第二方向上延...
    2025-11-29
  • 一种存储器及存储器的制作方法
    一种存储器及存储器的制作方法_华为技术有限公司_202410554375.6
    本申请提供一种存储器及存储器制作方法，其包括衬底、多条位线、N个晶体管，多条所述位线沿着第一方向间隔排列于所述衬底表面，每条所述位线连接有M个所述晶体管，沿着第二方向，每行包括S个间隔设置的所述晶体管，位线与晶体管导通，晶体管包括沟道、栅极...
    2025-11-29
  • 存储器器件及其制作方法
    存储器器件及其制作方法_长江存储科技有限责任公司_202410547214.4
    本公开实施例提供了一种存储器器件及其制作方法，其中，该存储器器件包括：半导体结构；半导体结构包括：半导体柱，沿第一方向延伸；栅极结构，位于半导体柱的至少一侧；以及第一掺杂区，位于半导体柱沿第一方向相对的两端；沿栅极结构指向半导体柱的方向上，...
    2025-11-29
  • 半导体器件及其制造方法、存储器系统
    半导体器件及其制造方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410545466.3
    本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器系统，所述半导体结构的制造方法包括：在基底上形成第一掩膜层，在所述第一掩膜层中形成并排设置的多个第一开口；基于所述多个第一开口对所述基底进行第一次刻蚀，形成并排设置的多个第一沟槽；扩大所述...
    2025-11-29
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410545452.1
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统，先提供半导体层，再在半导体层沿第一方向的一侧形成掩模层，然后利用掩模层对半导体层进行刻蚀，形成沿第二方向延伸的第一凹槽和位于相邻第一凹槽之间的初始半导体柱，以及覆盖初始半导体柱的第一掩模图案...
    2025-11-29
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410544455.3
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括多个半导体柱、栅极结构、第一介质层和电容接触结构。栅极结构位于半导体柱沿第一方向的第一侧。第一介质层位于半导体柱的第一侧且沿第二方向延伸至栅极结构。电容接触结构沿第二方向穿过...
    2025-11-29
  • 存储器及其形成方法、存储器系统
    存储器及其形成方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410537553.4
    本公开提供了一种存储器及其形成方法、存储器系统，存储器的形成方法包括：形成多个存储块；其中，形成存储块包括：形成第一半导体结构；第一半导体结构包括存储单元阵列；存储单元阵列包括多个存储电容；存储电容包括第一极板、第二极板以及位于第一极板和第...
    2025-11-29
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410534931.3
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括第一电极层、第二电极层、电容介质层和介质层。电容介质层可位于第一电极层和第二电极层之间。介质层可位于第一电极层沿第一方向的一侧、以及位于第一电极层沿第二方向远离电容介质层的一...
    2025-11-29
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410533944.9
    本申请实施方式提供了一种半导体器件及制备方法、存储器系统。半导体器件包括半导体柱。半导体柱沿第一方向延伸，并包括在第一方向相对的第一端部和第二端部，其中第一端部包括第一掺杂区，第一掺杂区包括朝向第二端部的第一表面，第一表面到第二端部的距离为...
    2025-11-29
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202410533611.6
    提供了半导体装置及其制造方法。在一些实施方式中，所公开的半导体装置包括垂直晶体管的阵列、以及垂直电容器的阵列。垂直电容器中的每个垂直电容器包括与垂直晶体管的阵列中的对应的垂直晶体管耦合的第一电极结构、以及与第一电极结构电隔离的第二电极结构。...
    2025-11-29
  • 半导体器件、电子设备和制造方法
    半导体器件、电子设备和制造方法_北京超弦存储器研究院_202410526003.2
    本公开提供了一种半导体器件、电子设备和制造方法。半导体器件包括：衬底；和在衬底上呈阵列分布的多个存储单元，每个存储单元包括：垂直于衬底的第一隔离层、电极线、写入字线和第一介质层；环绕第一隔离层的侧壁的栅极；位于栅极的远离第一隔离层一侧的第二...
    2025-11-29
  • 一种识别基板中坏板的方法
    一种识别基板中坏板的方法_山东盛芯电子科技有限公司_202510708541.8
    本发明公开了一种识别基板中坏板的方法, 属于范围技术领域, 本发明中，通过精密标记工艺与动态数据协同机制，实现了坏板识别与生产流程的高度融合。采用高能激光碳化技术，在基板表面形成不可逆的永久性标记，其微观碳化层结构与基材形成显著的光学反差。...
    2025-11-29
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